Transistores da série KT6113. Data de referência

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Os transistores n-p-n de silício de média potência KT6113A-KT6113E são projetados para operação nos estágios de entrada e intermediários de amplificadores de RF, em conversores de frequência e outros componentes e blocos de equipamentos eletrônicos amplamente utilizados.

Os transistores são fabricados com tecnologia epitaxial-planar. Estão alojados numa caixa de plástico KT-26 (de acordo com a classificação europeia TO-92). O desenho do alojamento é mostrado na Fig. 1. Peso do dispositivo - não mais que 0,3 g.

Transistores da série KT6113

Os análogos estrangeiros dos transistores KT6113A, KT6113E são SS9018D, SS9018I, respectivamente.

Principais características elétricas em Tacr avg = 25°С

Tensão limite coletor-emissor, V, não inferior, com uma corrente de coletor de 10 mA, corrente de base zero, duração de pulso não superior a 300 μs e seu ciclo de trabalho de 100 ou mais......15
Corrente reversa do coletor, mA, não mais, em uma tensão de base do coletor de 12 V e corrente de emissor zero......50
Corrente reversa do emissor, µA, não mais, a uma tensão base-emissor de 5 V e corrente de coletor zero......10
Coeficiente de transferência de corrente de base estática em uma tensão de base coletor de 5 V e uma corrente de emissor de 1 mA para KT6113A......28...45
KT6113B......39...60
KT6113V......54...80
KT6113G......72...108
KT611ZD......97...146
KT6113E......32...198
Tensão de saturação coletor-emissor, V, não mais, em uma corrente de coletor de 10 mA e uma corrente de base de 1 mA......0,5
Frequência de corte do coeficiente de transferência de corrente, MHz, não inferior, a uma tensão coletor-emissor de 5 V e uma corrente de coletor de 5 mA......700
Capacitância da junção do coletor, pF, não mais, a uma tensão de base do coletor de 10 V e corrente de emissor zero a uma frequência de 1 MHz ...... 1,7
Transição de resistência térmica - ambiente, °C / W, não mais ...... 312,5

Valores limite

A maior tensão de base do coletor, V ...... 30
A maior tensão coletor-emissor, ...... 15
A maior tensão de base do emissor, V ...... 5
A corrente de coletor DC mais alta, mA......50
Dissipação de potência constante do coletor, mW.....400
Temperatura máxima de transição, °С......150
Limites da temperatura ambiente de operação, °С ..... -45...+85

Não é permitido usar o transistor em um modo onde dois (ou mais) parâmetros tenham valores máximos permitidos. Ao mesmo tempo, não é recomendado operar transistores em uma corrente operacional comparável à corrente reversa não controlada em toda a faixa de temperatura.

Para a instalação de dispositivos, é permitida a flexão única dos cabos a uma distância não inferior a 2 mm do corpo com um raio de curvatura de pelo menos 1,5 mm; neste caso, é necessário tomar medidas para evitar a transferência de força para o corpo. A distância do corpo ao local de soldagem ou estanhamento não deve ser inferior a 3 mm. Se você deseja conectar o dispositivo a um circuito elétrico energizado, o terminal da base deve ser conectado primeiro e desconectado por último.

As dependências gráficas dos parâmetros dos transistores da série KT6113 são apresentadas na Fig. 2b. As características de corrente-tensão de saída do dispositivo conectado de acordo com um circuito emissor comum são mostradas na Fig. 2.

Transistores da série KT6113

Dependências típicas da corrente de coletor do coeficiente de transferência de corrente estática e da frequência de corte do coeficiente estático são mostradas na Fig. 3 e 4, e as tensões de saturação coletor-emissor e emissor-base estão na Fig. 5. Uma dependência típica da capacitância da junção do coletor na tensão CC da base do coletor é ilustrada na Fig. 6.

Transistores da série KT6113

Autor: V.Kisilev, Minsk, Bielorrússia

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