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Nó de conversação para um aparelho telefônico. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Telefonia

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Às vezes, o funcionamento do aparelho telefônico não agrada ao consumidor: som e audibilidade ruins, ruído, etc. Você pode melhorar as características do aparelho montando o nó de conversação proposto.

O diagrama do dispositivo é mostrado na figura.

Nó de conversação para um telefone
(clique para ampliar)

O amplificador operacional quádruplo DA1 é alimentado por uma tensão bipolar gerada a partir de uma cascata unipolar nos transistores VT5, VT6. No amplificador operacional DA1.1 e transistor VT1, um amplificador de microfone é montado e em DA1.2 e VT2, VT3 - um amplificador de sinal de áudio da linha. Para operar o sistema anti-local, o sinal de áudio anti-fase para DA1.2 não é retirado do transistor de saída VT1, como é feito na maioria dos nós de conversação mais simples, mas é gerado por um amplificador separado em DA1.3. Isso atinge uma boa qualidade do sistema anti-local.

A cascata no amplificador operacional DA1.4, diodos VD2, VD3 e transistor VT4 foi projetada para controlar o ganho DA1.2. Se um nível de sinal suficiente for recebido do microfone, o ganho do amplificador operacional DA1.2 é reduzido, o que fornece ainda mais supressão da voz.

Com um nível de sinal muito alto na entrada não inversora do amplificador operacional DA1.1, a linearidade do DA1.1 e DA1.3 se deteriora e a profundidade da supressão da própria voz diminui. Para compensar este efeito, a sensibilidade do amplificador no amplificador operacional DD1.2 deve ser reduzida. Isso torna o transistor de efeito de campo VT4. A resistência do canal de dreno de origem aumenta muito e o ganho do amplificador operacional DA1.2 é determinado apenas pela proporção dos valores de resistência dos resistores R25 e R21.

O switch SA1 foi projetado para reduzir a sensibilidade do amplificador do microfone. O switch SA2 pode reduzir o volume do sinal no monofone.

Microfone de eletreto VM1 - MKE-389, MKE-332, MKE-377, M34LOR HM1003 ou similar. Diodos VD2, VD3, VD6 - qualquer germânio ou silício de baixa potência, VD4 e VD5 - silício de baixa potência. Diodo Zener VD1 - qualquer tensão de baixa potência 15 ... 30 V.

O transistor VT1 pode ser qualquer uma das séries KT815, KT817, KT961, KT608, KT630 ​​​​com um coeficiente de transferência de corrente base de 150 ... 200. O transistor de efeito de campo VT4 é qualquer uma das séries KP302, KP303, KP307, mas deve ser verificado quanto à tensão de corte, que não deve ser superior a 1 V.

Para reduzir a interferência, é melhor colocar a placa com o nodo falante dentro do monofone e usar uma blindagem de folha de cobre.

Estabelecer um nó se resume à seleção de alguns resistores que afetam determinados parâmetros. As tags desses resistores e os parâmetros que eles afetam, bem como as classificações dos parâmetros, estão listados abaixo:

digite="disco">
  • R3 - profundidade de supressão da própria voz;
  • R7 - sensibilidade do amplificador do microfone;
  • R9 - diminuindo a sensibilidade do amplificador do microfone;
  • R12 - limiar de resposta do sistema de redução de sensibilidade do amplificador de telefone;
  • R14 - tensão de alimentação do nó conversacional (8 ... 11 V);
  • R21 - volume com sensibilidade reduzida do amplificador telefônico;
  • R27 - o volume do sinal sonoro de entrada;
  • R29 - simetria dos braços da fonte de tensão bipolar;
  • R31 - volume forçado para baixo.
  • Autor: A.Butov, vila de Kurba, região de Yaroslavl

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