Interruptor HF ativo. Esquema, descrição

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Em equipamentos esportivos KB, interruptores de alta frequência (geralmente de acordo com o esquema de atenuador em forma de T) feitos sem diodos encontraram ampla aplicação. No estado fechado, eles proporcionam um bom desacoplamento entre os estágios, mas introduzem perdas relativamente grandes no estado aberto, especialmente quando operando com uma carga de baixa resistência.

A figura mostra uma variante de uma chave de alta frequência montada em transistores. Também é feito de acordo com o esquema de um atenuador em forma de T, mas em comparação com o protótipo em diodos, apresenta menores perdas no estado aberto. Além disso, funciona efetivamente como um estágio de buffer, pois os transistores VT1 e VT3, por onde passa o sinal de RF, estão conectados em um circuito coletor comum.

Interruptor HF ativo

Se uma tensão de controle de +2 V for aplicada ao circuito base do transistor VT12, ele entrará em saturação e os transistores VT1, VT3 fecharão de forma confiável, pois as tensões de polaridade de fechamento, determinadas pelos divisores resistivos R1R2 e R6R7, serão aplicadas às suas junções de emissor, respectivamente. Além disso, o próprio transistor saturado VT2 desvia efetivamente o circuito de sinal.

Para obter um bom isolamento, os transistores VT1 e VT3 devem ter uma baixa capacitância de junção de emissor, e o transistor VT2 também deve ter uma baixa resistência de saturação. Ao utilizar os transistores indicados no diagrama (capacitância da junção do emissor VT1 - 0,8 pF, VT3 - 1,5 pF, resistência de saturação VT2 - 2 Ohms), o valor de isolamento calculado entre a saída e a entrada da chave é de aproximadamente 9 dB na frequência de 110MHz. Este valor foi obtido para o modo “idle” da saída; conectar uma carga melhora este parâmetro. Para implementar de forma prática valores de isolamento tão grandes entre saída e entrada, é necessária uma blindagem entre estágios eficaz no comutador.

A impedância de saída do switch é de cerca de 6 ohms. o que permite a utilização de uma carga com resistência de 60...75 Ohms sem atenuação perceptível do sinal de RF. A corrente através do transistor VT3 é de aproximadamente 5 mA, portanto a tensão máxima de saída em uma carga de 60 Ohm é limitada a 260 mV e em uma carga de 600 Ohm é limitada a 2,6 V.

Na chave ativa, você pode usar transistores domésticos das séries KT337 (VT1), KT608 (VT2) e KT610 (VT3).

Autor: Monficelli D.; Publicação: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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