Transistores de efeito de campo da série KP504. Data de referência

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Transistores de efeito de campo da série KP504. Data de referência

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Os transistores de silício de canal n de efeito de campo KP504A-KP504E de potência média com porta isolada e enriquecimento de canal são fabricados usando tecnologia epitaxial planar. O dispositivo é equipado com um diodo de polarização reversa de proteção integrado conectado entre a fonte e o dreno.

Os transistores são projetados para trabalhar em fontes de alimentação secundárias com entrada sem transformador, em reguladores, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e de pulso, em unidades de acionamento de motores elétricos de baixa potência e outros equipamentos domésticos e industriais.

Os dispositivos são embalados em uma caixa de plástico KT-26 (TO-92) com condutores estanhados rígidos estampados (Fig. 1). Análogo estrangeiro do transistor KP504A -BSS88.

Transistores de efeito de campo da série KP504

Principais características em Tacr.av = 25±10°C

Tensão limite, V, em uma corrente de dreno de 1 mA e uma fonte conectada ao gate. . .0,6...2
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs e seu ciclo de trabalho de pelo menos 50, com uma corrente de dreno de 0,25 A e uma tensão de porta-fonte de 4,5 V para KP504A-KP504V, KP504D , KP504E... ...8
KP504G......10
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com uma duração de pulso não superior a 300 μs e um ciclo de trabalho de pelo menos 50, com uma corrente de dreno de 14 mA e uma tensão de porta-fonte de 1,8 V para KP504A-KP504V, KP504D , KP504E..... .15
KP504G......18
Corrente de dreno residual, µA, não mais, na tensão dreno-fonte máxima permitida e tensão porta-fonte zero ...... 1
Corrente de fuga do portão, μA, não mais, com tensão dreno-fonte zero e tensão porta-fonte ±20 V ......±0,1
A inclinação da característica corrente-tensão, A / V, não inferior, com uma duração de pulso não superior a 300 μs e um ciclo de trabalho de pelo menos 50, com uma tensão dreno-fonte de 5 V e uma corrente dreno de 0,25 A ....... 0,14, XNUMX
Tensão direta constante do diodo de proteção, V, não mais, com uma duração de pulso não superior a 300 μs e um ciclo de trabalho de pelo menos 50, com tensão porta-fonte zero e uma corrente através do diodo de 0,5 A para
KP504A, KP504V-KP504D......1,3
KP504B, KP504E......1,8

Cristal-ambiente de resistência térmica, °С/W, max, para

KP504A, KP504B......125
KP504V-KP504E......177
Capacitância* do transistor, pF, não mais, com tensão porta-fonte zero, tensão dreno-fonte 25 V e frequência 1 MHz de entrada ...... 140
fim de semana ...... 30
ponto de verificação......9

* Parâmetros de referência.

Valores limite

A tensão de fonte de dreno mais alta, V, para KP504A, KP504B, KP504D, KP504E ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
Tensão máxima de porta-fonte, V......±10
Dreno de corrente contínua máxima*, mA, para
KP504A, KP504B......250
KP504V, KP504D, KP504E......200
KP504G......180
A corrente pulsada mais alta * dreno, A ...... 1
A maior potência dissipada constante**, W, a uma temperatura ambiente não superior a 25 ° C, para KP504A, KP504B ...... 1
KP504V-KP504E......0,7
A temperatura mais alta do cristal, ° С ...... 150
Faixa de temperatura operacional do ambiente, °С......-55...+125

* Desde que os valores limite de dissipação de energia e temperatura do cristal não sejam excedidos

** Na temperatura ambiente Tacr.avg de +25 a +125 °C, a potência máxima dissipada Pmax deve ser reduzida de acordo com a fórmula Рmax = (Тcr max - Tacr.avg)/RT.cr-avg, onde Тcr max é a temperatura mais alta do cristal; RT.cr-sr - resistência térmica do ambiente cristalino.

Valor permitido do potencial estático - 30 V de acordo com OST 11 073.062. Modo de operação e condições de montagem de transistores em equipamentos - conforme OST 11 336.907.0.

As dependências gráficas típicas mais importantes dos parâmetros dos transistores da série KP504 são apresentadas a seguir. Na fig. 2, a e b mostram as características de saída em dois valores de temperatura ambiente, e na fig. 3 - dependência da corrente de dreno com a tensão porta-fonte. Na fig. A Figura 4 mostra a dependência normalizada da resistência do canal aberto do dispositivo em relação à temperatura (RK é a relação entre a resistência atual do canal e a resistência a uma temperatura de cristal de +25 °C).
Arroz. 5 ilustra a mudança de temperatura da tensão limiar, e a fig. 6 - a dissipação de potência constante máxima permitida. O gráfico na Fig. 7. A dependência da inclinação da característica corrente-tensão e a resistência do canal aberto na corrente de dreno é mostrada na fig. 8 e 9 respectivamente. As capacidades de energia do diodo de proteção embutido são mostradas na Fig. 10.

(clique para ampliar)

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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O ICL5102 da Infineon é um novo controlador de fonte de alimentação combinado que controla dois estágios ao mesmo tempo: um estágio corretor de fator de potência (PFC) e um estágio conversor ressonante de meia ponte LLC (opcionalmente LCC).

O alto nível de integração desta solução garante um baixo número de componentes e é adequado para fontes de alimentação compactas e de baixo perfil. A configuração dos parâmetros do chip ICL5102 é feita selecionando os valores dos resistores. Com uma corrente de partida de cerca de 100 μA, o controlador permite iniciar a fonte de alimentação em não mais de 300 ms.

O estágio PFC é implementado com base em um núcleo digital e opera na limitação de corrente do indutor (CrM) ou alterna para o modo de corrente descontínua (DCM) em carga leve. Este estágio opera na faixa de frequência de 22 a 500 kHz e permite atingir um fator de potência superior a 95% e uma distorção harmônica da corrente de entrada (THD) inferior a 10%.

O estágio de meia ponte contém um driver de lado baixo e alto embutido para controlar um transistor externo com uma tensão máxima de até 650 V. Este microcircuito implementa um algoritmo de ajuste de tempo morto adaptativo na faixa de 500-1000 ns.

O controlador ICL5102 implementa um algoritmo para sair do modo de operação capacitivo do conversor LLC. O modo capacitivo pode ocorrer tanto com um curto-circuito na carga, ou com um aumento acentuado da carga (surto) ou na partida do conversor. O controlador tenta retirar suavemente o conversor do modo capacitivo aumentando a frequência de conversão. Se isso não ajudar, o controlador é reiniciado.

Vantagens técnicas:

Faixa de valores efetivos das tensões de entrada 85...305 V;
A faixa de freqüência de operação da cascata PFC é de 22...500 kHz;
Driver high-side de tecnologia de transformador sem núcleo isolado embutido do estágio de saída;
É possível uma alta eficiência do conversor de até 95% (ambos os estágios - KKM + LLC);
Resistor NTC externo para proteção contra superaquecimento;
Tempo de partida suave curto de até 300 ms;
Algoritmo de regulação no modo capacitivo da cascata LLC;
Execute a 1,3 MHz;
Operação estável sob carga leve;
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