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ENCICLOPÉDIA DE RÁDIO ELETRÔNICA E ENGENHARIA ELÉTRICA Misturador balanceado duplo SA612A. Data de referência
Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Materiais de referência O misturador ativo de frequência dupla balanceada do grupo SA612A (da Philips Semiconductors) foi projetado para uso em dispositivos receptores de rádio operando em uma banda de frequência de até 500 MHz. Além do próprio mixer, o microcircuito contém um oscilador local integrado e circuitos de estabilização de tensão. A base do mixer é um amplificador balanceado (diferencial), que fornece um sinal de saída que é proporcional apenas à diferença entre os sinais nas entradas e não depende de seus valores absolutos, flutuações na tensão de alimentação ou mudanças na temperatura ambiente. [1]. O dispositivo está alojado em uma caixa plástica com duas opções de design: DIP8 (SA612AN) - para instalação tradicional (Fig. 1); S08 (SA612AD) - para superfície (Fig. 2).
O diagrama de blocos do misturador balanceado SA612A é mostrado na Fig. 3. Pinagem do dispositivo: pinos 1 e 2 - entrada diferencial de um amplificador balanceado; pino 3 - pino comum e negativo da fonte de alimentação; pinos 4 e 5 - saída diferencial do misturador; pinos 6 e 7 - pinos para conexão de circuitos osciladores locais externos: pino 8 - pino de alimentação positivo. Como pode ser visto no diagrama, o dispositivo possui duas entradas e saídas balanceadas (daí a característica - dupla). Esta estrutura oferece amplas oportunidades na construção dos circuitos de entrada e saída do mixer (veja abaixo). Em particular, o uso de um circuito misturador balanceado permite eliminar subprodutos de conversão no sinal de saída [2]. Principais características técnicas do Tamb. av = 25 °C e tensão de alimentação 6 V
* Este é o nome dado ao ponto de intersecção condicional no gráfico da reta que caracteriza a potência da distorção de intermodulação de terceira ordem com a continuação das características dinâmicas lineares do misturador [3]. Este parâmetro permite avaliar a faixa dinâmica do mixer usando intermodulação de terceira ordem. Os parâmetros de alta frequência indicados do misturador foram medidos em uma bancada de testes, cujo diagrama é mostrado na Fig. 4. Na verdade, pode ser considerado um circuito de comutação típico. Dependendo da aplicação específica do chip, o sinal de entrada pode ser aplicado de diferentes maneiras. Na Fig. 5, a e b mostram versões ressonantes do circuito de entrada, e na Fig. 5,v - banda larga (neste caso, o pino não utilizado deve ser “aterrado” para corrente alternada com capacitor com capacidade de 0,001...0,1 μF, dependendo da frequência de operação).
Os sinais de saída do mixer (nos pinos 4 e 5) possuem fases opostas. A carga pode ser ligada tanto entre fases (Fig. 6,a) quanto monofásica (Fig. 6,b). O fabricante permite que a saída não utilizada fique livre; no entanto, é melhor “aterrar” também através de corrente alternada através de um capacitor. Como elemento de ajuste de frequência do oscilador local integrado, você pode usar um circuito LC (Fig. 7,a) ou um ressonador de quartzo (Fig. 7,6), operando na frequência fundamental ou harmônicos. Emparelhado com um ressonador harmônico, é necessário utilizar um circuito LC adicional sintonizado na frequência do harmônico correspondente (L1C2C3, Fig. 7c). As classificações dos elementos externos são determinadas a partir das mesmas considerações de um oscilador local convencional em um transistor bipolar. O pino 6 do microcircuito está conectado à base do transistor interno (VT1 na Fig. 7a).
O misturador também pode operar com um oscilador local externo (Fig. 7d). A amplitude da tensão de entrada no pino 6 do misturador deve estar entre 200...300 mV. Se necessário, o sinal do oscilador local pode ser fornecido a um estágio amplificador externo através de um capacitor de acoplamento C5 (Fig. 7a) de pequena capacidade. A amplitude de oscilação do oscilador local será maior se o pino 7 do misturador for desviado com um resistor (R1) com resistência de 1...10 kOhm.
Na Fig. As Figuras 8 e 9 mostram as dependências da temperatura da figura de ruído Ksh do misturador em vários valores da tensão de alimentação e potência de entrada correspondente ao “ponto de intersecção para distorção de intermodulação de terceira ordem” Pvx. respectivamente, e na Fig. 10 - dependência do mesmo parâmetro Рвх. da tensão de alimentação. Literatura
Autor: A. Temerev, Svetlovodsk, região de Kirovograd, Ucrânia
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Comentários sobre o artigo: ua9oas Muitos anos se passaram desde que essa coisa foi criada. Embora digam que é visivelmente melhor que o nosso "PS1" (me diga como exatamente?), Mas ainda assim, o progresso ao longo dos anos na "construção de misturadores" também deve ter ido muito à frente. A tecnologia mais interessante e promissora em tais componentes é a tecnologia sige. Transistores e microcircuitos baseados nele podem ter características significativamente melhores. Mas não consigo encontrar tais análogos, semelhantes ao microcircuito apresentado aqui, na rede. Quem pode ajudar.
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