Potente transistor de efeito de campo KP784A. Data de referência

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Potente transistor de efeito de campo KP784A. Data de referência

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Os transistores de canal P de silício KP784A com porta isolada e enriquecimento de canal, com diodo de proteção integrado, são fabricados com tecnologia epitaxial-planar. Os dispositivos são projetados para operar em fontes de alimentação secundárias com entrada sem transformador, em reguladores, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e de pulso, em unidades de potência computacionais, em dispositivos de acionamento de motores elétricos e outros equipamentos de ampla aplicação.

Os transistores estão alojados em uma caixa plástica KT-28-2 (TO-220AV) com terminais estanhados rígidos estampados (Fig. 1).

Potente transistor de efeito de campo KP784A

Peso do dispositivo - não mais que 2,5 g.

Análogo estrangeiro do transistor KP784A - IRF9Z34.

Principais características técnicas

Tensão limite, V, em uma corrente de dreno de 0,25 mA e porta e fonte conectadas.....2...4
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, com corrente de dreno de 11 A e tensão porta-fonte de 10 V.....0,14
Corrente de dreno residual, µA, não mais, em uma tensão de fonte de dreno de 60 V e tensão de dreno de porta zero.....100
Corrente de fuga da porta, µA, não mais, na tensão da fonte da porta ±20 V e tensão zero da fonte de drenagem.....±0,1
Inclinação da característica corrente-tensão, A/V, não inferior, com duração de pulso não superior a 300 ms e ciclo de trabalho de pelo menos 50, com tensão dreno-fonte de 25 V e corrente de dreno de 11 A .....5,9
Tensão direta constante do diodo de proteção, V, não mais, com duração de pulso inferior a 300 ms e ciclo de trabalho superior a 50, com tensão porta-fonte zero e corrente de dreno 18A.....6,3
Frequência operacional máxima, MHz.....1
Invólucro de transição de resistência térmica, °С/W, max.....1,7
Tempo de atraso de ativação, não, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 30 V, uma corrente de dreno de 18 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de 12 Ohms.....40
valor típico.....20
Capacidade do transistor, pF, não mais, em uma tensão de fonte de dreno de 25 V, tensão de fonte de porta zero e uma frequência de 1 MHz, entrada.....1540
dia de folga.....660
posto de controle.....140
O tempo de subida da corrente de dreno, sem dor, em uma tensão dreno-fonte de 30 V, uma corrente de dreno de 18 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de 12 Ohms.....240
valor típico.....120
Tempo de decaimento da corrente de drenagem, não, não mais, com uma tensão dreno-fonte de 30 V, uma corrente de dreno de 18 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de 12 Ohms.....116
valor típico.....58

* Na temperatura de caso 25 °С.

Valores limite

A tensão dreno-fonte mais alta, V ..... 60
Tensão máxima de porta-fonte, V.....+20
O maior dreno de corrente contínua *, A ..... 18
A maior corrente pulsada * dreno, A ..... 72
A mais alta dissipação de energia contínua, W, a uma temperatura de caixa de 25 °C ** ..... 88
A temperatura de transição mais alta, ° С..... 175
Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-55...+150

*Desde que não sejam ultrapassados os valores máximos de dissipação de potência e temperatura de junção.

** Na faixa de temperatura da caixa Tcorp +25...+150 °C, a potência máxima deve ser reduzida de acordo com a fórmula

Pmax = (Tnepmax -Tcorp)/Rt.n-k onde Tnepmax é a temperatura de transição mais alta permitida; Rt.n-k - resistência térmica da caixa de junção.

O valor permitido do potencial estático é 200 V (III grau de rigidez conforme OST 11073.062). O modo de operação e as condições para instalação de transistores no equipamento devem estar de acordo com OST 11336.907.0 (ver artigo de V. Kiselev "Transistores de efeito de campo da série KP737"in "Rádio", 2002, nº 5, pp. 47, 48). Não são permitidas mais do que três re-soldagens de terminais de transistor durante as operações de instalação e montagem.

As principais dependências gráficas típicas dos parâmetros do transistor KP784A são apresentadas na Fig. 2-5.

Potente transistor de efeito de campo KP784A

Na Fig. 2,a e b mostram as dependências da corrente de dreno Ic na tensão dreno-fonte Usi em dois valores da temperatura do invólucro Tcorp - 25±10 e 150 °C, e na Fig. 3 - da tensão porta-fonte Uzi.

Potente transistor de efeito de campo KP784A

A mudança na resistência do canal RK de um transistor aberto na faixa de operação da temperatura da junção é ilustrada na Fig. 4 (RK - valor atual da resistência do canal; Rк25 - resistência do canal em Tper = 25 °C).

Potente transistor de efeito de campo KP784A

A dependência da capacitância de entrada, saída e passagem na tensão dreno-fonte é mostrada na Fig. 5.

Potente transistor de efeito de campo KP784A

Autor: V. Kisilei, Minsk, Bielorrússia

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