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Amplificador de antena. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Amplificadores de antena

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O amplificador FET de barreira Schottky proposto em [1] foi testado para receber sinais de TV fracos e apresentou resultados fantásticos. Assim, uma imagem quase imperceptível do 9º canal do repetidor Kamensk-Shakhtinsky (100 km) foi restaurada quase ao normal quando este amplificador foi conectado. Por exemplo, um amplificador de dois estágios baseado em transistores KT3132 não deu nem perto de tal efeito.

Amplificador de antena. Circuito amplificador de antena

O circuito adaptado para recepção de TV é mostrado na Fig. 1. O amplificador é ressonante e é sintonizado do 6º ao 12º canal pelo resistor R3. A bobina LI é sem moldura e contém 5 voltas de fio PEV 0,7 em um mandril com diâmetro de 7 mm. Retirada - a partir da 1ª volta a partir do fundo. Devo dizer que os PTSs são muito sensíveis à eletricidade estática, captadores de rede e sobrecargas de entrada. Embora a porta do transistor esteja conectada ao corpo através da bobina L1, mesmo uma carga muito pequena (de um pente, por exemplo) entrando na entrada X1 faz com que ela se quebre. Portanto, é arriscado conectar antenas aleatórias, especialmente com um vibrador dividido. O núcleo central do cabo de alimentação deve ser conectado por corrente contínua à blindagem e esta, por sua vez, ao mastro transportador. A placa de circuito impresso do amplificador é mostrada na Fig.2.

Amplificador de antena. Placa de circuito impresso do amplificador de antena

O amplificador pode ser feito de banda larga (Fig. 3) conectando um transformador de banda larga T1 com uma relação de transformação de 1:9 à entrada. T2 é projetado para combinar a impedância de saída do amplificador com a resistência do cabo, o que aumenta a eficiência em comparação com a inclusão mostrada na Fig. 1. Não é necessário usar PTSs potentes no amplificador como em [1], ao invés deles, como ZP325 (AP325) funcionam quase tão bem. O transformador T1 é enrolado em um anel K7x4x2 100 NN e contém 4 espiras em três fios PEV 0,2. T2 - no mesmo núcleo 4 voltas em dois fios. Em ambos os esquemas, K é um cordão de ferrite, revestido na saída do dreno para evitar a auto-excitação no micro-ondas.

Amplificador de antena. Amplificador de banda larga

Para o experimento, você pode substituir o PTS por um FET KP312A convencional de baixo ruído (com a correção apropriada de R1 e R2). A diferença de desempenho é mais do que convincente.

Literatura

1. S. Franklin (WВ5KGL), radioamador. - 1992. - N3. - P.46 - 47.

Autor: A. Ryzhkin; Publicação: cxem.net

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O estudo mostra como a resistência elétrica de um nanofio de metal feito de bismuto muda de forma não monotônica no processo de diminuição de seu diâmetro e depois aumenta acentuadamente, transferindo o objeto para um estado dielétrico (isolante). Segundo os cientistas, os efeitos de tamanho quântico estão associados a um fenômeno fundamental - a quantização do espectro de energia dos elétrons. E pode ser observado apenas em objetos de tamanhos extremamente pequenos.

"O portador de carga geralmente é um elétron e é impossível determinar sua posição precisa, mas sabemos a probabilidade de estar em uma determinada área. Essa probabilidade é descrita por uma função de onda mecânica quântica, e cada onda tem sua própria escala característica - o comprimento de onda", explica um dos coautores da pesquisa. - Então, se fizermos um condutor cujas dimensões sejam comparáveis ​​ao comprimento de onda dessa onda, haverá uma mudança qualitativa nas propriedades do sistema. Neste caso, falamos de quantização de níveis de energia, ou seja, a divisão do espectro contínuo em níveis bem definidos. Além disso, existe o chamado nível de Fermi, que separa os estados de energia preenchidos dos não preenchidos. do condutor diminui, os níveis de energia começam a se deslocar em relação a esse valor limite e, no momento em que o último nível preenchido cruza o nível de Fermi, a amostra passa do estado metálico para o isolante. e essa é a essência do efeito do tamanho quântico no nosso caso."

Os nanofios foram escolhidos como "cobaias de teste", pois o fio é a base de qualquer circuito elétrico, e um filme fino também foi estudado como exemplo. Existem vários métodos para estudar efeitos de tamanho quântico (QSE). Na primeira, o tamanho da mesma amostra é reduzido de forma consistente; na segunda, são utilizadas várias amostras de diferentes tamanhos.

Os pesquisadores escolheram o primeiro porque acharam que combinava com o experimento "mais limpo". O principal problema neste caso foi a tarefa de reduzir a estrutura para não danificá-la. Os tamanhos das nanoestruturas foram reduzidos por ataque com um feixe direcionado de íons de um gás inerte (argônio), assim "triturando" a superfície. Foi encontrado o modo de processamento ideal, no qual a rugosidade da superfície era de aproximadamente 1 nanômetro (cerca de duas camadas atômicas). Neste caso, o menor diâmetro do fio foi de cerca de 40 nm e o diâmetro inicial foi de cerca de 300 nm. As próprias amostras foram fabricadas usando um processo bastante padrão de litografia por feixe de elétrons e deposição a vácuo direcional. Depois de fazer as amostras e verificá-las cuidadosamente, as melhores foram selecionadas para as medições. Em seguida, o ciclo de ataque de íons e medições foi repetido muitas vezes até o momento em que a estrutura foi afinada a tal limite que simplesmente falhou (ou seja, rasgada).

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