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Transistores de efeito de campo da série KP737. Data de referência

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 Comentários do artigo

Potentes transistores de efeito de campo de silício KP737A-KP737V com porta isolada, canal n enriquecido e diodo de proteção com polarização reversa integrado são fabricados usando tecnologia planar epitaxial. Os dispositivos são projetados para operar em fontes de alimentação secundárias sem transformador, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e pulsado, em dispositivos de controle de motores elétricos e outros componentes de equipamentos eletrônicos de ampla aplicação.

Os transistores são alojados em uma caixa plástica KT-28 (TO-220) com terminais estanhados rígidos e estampados. O peso do dispositivo não ultrapassa 2,5 G. O design da caixa, as conexões internas e a pinagem são semelhantes aos transistores da série KP727 (ver "Rádio", 2002, No. 1, pp. 46 - 48).

Análogos funcionais estrangeiros: KP737A - IRF630, KP737B - IRF634, KP737V - IRF635.

Principais características em Tacr méd = 25°C

  • Tensão limite porta-fonte, V, com dreno e porta conectados e corrente de dreno 0,25 mA......2...4
  • Corrente de dreno, A, não inferior, com uma duração de pulso inferior a 300 μs, um ciclo de trabalho superior a 50 e uma tensão de fonte de porta de 10V para KP737A (em uma tensão de fonte de dreno de 4 V).... ...9
  • KP737B(4V)......8,1
  • KP737V (4,8 V)......6,5
  • Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso inferior a 300 μs, ciclo de trabalho superior a 50 e tensão porta-fonte de 10 V para KP737A (com corrente de dreno de 5,4 A).... ...0,4
  • KP737B(5,1A)......0,45
  • KP737V(4,1A)......0,68
  • Corrente de dreno residual, µA, não mais, na tensão máxima da fonte de dreno e tensão zero da fonte de porta......250
  • Corrente de fuga da porta, nA, não mais, na tensão da fonte da porta ±20 V e tensão zero da fonte de drenagem......±100
  • Inclinação da característica corrente-tensão, A/V, não inferior, com uma duração de pulso inferior a 300 μs, um ciclo de trabalho superior a 50 e uma tensão de fonte de dreno de 25 V para KP737A (com uma corrente de dreno de 5,4 UMA)....... 3,8
  • KP737B(5,1A)......3,6
  • KP737V(4,1A)......2,9
  • Tensão direta constante no diodo de proteção (com tensão dreno-fonte reversa), V, não mais, com duração de pulso inferior a 300 μs, ciclo de trabalho superior a 50, tensão porta-fonte zero e valor absoluto máximo de a corrente através do pino de drenagem...... 2
  • Invólucro de transição de resistência térmica, °С/W, max......1,7
  • Ambiente de transição de resistência térmica, °С/W, não mais......62
  • Tempo de recuperação reversa do diodo de proteção, não (valor típico), com duração de pulso inferior a 300 μs, ciclo de trabalho superior a 50, corrente direta de 5,9 A e taxa de diminuição de corrente de 100 A/μs para KP737A ...... 340
  • KP737B......380
  • KP737V......390
  • Tempo de ativação*, não (valor típico), com duração de pulso não superior a 300 μs, ciclo de trabalho de pelo menos 50, tensão de fonte de dreno de 100 V, corrente de dreno de 5,9 A, resistência de fonte de dreno de 16 Ohms e saída resistência da fonte de sinal 12 Ohms para KP737A......41
  • KP737B, KP737V......48
  • Tempo de desligamento*, não (valor típico), com duração de pulso não superior a 300 ms, ciclo de trabalho de pelo menos 50, tensão de fonte de dreno de 100 V, corrente de dreno de 5,9 A, resistência de fonte de dreno de 16 Ohms e saída resistência da fonte de sinal 12 Ohms para KP737A......59
  • KP737B, KP737V......62
  • Capacitância de entrada*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz......1300
  • Capacitância de saída*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz......360
  • Capacitância de passagem*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz......120

*Parâmetros de referência

Valores limite

  • A tensão mais alta da fonte de drenagem, para KP737A......200
  • KP737B, KP737V......250
  • Tensão máxima de porta-fonte, V......20
  • A corrente de drenagem constante mais alta, A, a uma temperatura de caixa de 25 °C para KP737A......9
  • KP737B......8,1
  • KP737V......6,5
  • A corrente de drenagem pulsada mais alta, A, a uma temperatura de caixa de 25 °C para KP737A......36
  • KP737B......32
  • KP737V......26
  • Dissipação máxima de potência constante, W, na temperatura da caixa 25 °C......74
  • A temperatura de transição mais alta, ° С ...... 150
  • Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -55...+125
  • O maior valor permitido de potencial estático é 200 V (III grau de rigidez conforme OST 11073.062).

As condições para instalação de transistores no equipamento devem atender à OST 11336.907.0. O uso de transistores não é permitido nos valores limites de dois ou mais parâmetros combinados. Para aumentar a confiabilidade, recomenda-se operar dispositivos com valores de parâmetros não superiores a 70% dos valores limites.

Durante a instalação, a flexão única dos cabos não é permitida a menos de 5 mm da borda da caixa, o raio de curvatura não é inferior a 1,5 mm. A linha de dobra deve estar no plano dos cabos. Você não pode torcer os cabos. Ao dobrar, é necessário tomar medidas para evitar a transferência de força para o corpo. -

A distância da caixa ao local de estanhamento e soldagem dos cabos não deve ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldagem - não superior a 265°C, tempo de estanhagem - não superior a 2 s, tempo de soldagem - não superior a 4 s.

Para reduzir a resistência térmica do dissipador de calor corporal, recomenda-se cobrir o local de contato com lubrificantes ou pastas condutoras de calor, por exemplo, KPT-8 conforme GOST 19783. Se houver uma junta isolante sob o transistor, sua resistência térmica deve ser levada em consideração.

Dependências gráficas típicas dos parâmetros dos transistores KP737A - KP737B são apresentadas na Fig. 1 -7.

Na Fig. A Figura 1a mostra a dependência da corrente de dreno na tensão dreno-fonte em vários valores de tensão entre a porta e a fonte e a temperatura normal do caso, e na Fig. 1,b - as mesmas dependências a uma temperatura da caixa de 1505 °C.

Transistores de efeito de campo da série KP737

Uma característica de transferência típica de dispositivos com dois valores de temperatura do invólucro é mostrada na Fig. 2.

A dependência normalizada da resistência do canal aberto com a temperatura é mostrada na Fig. 3, e as dependências típicas da capacitância de entrada, saída e passagem na tensão dreno-fonte são mostradas na Fig. 4. À medida que o corpo do transistor aquece, a corrente máxima de dreno deve ser reduzida de acordo com o gráfico da Fig. 5.

Transistores de efeito de campo da série KP737

Uma dependência típica da carga da capacitância da porta com a tensão porta-fonte é mostrada na Fig. 6.

Transistores de efeito de campo da série KP737

As capacidades do diodo de proteção integrado são ilustradas na Fig. 7, em que Iс é a corrente que passa pelo terminal de dreno do transistor se o diodo estiver aberto, e Upr é a queda de tensão direta no diodo.

Transistores de efeito de campo da série KP737

Autor: V.Kiselev

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