Transistores de efeito de campo da série KP723. Data de referência

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Transistores de efeito de campo da série KP723. Data de referência

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Potentes transistores de canal n de efeito de campo de silício KP723A-KP723G com porta isolada, enriquecimento de canal e um diodo reverso de proteção integrado são fabricados usando tecnologia planar epitaxial. Eles são projetados para funcionar em fontes de alimentação secundárias, em reguladores de potência, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e de pulso, em fontes de alimentação ininterruptas para computadores pessoais, em dispositivos de acionamento de motores elétricos e outras unidades e unidades de equipamentos amplamente utilizados.

Os dispositivos são alojados em caixa plástica KT-28 (conforme classificação estrangeira - TO-220) com terminais rígidos estanhados estampados; peso do dispositivo - não mais que 2,5 g.

Análogos funcionais estrangeiros dos transistores KP723A - IRFZ44, KP723B - IRFZ45, KP723V - IRFZ40, KP723G - IRLZ44.

Em termos de design da carcaça, circuito elétrico de conexões internas e pinagem, os transistores das séries KP723 e KP727 são semelhantes.

Principais características técnicas em Tamb.av = 25 °С

Tensão limite, V, com corrente de dreno de 0,25 mA e porta e dreno conectados para KP723A - KP723V......2...4
KP723G......1...2
Corrente de drenagem, A, não inferior, com uma duração de pulso não superior a 300 μs e um ciclo de trabalho de pelo menos 50 para KP723A e KP723B com uma tensão de fonte de dreno de 1,75 V e uma tensão de porta-fonte de 10 V , para KP723B com tensão de fonte de dreno de 2,25 V e fonte de porta de 10 V, para KP723G com tensão de fonte de dreno de 1,75 V e fonte de porta de 5 V......50
Resistência de um canal de transistor aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs, ciclo de trabalho de pelo menos 50 e corrente de dreno de 31 A para KP723A, KP723V (em uma tensão porta-fonte de 10 V).......0,028
KP723B(10V)......0,035
KP723G (5 V) ...... 0,028
Corrente de dreno residual, μA, não mais, na tensão de fonte de dreno máxima permitida e tensão de fonte de porta zero......250
Corrente de fuga de porta, nA, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs, ciclo de trabalho de pelo menos 50 e tensão de fonte de drenagem zero para KP723A - KP723V com tensão de fonte de porta de ±20 V, para KP723G com uma tensão porta-fonte de ±10 V ......100
Inclinação característica, A/V, não menos, com duração de pulso não superior a 300 μs, ciclo de trabalho não inferior a 50, tensão de fonte de dreno 25 V, corrente de dreno 31 A para KP723A-KP723V...... 15
KP723G......23
Resistência térmica, °C/W, não mais, transição - caixa......1
transição - ambiente ...... 62
Tempo de ativação, não, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 30 V, uma corrente de dreno de 51 A para KP723A-KP723V (com uma resistência de saída da fonte de sinal de 9,1 Ohms e uma tensão de fonte de porta de 10 V).......130
KP723G (4,6 Ohm, 5 V)......247
Tempo de desligamento, não, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 30 V, uma corrente de dreno de 51 A para KP723A-KP723V (com uma resistência de saída da fonte de sinal de 9,1 Ohms e uma tensão de fonte de porta de 10 V).......150
KP723G (4,6 Ohm, 5 V)......152
Capacitância de entrada*, pF, não mais, em tensão de fonte de porta zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz para KP723A-KP723V......2500
KP723G......4300
Capacitância de saída*, pF, não mais, em tensão de fonte de porta zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz para KP723A-KP723V......1200
KP723G......1600
Capacitância de passagem*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz......290
Tensão direta do diodo de proteção, V, não superior, com duração de pulso não superior a 300 μs, ciclo de trabalho de pelo menos 50, tensão porta-fonte zero e corrente de dreno** 51 A......2,5

Valores limite

Tensão máxima da fonte de drenagem, V, para KP723A, KP723B, KP723G .....60
KP723V......50
Tensão máxima de porta-fonte, V, para KP723A-KP723V......±20
KP723G......±10
A corrente de dreno direta mais alta, A, a uma temperatura de caixa de 25 ° C ...... 50
A corrente de dreno pulsada mais alta, A, a uma temperatura de caixa de 25 ° C ...... 200
Dissipação máxima de potência constante, W, com dissipador de calor, na temperatura da caixa 25°C......150
A temperatura de transição mais alta, ° С ...... 175
Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -60...+125

O valor permitido do potencial estático é 200 V (III grau de dureza conforme OSB 1073.062).

O modo de operação e condições para instalação de transistores no equipamento devem estar de acordo com OSB 1336.907.0. A operação com dois ou mais valores máximos de parâmetros permitidos não é permitida. Para aumentar a confiabilidade e durabilidade, é recomendado o uso de transistores em modos onde os valores dos parâmetros não excedam 70% dos valores limites.

Durante a instalação, é permitida a flexão única dos cabos com um raio de curvatura de pelo menos 1,5 mm a uma distância não inferior a 5 mm do corpo, e apenas em um plano perpendicular ao plano dos cabos e passando ao longo o chumbo dobrado. Não é permitido torcer os cabos.

A distância do corpo ao local de estanhamento e soldagem não deve ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldagem - não superior a 265°C. O tempo de estanhagem não deve exceder 2 s e o tempo de soldagem não deve exceder 4 s.

Para melhorar a transferência de calor do flange do transistor para o dissipador de calor, é recomendado o uso de lubrificantes e pastas termicamente condutivas, por exemplo, KPT-8 de acordo com GOST 19783. Se for necessário instalar uma junta isolante sob o transistor, seu térmico a resistência deve ser levada em conta.

Na Fig. 1-8 mostram dependências gráficas típicas dos parâmetros dos transistores da série KP723. Famílias de características de saída de dispositivos para dois valores de temperatura corporal são mostradas na Fig. 1 e 2, e na Fig. 3 e 4 - suas características de transferência.

Transistores de efeito de campo da série KP723

As dependências normalizadas da resistência do canal aberto na temperatura da junção são mostradas na Fig. 5, e na Fig. 6 - dependência da capacitância de entrada, saída e passagem da tensão dreno-fonte. Arroz. 7, aeb ilustra a mudança na corrente através do terminal dreno do transistor a partir da tensão aplicada aos terminais do canal na polaridade que abre o diodo de proteção do dispositivo.

Na fig. 8 mostra as dependências de temperatura da corrente de dreno limitante.

Autor: V. Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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