Transistor de efeito de campo de baixa potência KP214A9. Data de referência

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O transistor de efeito de campo de canal n de silício KP214A9 com porta isolada e enriquecimento de canal, com um diodo reverso de proteção integrado, é fabricado com tecnologia epitaxial-planar. Os transistores são projetados para funcionar em fontes de alimentação secundárias com entrada sem transformador, em reguladores, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e de pulso, em unidades de controle de motores elétricos de baixa potência e em outros equipamentos eletrônicos da economia nacional e do cotidiano.

Os transistores estão alojados em uma caixa plástica KT-46A (SOT-23) com terminais planos estanhados (Fig. 1), destinada à montagem em superfície.

Transistor de efeito de campo de baixa potência KP214A9

Análogo estrangeiro do transistor KP214A9 - 2N7002LT1.

A pinagem e o diagrama de conexões internas são mostrados na fig. 1.

Principais características técnicas em Tacrav = 25+10 °С

Tensão limite, V, com uma corrente de dreno de 0,25 mA e porta e dreno conectados......1 ...2,5
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, corrente de dreno 0,5 A e tensão porta-fonte 10 V...... 7,5
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, corrente de dreno 0,05 A e tensão porta-fonte 5 V......7,5
Corrente de dreno residual, µA, não mais, em uma tensão de fonte de dreno de 60 V e tensão zero na porta......1
Corrente de fuga da porta, µA, não mais, em zero tensão da fonte de drenagem e tensão da porta-fonte ±20 V......±0,1
Inclinação da característica corrente-tensão, mA/V, não inferior, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, com tensão dreno-fonte de 7,5 V e corrente de dreno de 0,2 A ......80
A tensão direta constante do diodo de proteção aberto, V, não mais, na tensão zero da porta-fonte do transistor e a corrente através dos terminais de dreno e fonte é 115 mA......1,5
Cristal-ambiente de resistência térmica, °С/W, não mais......625
Tempo liga/desliga*, não, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 25 V, uma corrente de dreno de 0,5 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de 25 Ohms......30/40
Capacidade do transistor*, pF, não mais, em tensão de fonte de porta zero, tensão de fonte de dreno de 25 V e frequência de 1 MHz
entrada ...... 50
fim de semana ...... 25
ponto de verificação......5

* Parâmetros de referência.

Valores limite

A tensão de fonte de dreno mais alta, V ...... 60
Tensão máxima de porta-fonte, V......±20
A tensão de pulso fonte-gate mais alta, V, com duração de pulso não superior a 1 s e ciclo de trabalho de pelo menos 300 .....±40
Corrente de dreno constante máxima*, mA, a uma tensão gate-source de 10 V e uma temperatura ambiente não superior a 25 °C......115
Corrente máxima de drenagem pulsada**, mA, com duração de pulso não superior a 300 μs......800
Dissipação máxima de potência constante***, W, a uma temperatura ambiente não superior a 25 °C......0,2
A corrente direta mais alta do diodo de proteção, mA......115
Corrente de pulso máxima do diodo de proteção**, mA, com duração de pulso não superior a 300 μs .....800
A temperatura mais alta do cristal, ° С ...... 150
Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -55...+125

* Quando a temperatura ambiente sobe até 125

A corrente de dreno deve ser reduzida (desde que a potência máxima dissipada não seja excedida) até zero, de acordo com o gráfico da Fig. 2.

** Desde que o valor máximo de dissipação de potência não seja excedido. *** Na faixa de temperatura ambiente de 25 a 125°C, a potência máxima dissipada Pmax é calculada usando a fórmula

onde RTkp-cp é a resistência térmica do ambiente cristalino.

O valor permitido do potencial estático é 30 V de acordo com OST 11073.062. O modo e as condições de instalação de transistores nos equipamentos estão de acordo com OST 11336.907.0. Ao soldar cabos com um ferro de soldar, é necessário remover o calor usando uma pinça especial com mandíbulas maciças de cobre. As pinças são instaladas no terminal próximo à caixa. O ferro de soldar deve estar aterrado.

Transistor de efeito de campo de baixa potência KP214A9

As principais dependências gráficas típicas dos parâmetros do transistor KP214A9 são apresentadas na Fig. 3-7. Na Fig. As Figuras 3a e b mostram a dependência da corrente de dreno lc na tensão dreno-fonte Usi na temperatura do cristal Tcr = 25±10°C e 150°C. As dependências da corrente de dreno na tensão porta-fonte Uzi são mostradas na Fig. 4, e a dependência normalizada da temperatura da norma RK de resistência de canal aberto está na Fig. 5.

Transistor de efeito de campo de baixa potência KP214A9
Arroz. 6 ilustra a natureza da mudança na capacitância do transistor quando a tensão dreno-fonte muda, e a Fig. 7 - característica corrente-tensão de um diodo de proteção aberto. A dependência da corrente de drenagem constante máxima permitida lc max na temperatura do cristal é mostrada na Fig. 2.

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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