Transistores de efeito de campo. Símbolos para parâmetros elétricos. Data de referência

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Transistores de efeito de campo. Símbolos para parâmetros elétricos. Data de referência

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Designação	Parâmetro
S1-S2/I(U)	Inclinação do FET (valores mínimo e máximo) medido em uma determinada corrente de dreno (I) ou em uma determinada tensão de dreno (U).
I01-I02/U	a corrente de dreno inicial do FET (valores mínimo e máximo) e a tensão de dreno na qual esse valor é medido.
I/U	a corrente de fuga da porta no dreno e fonte combinados, e a tensão dreno para porta na qual a corrente de fuga é medida.
C11	capacitância de entrada do transistor de efeito de campo. C11=Czi+Css.
C12	capacitância de passagem do transistor de efeito de campo. C12=Css.
C22	capacitância de saída do transistor de efeito de campo. C22=Css+Czi.
Fw/F	a figura de ruído do transistor de efeito de campo e a frequência na qual a medição é feita.
(U0)Uzi/Is	tensão de corte (U0) de um transistor de efeito de campo ou tensão de porta-fonte (Uzi) em uma determinada corrente de dreno (Ic).
Uzs	Tensão DC máxima permitida entre gate e dreno.
Uzi	Tensão CC máxima permitida entre o gate e a fonte.
Usi	Tensão CC máxima permitida entre o dreno e a fonte.
Ic	corrente de dreno CC máxima permitida.
P	a máxima dissipação de potência constante permitida no transistor.
tipo	tipo de transistor de efeito de campo (MDP, PN ou Schottky).
Kahn	Tipo de canal FET.
tsok	número da figura com a localização das conclusões.

Publicação: cxem.net

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