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Гражданское право. Части I, III и IV. Основные новеллы части IV ГК РФ (самое важное)

Notas de aula, folhas de dicas

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Índice (expandir)

63. PRINCIPAIS ROMANCES DA PARTE IV do Código Civil da Federação Russa

1. Identificação de disposições gerais sobre direitos aos resultados da atividade intelectual e meios de individualização, incluindo disposições sobre objetos, assuntos, direitos exclusivos e sua disposição, organizações que realizam gestão coletiva de direitos, proteção de direitos intelectuais.

2. Alterar o conteúdo do conceito de “propriedade intelectual” (artigo 1225 do Código Civil da Federação Russa) e introduzir o conceito de “direitos intelectuais” (artigo 1226 do Código Civil da Federação Russa).

3. Regulamentação geral e especial mais detalhada dos acordos de alienação de direitos exclusivos (sobre alienação de direitos exclusivos e acordos de licenciamento).

4. Introdução da proteção jurídica dos direitos conexos do fabricante de bases de dados e editor de obras de ciência, literatura ou arte.

5. O surgimento de regulamentação jurídica relativa a novos objetos de proteção jurídica: segredos comerciais (know-how) e designações comerciais.

6. Introdução da acreditação estatal de organizações de gestão de direitos numa base colectiva.

7. Expandir as oportunidades para o uso e alienação de direitos intelectuais.

8. Introdução de regulamentação legal da utilização dos resultados da atividade intelectual como parte de uma tecnologia unificada.

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Engenheiros do Laboratório de Eletrônica e Estruturas em Nanoescala da EPFL desenvolveram uma tecnologia revolucionária que usa material 2D para criar uma arquitetura única que combina operações lógicas com função de memória.

Ao combinar dois blocos em uma única camada semicondutora, os autores conseguiram uma redução significativa nas perdas de energia, o que é especialmente importante para aplicações baseadas em inteligência artificial.

O microcircuito é feito de sulfeto de molibdênio MoS2, um material bidimensional que consiste em uma camada de apenas três átomos de espessura. Os engenheiros da EPFL estudaram as propriedades específicas do MoS2 há alguns anos e descobriram que ele é um excelente semicondutor para aplicações eletrônicas.

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