Transistores complementares KT529A e KT530A. Data de referência

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Transistores complementares KT529A e KT530A. Data de referência

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Um par complementar de transistores KT529A (pn-p) e KT530A (npn) com baixa tensão de saturação é feito usando tecnologia epitaxial planar. Os dispositivos são embalados em uma caixa de plástico KT-26 com eletrodos estanhados rígidos estampados (Fig. 1).

Transistores complementares KT529A e KT530A

Peso do dispositivo - não mais que 0,3 g.

Os transistores são projetados para funcionar em equipamentos de comutação e unidades de pulso para uma ampla gama de aplicações.

Características principais em Tacr.av = 25±10°C

Corrente reversa do coletor, μA, não mais, em uma tensão de base do coletor de 80 V......1
Corrente de emissor reverso, μA, não mais, em uma tensão base-emissor de 4V......1
Tensão de saturação coletor-emissor, V, não mais, em uma corrente de coletor de 300 mA e uma corrente de base de 10 mA......0,2
valor típico ...... 0,13
Coeficiente de transferência de corrente de base estática, não inferior, a uma tensão coletor-emissor de 5 V e uma corrente de coletor de 300 mA......180
valor típico ...... 250
Tensão limite, V, não menos, na corrente do emissor 10 mA......40
valor típico ...... 45
Módulo de coeficiente de transferência de corrente base em alta frequência, não inferior a, tensão coletor-emissor de 5 V, corrente de emissor de 300 mA e frequência de 100 MHz......1,5

Valores limite

O coletor-emissor de tensão DC mais alto, V ...... 60
O emissor-base de tensão constante mais alta, V ...... 4
A corrente direta de coletor mais alta, A, desde que a potência de dissipação permitida não seja excedida ...... 1
A maior potência constante dissipada, W, a uma temperatura ambiente de -60...+25°С......0,5
+85°С......0,25
Faixa de operação da temperatura ambiente, °С......-60...+85

Na fig. A Figura 2 mostra uma dependência típica do coeficiente de transferência de corrente estática da base h21e dos transistores KT529A e KT530A da corrente de coletor Ik, na fig. 3 - da tensão coletor-emissor Uke, e na fig. 4 - tensão de saturação do emissor-coletor Uke da corrente de base IB em vários valores da corrente do coletor Ik.

Transistores complementares KT529A e KT530A

Um fragmento do circuito mostrado na fig. 5 ilustra uma das possíveis aplicações dos dispositivos descritos, em particular o transistor KT530A.

Em controles remotos para TVs modernas, os transistores de efeito de campo KP505G com uma porta isolada (analógico funcional externo - IRML24) são usados como um amplificador de corrente de saída. O modo de operação do transistor é comutado, a carga é um diodo emissor de infravermelho. Este amplificador deve fornecer a resistência de canal mais baixa possível com consumo mínimo de energia de entrada. Esses requisitos rigorosos predeterminam o custo muito alto do transistor.

O uso da TV Horizont da Bielorrússia em vez do transistor KP6G KT5A no amplificador de corrente de saída do controle remoto RC505-530 (ver Fig. 5) possibilitou, além de reduzir o custo do controle remoto, expandir significativamente seu área de cobertura, tanto em distância da TV quanto em ângulo de visibilidade. A resistência do resistor limitador R1 é determinada pelo valor mínimo do coeficiente de transferência de corrente estática da base do transistor VT1 (> 200), a corrente operacional do diodo emissor BI1 (600 mA) e a amplitude mínima do sinal do Saída MDATA (pino 7) do chip DD1 (analógico externo - INA3010D).

À medida que a temperatura ambiente sobe de +25 para +85°C, a potência de dissipação máxima permitida diminui linearmente.

Autor: A. Shtyrev

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