Transistores KP901 - 3P930. Data de referência
Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Materiais de referência
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tipo |
S1-S2/I(U)
msym/A(B) |
I01-I02/U
A/B |
I/U
nA/V |
C11
pF |
C12
pF |
C22
pF |
Fw/F
dB/GHz |
Uzi/Is(U0
V/mA(V) |
Uzs
В |
Uzi
В |
Usi
В |
Ic
А |
P/Pt
Ter |
tipo |
Kahn |
tsok |
KP901A
KP901B |
50-160/0.5
60-170/0.5 |
0.015-0.2/20
0.015-0.2/20 |
100/15 |
100
100 |
10
10 |
|
|
|
85
85 |
30
30 |
70
70 |
4
4 |
20
20 |
TIR
TIR |
N
N |
38
38 |
KP902A
KP902B
KP902V |
10-25 / 0.05
10-25 / 0.05
10-25 / 0.05 |
-0.01 /
-0.01 /
-0.01 / |
3/30
3/30
3/30 |
11
11
11 |
0.6
0.6
0.8 |
11
11
11 |
6/0.25
-
8/0.25 |
|
|
30
30
30 |
50
50
50 |
0.2
0.2
0.2 |
3.5
3.5
3.5 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
38
38
38 |
KP903A
KP903B
KP903V |
85-150/(10)
50-130/(10)
60-140/(10) |
0.12-0.7 /
0.06-0.48 /
0.09-0.6 / |
100/15
100/15
100/15 |
18
18
18 |
15
15
15 |
|
|
(5√12)
(1-6.5)
(1-10) |
20
20
20 |
15
15
15 |
20
20
20 |
0.7
0.7
0.7 |
65
65
65 |
PN
PN
PN |
N
N
N |
39
39
39 |
KP904A
KP904B |
250-510/1
250-510/1 |
-0.35/20
-0.35/20 |
|
300
300 |
7 |
|
|
|
100
100 |
30
30 |
85
85 |
5
3 |
50
50 |
TIR
TIR |
N
N |
40
40 |
KP905A
KP905B |
18-39 / 0.05
18-39 / 0.05 |
-0.02/20
-0.02/20 |
|
7
11 |
0.6
0.6 |
4
4 |
6/1
6/1 |
|
70
70 |
30
30 |
60
60 |
.225
0.15 |
4
4 |
TIR
TIR |
N
N |
41
41 |
KP907A
KP907B
KP907V |
10-200/0.5
110-200/0.5
80- /0.5 |
-0.1 / 20
-0.1 / 20
-0.1 / 20 |
|
20
20
20 |
3
3
3 |
|
|
|
70
70 |
30
30 |
60
60 |
1.7
1.3
1.0 |
11.5
11.5 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
41
41
41 |
KP908A
KP908B |
24-40 / 0.08
24-40 / 0.08 |
001-025/20
001-025/20 |
|
4.5
6.5 |
0.6
0.6 |
|
|
|
50
50 |
20
20 |
40
40 |
0.3
0.2 |
3.5
3.5 |
TIR
TIR |
N
N |
41
41 |
KP909A
KP909B
KP909V |
350-900/0.9
350-900/0.9
350-900/0.9 |
0.001-0.5/20
0.001-0.5/20
0.001-0.5/20 |
|
125
125
125 |
6
6
6 |
60
60
60 |
|
|
60
60
60 |
25
25
25 |
50
50
50 |
6.5
4
5 |
50
50
50 |
TIR
TIR
TIR |
N
N
N |
42
42
42 |
AP910A-2
AP910B-2 |
50-/(3)
100-/(3) |
|
1000
1000 |
|
|
|
|
|
|
3.5
3.5 |
|
|
1.5
3 |
Tomada
Tomada |
N
N |
27
27 |
KP911A
KP911B |
200-600/0.5
200-600/0.5 |
-0.05/20
-0.03/20 |
|
80
80 |
|
|
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
3-5
2.5-4 |
30
30 |
TIR
TIR |
N
N |
42
42 |
KP912A
KP912B |
800-2200/0.9
800-2200/0.9 |
Rc = 0.8 ohms
Rc = 0.4 ohms |
|
500
500 |
16
16 |
250
250 |
|
|
110
70 |
20
20 |
100
60 |
8-20
12-25 |
40
40 |
TIR
TIR |
N
N |
43
43 |
KP913A
KP913B |
1000-3000/3
1000-3000/3 |
-0.2 / 50
-0.2 / 50 |
1000/25
1000/25 |
390
390 |
15
15 |
190
190 |
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
14-20
10-14 |
100
100 |
TIR
TIR |
N
N |
42
42 |
2P914A |
10-30 //(10) |
0.1-0.25/0 |
100/8 |
10 |
2.5 |
|
6/0.2 |
