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ENCICLOPÉDIA DE RÁDIO ELETRÔNICA E ENGENHARIA ELÉTRICA
Biblioteca gratuita / Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Eletricista

Apêndice 3. Normas para testar equipamentos elétricos e aparelhos para instalações elétricas de consumidores

Disjuntores a vácuo

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Regras para o funcionamento técnico de instalações elétricas de consumo (PTE)

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K - é produzido dentro dos prazos estabelecidos pelo sistema PPR.

Nome do teste Tipo de teste Normas de teste instruções
13.1. Medição da resistência de isolamento de circuitos secundários e EMU К Produzido de acordo com as instruções na seção 28  
13.2. Teste de isolamento de alta tensão:      
1) Teste de isolamento do disjuntor К O valor da tensão de teste é obtido de acordo com a Tabela. 5 (Apêndice 3.1)  
2) Testando o isolamento dos circuitos secundários e enrolamentos da UEM К O teste deve ser realizado de acordo com as instruções na seção 28  
13.3. Verificação da tensão mínima de operação da UEM К A UEM deve operar nas tensões:
eletroímãs de fechamento - 0,85 Unom
eletroímãs de abertura - 0,7 Unom
 
13.4. Testando disjuntores por várias tentativas К O número de operações de ciclos complexos deve ser:
(3 ± 5) operações de fechamento e abertura
(2 ± 3) ciclos B-O sem atraso de tempo entre as operações
Os testes são realizados em tensão nominal nos terminais de eletroímãs
13.5. Teste de desempenho do disjuntor   Fabricado de acordo com as instruções do fabricante  
13.6. Controle de imagem térmica М Produzido de acordo com os padrões estabelecidos e instruções do fabricante

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Poderoso semicondutor com um átomo de espessura 08.03.2017

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Perspectivas mais amplas em eletrônica, em comparação com o grafeno, o novo material pode obter devido às suas qualidades semicondutoras. Sua composição, juntamente com o carbono, também inclui boro e nitrogênio. O nome químico do material é "Hexagonal Boron-Carbon-Nitrogen" ("Hexagonal Boron-Carbon-Nitrogen", h-BCN).

Segundo o professor Enders, os resultados da pesquisa conjunta podem se tornar um ponto de partida para a criação de uma nova geração de componentes eletrônicos, como transistores, microcircuitos, sensores etc. A tecnologia CMOS que domina a indústria eletrônica é caracterizada por limitações óbvias que impedem sua miniaturização. Segundo o pesquisador, o h-BCN tem mais chances do que o grafeno de se tornar um material adequado para superar essas limitações.

O objetivo perseguido pelo cientista ao trabalhar em um novo material foi a criação de uma "rede" bidimensional com as propriedades de um semicondutor. Com a ajuda de uma equipe de cientistas da Universidade de Nebraska-Lincoln, em parceria com cientistas da State University of New York, Krakow University, Tufts University e Boston College, ele ajudou a dar vida a essa ideia.

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