Transistores unijunção da série KT133. Data de referência

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Transistores unijunção da série KT133. Data de referência

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Os transistores unijunção de silício com base n KT133A e KT133B são projetados para operação em unidades de retardo de tempo, conversores de tensão, geradores de oscilação elétrica, dispositivos de controle de tiristores e outros onde é necessário um elemento com características de relé.

Os dispositivos são fabricados com tecnologia epitaxial-planar. Eles estão alojados em uma caixa plástica KT-26 (Fig. 1), o peso do dispositivo não passa de 0,3 s. Os análogos estrangeiros dos transistores KT133A, KT133B são 2N4870, 2N4871, respectivamente.

Transistores de unijunção da série KT133

Principais características elétricas em Tacr avg = 25°С

Corrente de fuga da junção do emissor, µA, não mais, com tensão de base emissor reversa2 30 V e corrente de base zero1......1
Corrente vale, mA, não menos, em uma tensão base1-base2 de 20 V, uma resistência do resistor no circuito emissor de 100 Ohms, uma duração de pulso de 6 μs ou menos com um ciclo de trabalho de 50 para
KT133A......2
KT133B......4
Coeficiente de transmissão na tensão base1-base2 10 V para KT133A......0,56...0,75
KT133B......0,75...0,85
A frequência mais alta gerada, Hz......220
Corrente de ativação*, µA, não mais, na tensão base1-base2 25 V......5
Corrente de modulação*, mA, na tensão base1-base2 10 V e corrente do emissor 50 mA......15...65
Tensão residual*, V, com tensão base1-base2 3 V e corrente de emissor 50 mA......0,7...2,5
Resistência base a base*, kOhm, na tensão base1-base2 3 V e corrente de emissor zero .....4...9,1
Coeficiente de temperatura da resistência interbase*, %/°С, não mais, na tensão base1-base2 3 V, corrente de emissor zero e temperatura ambiente entre -60...+125°С .0,1...0,9
Tensão de pulso de base 1*, V, não mais, com resistência de resistores em circuitos baey1 20 Ohm, base2 - 100 Ohm, emissor - 10 kOhm, capacitância do capacitor no circuito emissor 0,2 μF e tensão base1-base2 20 V para KT133A.. ....3
KT133B...........5
Ambiente de transição de resistência térmica, °С/W, não mais......333

* Parâmetros de referência.

Valores limite

A tensão mais alta base1-base2 (tensão interbase), V ...... 35
Base de emissor de tensão reversa máxima2, V......30
A corrente direta mais alta do emissor de um transistor aberto, mA......50
A corrente de pulso mais alta do emissor, A. com uma duração de pulso não superior a 10 μs e um ciclo de trabalho de pelo menos 100......1,5
Potência dissipada constante máxima, mW......300
A temperatura de transição mais alta, ° С ...... 135
Limites de temperatura ambiente de operação, °C..... -60...+125

A característica corrente-tensão de entrada de um transistor unijunção é mostrada na Fig. 2. A corrente de comutação Ion de um dispositivo é geralmente chamada de valor da corrente do emissor na qual ocorre uma transição de um estado fechado para um estado aberto. Corrente de vale Id é o valor da corrente do emissor correspondente ao ponto da característica corrente-tensão com tensão mínima e resistência diferencial zero.

A corrente de fuga da junção emissora Iebo é a corrente através da junção emissora, polarizada inversamente em relação à base2. Resistência interbases RB1B2 - resistência entre as bases do transistor em uma determinada tensão interbases. O coeficiente de transferência r] é a razão entre a tensão máxima possível do emissor menos a queda de tensão na junção pn e a tensão interbase aplicada.

Tensão residual UBEnas é a tensão direta no emissor em uma determinada corrente de emissor e tensão base-base. A tensão interbases máxima permitida UБ1Б2max é o valor máximo de tensão de qualquer formato e frequência entre bases, no qual a confiabilidade especificada é garantida.

A tensão reversa máxima permitida da base2 do emissor UEB2 é o valor máximo da tensão reversa da junção do emissor em relação à base2. Corrente de modulação Imod é a corrente mínima no circuito base2 em uma determinada tensão interbase e corrente de emissor.

Como os transistores da série KT133 são produzidos no mesmo invólucro que os da série KT6113 (veja acima), suas características de instalação são as mesmas.

Transistores de unijunção da série KT133

As principais dependências gráficas típicas dos parâmetros dos transistores KT133A, KT133B na temperatura ambiente são mostradas na Fig. 3-5

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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