(8-30) |
80 |
30 |
50 |
0.1 |
.5 / 2.5 |
PN |
N |
10 |
3P915A-2
3P915B-2 |
350-1200/0.5
300- /0.5 |
|
1000 /
1000 / |
|
|
|
|
|
|
5
5 |
7
7 |
0.65
0.65 |
12
12 |
Tomada
Tomada |
N
N |
45
45 |
KP918A
KP918B |
550-700/2
350-600/2 |
-0.06/20
Rc = 3 ohms |
|
100
100 |
3.5t
3.5t |
55t
55t |
|
60/0
60/0 |
55
55 |
20
20 |
45
45 |
6
4 |
45
45 |
TIR
TIR |
N
N |
44
44 |
KP920A
KP920B |
1000-2300/3
quinze- / |
|
|
390
390 |
6
6 |
50
50 |
|
|
60
60 |
25
25 |
50
50 |
15
12 |
130
130 |
TIR
TIR |
N
N |
46
46 |
KP921A |
1000-1500/1 |
-0.0001/40 |
50/15 |
1700 |
|
|
|
|
45 |
20 |
45 |
10 |
15 |
TIR |
N |
51 |
2P922A
2P922B
2P922V
2P922A-1
2P922B-1
2P922V-1
2P922G-1 |
1000-2100/1
1000-2100/1
1000-2100/1
1000-2100/1
1000-2100/1
1000-2100/1
1000-2100/1 |
Rc = 0.2 ohms
Rc = 0.4 ohms
Rc = 1 ohms
Rc = 0.2 ohms
Rc = 0.4 ohms
Rc = 1.0 ohms
Rc = 0.12 ohms |
-
-
5/
5/
1/30
5/
5/30 |
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000 |
1200
1200 |
600
600 |
|
|
100
100
100
100
100
100
100 |
30
30
30
30
30
30
30 |
100
100
100
100
100
100
100 |
10/20
10/20
5/20
10/20
10/20
5/20
10/20 |
60
60
60
60
60
60
60 |
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N
N
N
N |
43
43
43
52
52
52
52 |
KP923A
KP923B
KP923V
KP923G |
1000-1500/3
700-1000/3
550-700 / 2
350-600 / 2 |
-0.05/20
Rc = 1.0 ohms
-0.025/20
Rc = 3.0 ohms |
100/20
100/20
100/20
100/20 |
400
400
250
250 |
|
|
|
|
60
60
60
60 |
20
20
20
20 |
50
50
50
50 |
12
8
6
4 |
100
100
50
50 |
TIR
TIR
TIR
TIR |
N
N
N
N |
44
44
44
44 |
3P925A-2
3P925B-2 |
300-700/1.8
300-700/1.8 |
-3 (3)
-3 (3) |
|
|
|
|
|
|
|
5
5 |
8
8 |
|
/7
/7 |
Tomada
Tomada |
N
N |
45
45 |
2P926A
2P926B
2P926V |
2000- /4
2000- /4
2000- /4 |
Rc = 0.1 ohms
Rc = 0.1 ohms |
|
|
|
|
|
(15)
(15)
(15) |
475
420
320 |
25
20
20 |
450
400
300 |
16/30
16/30
8 |
50
50
50 |
PN
PN
PN |
N
N
N |
43
43
43 |
3P927A-2
3P927B-2
3P927V-2
3P927G-2
3P927D-2 |
50-150 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4
50-200 / 0.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
3
3
3
3
3 |
7
7
7
7
7 |
|
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5
/ 2.5 |
Tomada
Tomada
Tomada
Tomada
Tomada |
N
N
N
N
N |
29
29
29
29
29 |
2P928A
2P928B |
1000-2300/3
1000-2300/3 |
Rc = 0.4t ohm
Rc = 0.4t ohm |
|
570
570 |
60
60 |
180
180 |
|
|
60
65 |
25
25 |
50
55 |
16
16 |
250
250 |
TIR
TIR |
N
N |
47
47 |
3P930A
3P930B
3P930V |
1000- /4
1000- /4
1000- /4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
5
5
5 |
8
8
8 |
|
/ 21
/ 21
/ 21 |
Tomada
Tomada
Tomada |
N
N
N |
48
48
48 |
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Rapidamente penetrando em nossas vidas, os dispositivos sem fio para diversos fins atingiram os redutos mais conservadores das tecnologias "com fio" - em particular, a iluminação elétrica.
