Chips 64D NAND de 3 Gb de 512 camadas. Notícias gratuitas da biblioteca técnica

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Chips 64D NAND de 3 Gb de 512 camadas

07.02.2017

A Western Digital anunciou o início da produção piloto de microchips de memória NAND 64D de 3 camadas (BICS3) com capacidade de 512 Gbps. Estes são os primeiros produtos deste tipo no mundo. Os chips são feitos com tecnologia TLC - três bits de informação em uma célula. Especialistas da Toshiba participaram do desenvolvimento da solução.

Os microchips são fabricados em uma instalação em Yokkaichi, uma cidade especial no sudeste do Japão que pertence à província de Mie. É aqui que estão localizadas as fábricas de chips semicondutores da Toshiba e SanDisk.

A produção em massa de chips NAND 64D de 3 camadas com capacidade de 512 Gbit A Western Digital planeja organizar no segundo semestre deste ano. A empresa anunciou pela primeira vez a introdução da tecnologia para a produção de chips NAND 64D de 3 camadas em meados do ano passado. E em 2015, a empresa demonstrou produtos NAND 48D de 3 camadas.

No final do ano passado, a Western Digital revelou alguns detalhes sobre seus planos de uso e produção de memória flash 3D NAND baseada na arquitetura BICS. A Western Digital adota uma abordagem cautelosa ao usar XNUMXD NAND e planeja usar esse tipo de memória em um futuro próximo apenas para vários tipos de unidades removíveis - cartões SD, pen drives, etc.

Vale ressaltar que a Toshiba, que promove a Western Digital no campo da produção de NAND, também não anunciou um único SSD 3D baseado em NAND (exceto um SSD bastante exótico em um pacote BGA) e seu parceiro próximo, a Lite-On Technology (um SSD com a marca Plextor ), não exibiu suas unidades Toshiba 3D NAND.

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Energia do espaço para Starship 08.05.2024

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Novo método para criar baterias poderosas 08.05.2024

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MSP430FR5969 - microcontrolador de alto desempenho com memória FRAM 02.05.2015

O MSP430FR5969 da Texas Instruments é um microcontrolador inovador que usa FRAM em vez de FLASH.

A memória FRAM tem uma vantagem sobre a memória FLASH tradicional para microcontroladores, o que determina sua confiabilidade e facilidade de uso.

Das vantagens adicionais, vale destacar a possibilidade de usar a área de memória FRAM como memória de acesso aleatório, e o tamanho dessa área é definido pelo usuário. Além disso, o desenvolvedor pode definir a proteção de determinadas áreas de memória de diferentes tipos de acesso (leitura/gravação).

O MSP430FR5969 integra poderosos periféricos analógicos, incluindo um ADC de 12 bits com referência de tensão e um comparador analógico de 16 entradas. Para comunicação com dispositivos externos, o controlador fornece interfaces UART, SPI, I2C, além de um modulador IrDA para uso em interfaces de troca de dados utilizando radiação infravermelha. As interfaces UART e I2C podem ser usadas para programar ou atualizar o software do controlador usando o bootloader BSL. Todos os pinos GPIO suportam a tecnologia de sensor capacitivo CapTouch.

Uma vantagem significativa é a presença da placa de depuração MSP-EXP430FR5969 com a ferramenta EnergyTrace ++ implementada nela.

EnergyTrace++ é a única tecnologia que permite acompanhar o consumo do microcontrolador, o modo de funcionamento do núcleo e o estado de cada um dos módulos periféricos em tempo real. Isso permite a otimização máxima do perfil de energia do sistema e melhora a eficiência do software do microcontrolador.

O MSP430FR5969 é ideal para aplicativos que frequentemente sobrescrevem dados na área ROM e para aplicativos de longa duração da bateria.

Os principais parâmetros

Frequência de clock: 16 MHz;
Tamanho da FRAM: 64 KB;
Memória SRAM: 2 KB;
Número de pinos GPIO: 40;
Número de interfaces I2C: 1;
Número de interfaces SPI: 3;
Número de interfaces UART: 2;
Número de canais DMA: 3;
Conversor analógico-digital: 12 bits, 16 canais;
Número de entradas do comparador analógico: 16;
Número de temporizadores de 16 bits: 5;
Módulo de criptografia: AES256;
Faixa de temperatura de operação: -40...85.

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