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Número 15. O Segredo do Foco

Truques espetaculares e suas pistas

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Descrição do foco:

Escreva um número em um pedaço de papel e vire o pedaço. Em seguida, escreva em ordem todos os números de 1 a 9, três dígitos por linha, conforme mostra a figura. Convide o público a traçar uma linha reta através de quaisquer três números, mas um deles deve ser 5. Quando esses números forem somados, será a vez do pedaço de papel, no qual a soma dos números riscados será escrita .

Foco Número 15

Segredo do foco:

Se você riscar três números para escolher de forma que a linha passe pelo centro, ou seja, o número-chave 5, a soma será sempre 15. Escreva esse número desde o início.

Autor: V.Postolaty

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Os estudos dos dois planetas mais próximos do Sol, Mercúrio e Vênus, sempre foram complicados pelo fato de as condições em suas superfícies serem extremamente desfavoráveis. Por exemplo, Mercúrio pode aquecer até 430 ° C e Vênus, devido às características da atmosfera, ainda mais. Portanto, qualquer aparelho que estude esses corpos celestes de perto deve ser preparado de acordo.

Os eletrônicos modernos são muito sensíveis ao calor, e temperaturas de centenas de graus Celsius são prejudiciais para eles. No entanto, os cientistas vêm lutando para resolver esse problema há muitos anos e parecem ter alcançado algum sucesso. Por exemplo, a Arizona State University anunciou recentemente o desenvolvimento de módulos eletrônicos de última geração no programa HOTTech, financiado pela NASA, com base no qual foi possível criar elementos de memória que podem suportar altas temperaturas - até 300 ° C e até mais .

O nitreto de gálio foi tomado como material base para a criação de eletrônicos de alta temperatura. O fato é que o silício, que é tradicionalmente usado para criar microprocessadores e módulos de memória, tem um gap de banda relativamente baixo (este indicador determina a energia mínima necessária para um elétron passar da banda de valência para a banda de condução) - apenas 1,12 eV. Ao mesmo tempo, para o nitreto de gálio, é de 3,4 eV, o que permite que os dispositivos funcionem normalmente em temperaturas muito mais altas. Ao mesmo tempo, nota-se que este não é o único material semicondutor com um amplo bandgap sendo estudado como parte do programa de eletrônica de alta temperatura. Outro candidato digno com um amplo bandgap é o carboneto de silício.

O dispositivo de memória foi fabricado por deposição de vapor químico em um substrato de nitreto de gálio. Durante os testes, o módulo de memória apresentou desempenho estável em toda a faixa de 25 a 300°C. Quando a temperatura subiu para 350°C, o controle sobre os processos foi perdido, mas foi restabelecido depois que a temperatura caiu para a temperatura ambiente. Assim, mesmo em caso de aquecimento extremo, o próprio módulo de memória não será perdido, embora pare de funcionar normalmente por um tempo. Ao mesmo tempo, como observa Yuji Zhao, os resultados do trabalho são intermediários e o próximo passo será a criação de módulos de memória que podem suportar até 500 ° C em modo normal, e com essa eletrônica já é possível explorar a superfície até de Vênus, até mesmo de Mercúrio.

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