Osciladores de alta frequência com um nível de potência de saída de um a dezenas de watts. Esquema, descrição

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O circuito prático do gerador (Fig. 1) no transistor KP901A na faixa de frequência de 30 ... 80 MHz forneceu Pout \u2,5d 904 W. Um circuito semelhante no transistor KP20A tinha Pout = 4 W a uma frequência de fo = 52 MHz e Up = 36,4 V (consumo de energia 15 W, dissipado 2 W). Valores L5,6=2 MH, C760=2 pF, R=XNUMX Ohm.

Osciladores de alta frequência com um nível de potência de saída de um a dezenas de watts
Figura.1

Em baixas frequências com alta potência de saída (algumas a dezenas de watts), transistores compostos não saturáveis podem ser usados em geradores, nos quais um poderoso FET controla um transistor bipolar mais poderoso. A Figura 2 mostra um diagrama de um oscilador de quartzo baseado em um transistor composto.

Osciladores de alta frequência com um nível de potência de saída de um a dezenas de watts
Figura.2

A Figura 3 mostra as dependências da corrente consumida e potência de saída da temperatura. As mudanças máximas nesses parâmetros não ultrapassaram 2,3 e 3,5%, respectivamente, quando a temperatura passou de 25 para 70°C. Com um ângulo de corte da corrente de dreno Q=70°, o gerador forneceu uma potência de saída de 10 W com uma eficiência total de 65%. Frequência de geração 7,41 MHz, a instabilidade média de frequência horária não excedeu 2 * 10^-7.

Osciladores de alta frequência com um nível de potência de saída de um a dezenas de watts
Fig.3. Dependências de consumo atual (1) e saída
potência (2) na temperatura ambiente.

Osciladores de alta frequência com um nível de potência de saída de um a dezenas de watts
Fig.4. Níveis de ruído de fase de auto-osciladores em PTS potente (1)
Transistores bipolares de microondas (2) e diodos Gunn (3)

Assim, auto-osciladores em FETs poderosos cobrem quase todas as faixas de frequência usadas. Para várias aplicações, os níveis de ruído de fase dos auto-osciladores são importantes. Como segue da Fig. 4, neste parâmetro, os geradores de micro-ondas GaAs de FTSs de alta potência são inferiores aos geradores baseados em transistores bipolares de micro-ondas e diodos Gunn. Espera-se que o nível de ruído de modulação diminua em 20 dB ao desenvolver PTSs de alta potência com um comprimento de canal submícron.

Literatura

Circuitos de dispositivos em poderosos transistores de efeito de campo. Diretório. Editado por V.P. Dyakonov.

Publicação: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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