De acordo com um comunicado de imprensa do laboratório de pesquisa nuclear americano Sandia National Laboratories, foram desenvolvidas nos Estados Unidos fontes de luz sem fio baseadas em nanocristais, que no futuro poderão substituir lâmpadas incandescentes ou fluorescentes que nos são familiares. Além da ausência de fios elétricos, as novas lâmpadas têm outra vantagem - eficiência muito alta. As fontes de luz sem fio foram desenvolvidas como parte de um projeto conjunto entre Los Alamos National Laboratories e Sandia Laboratories. Os elementos emissores neles são nanocristais.
Estruturas semicondutoras conhecidas como "poços quânticos" são usadas como fontes de energia. Sua radiação ultravioleta é efetivamente absorvida pelos nanocristais, após o que é reemitida na faixa do visível. Foi demonstrado experimentalmente que a estrutura dos nanocristais começa a emitir luz, estando próxima da fonte de energia.
Tal mecanismo tem uma série de vantagens atraentes. Em particular, o comprimento de onda da luz emitida pelos nanocristais é determinado em maior medida pelos parâmetros geométricos das estruturas do que pelas propriedades dos materiais utilizados, o que facilita a obtenção de fontes de uma determinada cor (por exemplo, vermelho , azul, verde) ou, combinando-os, para obter uma cor branca. O "poço quântico" usado nos experimentos realizados por cientistas americanos é um filme de cerca de três nanômetros de espessura de nitreto de índio gálio depositado sobre um substrato de duas polegadas de diâmetro. A estrutura dos níveis de energia permite que o "poço quântico" irradie na faixa ultravioleta (comprimento de onda de cerca de 400 nm).
O próprio "poço quântico" foi criado nos Laboratórios Sandia pelo químico Daniel Koleske. A montagem da montagem experimental e a condução dos experimentos, bem como o desenvolvimento da teoria, foram realizados por cientistas do Laboratório de Los Alamos. Em nosso experimento, o "poço quântico" foi bombeado com energia usando um laser. Substituir o laser por uma corrente elétrica mais conveniente está repleto de dificuldades significativas, mas os cientistas acreditam que esse problema é bastante solucionável.
Já nos primeiros experimentos, a eficiência de transferência de energia foi de 55%. Os cientistas acreditam que no futuro esse número pode aumentar significativamente, quase até 100%. O desenvolvimento de fontes de luz altamente eficientes é uma das tarefas prioritárias da eletrônica semicondutora moderna: hoje, os dispositivos de iluminação são o principal consumidor de eletricidade gerada no mundo.
A direção mais promissora nesta área é a criação de LEDs superbrilhantes. Dispositivos semelhantes já apareceram no mercado - em particular, a empresa italiana Rimsa desenvolveu uma lâmpada para salas de cirurgia PentalLED, que fornece uma luz absolutamente "fria". Ele usa LEDs Luxeon V, capazes de fornecer 120 lúmens de saída de luz e com uma vida útil vinte e cinco vezes maior do que os halogênios atualmente em uso.
O desenvolvimento de fontes de luz "sem fios" eficientes baseadas em nanoestruturas irá, sem dúvida, expandir significativamente o leque de aplicações das novas tecnologias.
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Comentários sobre o artigo:
Vladimir
bem, ainda assim uma designação gráfica do transistor seria muito boa.
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