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Amplificador de microfone de dois estágios. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Microfones, microfones de rádio

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Colocar um amplificador de microfone próximo ao microfone reduz drasticamente os requisitos de blindagem na conexão dos fios e melhora a relação sinal-fundo. No entanto, isto levanta um novo problema relacionado com a alimentação do amplificador do microfone: a bateria incorporada requer substituição frequente e a utilização de um cabo de alimentação adicional nem sempre é conveniente.

A figura mostra um diagrama de um amplificador de microfone de dois estágios, que é alimentado por um fio de sinal. Neste caso, apenas um resistor R4, que serve como carga do amplificador do microfone, e um capacitor de isolamento C2 devem ser adicionados ao amplificador principal.

Amplificador de microfone de dois estágios

A polarização na base do transistor T1 e a estabilização da temperatura de todo o amplificador são fornecidas pelo divisor R2R3 no circuito emissor do transistor T2. O segundo estágio do amplificador é coberto por realimentação negativa através do resistor R1, que também é a carga do primeiro estágio. O feedback reduz a distorção harmônica a níveis insignificantes e reduz a impedância de saída do amplificador para o padrão de 600 ohms.

A característica de amplitude-frequência do amplificador na região de frequências de áudio mais baixas é determinada pelas capacitâncias dos capacitores C1 e C2. A capacitância do capacitor C2 é calculada pela fórmula: C2=160/(fnRin), uF, onde fn é a menor frequência de operação do amplificador, Hz; Rin - resistência de entrada do amplificador principal, kOhm. Com a capacitância do capacitor C1 indicada no diagrama, a menor frequência de operação é de 16 Hz.

O ganho do amplificador de microfone é de cerca de 150-250 e depende dos valores do coeficiente Vst dos transistores aplicados e da tensão de alimentação. O amplificador funciona bem com microfones dinâmicos de baixa impedância que possuem uma resistência DC de 100-600 ohms. Ele pode usar qualquer transistor de baixa frequência.

A configuração de um amplificador de microfone se resume a verificar a tensão do coletor do transistor T2, deve ser igual à metade da tensão de alimentação. Se necessário, dentro de uma pequena faixa, a resistência do resistor R3 é selecionada, o que determina a corrente do segundo estágio do amplificador.

Ao usar um amplificador para comunicações telefônicas ou relatórios de voz, é aconselhável reduzir a capacitância do capacitor C1 para 0,5-1 μF, o que causará um bloqueio das frequências de áudio mais baixas para 320 e 160 Hz, respectivamente.

Autor: V.Polyakov

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O estudo mostra como a resistência elétrica de um nanofio de metal feito de bismuto muda de forma não monotônica no processo de diminuição de seu diâmetro e depois aumenta acentuadamente, transferindo o objeto para um estado dielétrico (isolante). Segundo os cientistas, os efeitos de tamanho quântico estão associados a um fenômeno fundamental - a quantização do espectro de energia dos elétrons. E pode ser observado apenas em objetos de tamanhos extremamente pequenos.

"O portador de carga geralmente é um elétron e é impossível determinar sua posição precisa, mas sabemos a probabilidade de estar em uma determinada área. Essa probabilidade é descrita por uma função de onda mecânica quântica, e cada onda tem sua própria escala característica - o comprimento de onda", explica um dos coautores da pesquisa. - Então, se fizermos um condutor cujas dimensões sejam comparáveis ​​ao comprimento de onda dessa onda, haverá uma mudança qualitativa nas propriedades do sistema. Neste caso, falamos de quantização de níveis de energia, ou seja, a divisão do espectro contínuo em níveis bem definidos. Além disso, existe o chamado nível de Fermi, que separa os estados de energia preenchidos dos não preenchidos. do condutor diminui, os níveis de energia começam a se deslocar em relação a esse valor limite e, no momento em que o último nível preenchido cruza o nível de Fermi, a amostra passa do estado metálico para o isolante. e essa é a essência do efeito do tamanho quântico no nosso caso."

Os nanofios foram escolhidos como "cobaias de teste", pois o fio é a base de qualquer circuito elétrico, e um filme fino também foi estudado como exemplo. Existem vários métodos para estudar efeitos de tamanho quântico (QSE). Na primeira, o tamanho da mesma amostra é reduzido de forma consistente; na segunda, são utilizadas várias amostras de diferentes tamanhos.

Os pesquisadores escolheram o primeiro porque acharam que combinava com o experimento "mais limpo". O principal problema neste caso foi a tarefa de reduzir a estrutura para não danificá-la. Os tamanhos das nanoestruturas foram reduzidos por ataque com um feixe direcionado de íons de um gás inerte (argônio), assim "triturando" a superfície. Foi encontrado o modo de processamento ideal, no qual a rugosidade da superfície era de aproximadamente 1 nanômetro (cerca de duas camadas atômicas). Neste caso, o menor diâmetro do fio foi de cerca de 40 nm e o diâmetro inicial foi de cerca de 300 nm. As próprias amostras foram fabricadas usando um processo bastante padrão de litografia por feixe de elétrons e deposição a vácuo direcional. Depois de fazer as amostras e verificá-las cuidadosamente, as melhores foram selecionadas para as medições. Em seguida, o ciclo de ataque de íons e medições foi repetido muitas vezes até o momento em que a estrutura foi afinada a tal limite que simplesmente falhou (ou seja, rasgada).

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