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ENCICLOPÉDIA DE RÁDIO ELETRÔNICA E ENGENHARIA ELÉTRICA Controlador-receptor. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica
Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / recepção de rádio O sucesso nas competições de modelos controlados por rádio depende em grande parte da precisão dos transmissores das equipes executivas. Você pode controlar a operação do equipamento de transmissão usando um receptor simples, no telefone do qual os sons das frequências dos comandos de modulação são claramente audíveis. Observando o voo do modelo, pode-se julgar a qualidade da execução do comando. O receptor, além disso, indicará a presença de interferência "éter" que pode atrapalhar o funcionamento normal do equipamento receptor do modelo. Esse receptor “controlador” foi usado por vários anos por jovens técnicos do Palácio dos Pioneiros da Cidade de Moscou e por crianças em idade escolar para monitorar a operação de equipamentos de rádio em competições de modelagem de aeronaves. A sensibilidade do receptor não é pior que 10 μV, a faixa de frequências recebidas é 26,0-32,0 MHz. A recepção é realizada em um pedaço de fio isolado com cerca de um metro de comprimento. O receptor é alimentado por uma bateria KBS-L-0,50. O peso do receptor sem fonte de alimentação é de cerca de 60 g, as dimensões são 110x24x17 mm. O diagrama esquemático do receptor é mostrado na Fig. 1. Este é um detector super-regenerativo no transistor T1 com um amplificador de baixa frequência de três estágios nos transistores T2, T3 e T4. O circuito de entrada L1C5, conectado ao circuito coletor do transistor Hz, é ajustado pelo capacitor C5, e ajustado para a faixa de frequência selecionada pelo núcleo da bobina L1. O sinal recebido é amplificado e detectado pelo transistor T1. O sinal de baixa frequência isolado no resistor R3 é alimentado através da célula de filtro R4C7 e do capacitor C8 para a entrada do amplificador de baixa frequência.
O amplificador de baixa frequência utiliza acoplamento direto entre os transistores do primeiro e segundo estágios e compensação de temperatura, que opera automaticamente em uma ampla faixa de temperatura. O sinal que chega na entrada do amplificador (pontos aeb), após amplificado pelo transistor T2, é isolado no resistor R6 e vai diretamente para a base do transistor T3. A carga deste estágio é o resistor R7, a partir do qual o sinal através do capacitor C9 é fornecido à base do transistor T4 para posterior amplificação. Os resistores R8 e R9 formam um divisor, do qual a tensão de polarização necessária para o transistor T4 é removida. A tensão de polarização para o transistor T2 é formada através do resistor R7 e é alimentada através do resistor R5 até sua base. A mesma tensão estabiliza o modo de operação do transistor T2 quando a temperatura muda. Como o coletor do transistor T2 e a base do transistor T3 estão conectados diretamente, a polarização do transistor T3 depende da tensão no coletor do transistor T2 e, portanto, de seu modo. Uma vez que a tensão de polarização do transistor T2 é removida do emissor do transistor T3, ocorre a estabilização mútua dos modos de ambos os transistores. Assim, por exemplo, com o aumento da temperatura, a corrente de coletor do transistor T2 aumenta, o que reduz a tensão em seu coletor e na base do transistor T3. Nesse caso, a corrente de coletor do transistor Tu e a tensão em seu emissor se tornam menores. Isso causa uma diminuição na tensão de polarização na base do transistor T2, o que leva a uma diminuição em sua corrente de coletor. Detalhes. A bobina L1 é enrolada em uma moldura com diâmetro de 8 mm (do PFC da TV Rubin) e possui 10 voltas de fio PEL-1 0,5. O núcleo da bobina é do tipo SCR com diâmetro de 6 mm. O capacitor C5 é um capacitor de sintonia com dielétrico de ar com capacidade máxima de 20-25 pF. O indutor Dr1 é enrolado no corpo de um resistor do tipo MLT-0,5 (com resistência superior a 1,0 MΩ) e contém 200 voltas de fio PEL-1 0,1. Sua indutância é de cerca de 40 μH. Resistores e capacitores são pequenos: as dimensões do receptor dependem deles. Telefone Tlf1 - cápsula telefônica do aparelho auditivo Crystal. Ele pode ser substituído por um telefone eletromagnético com resistência de bobina de 60-150 Ohms. O transistor P416B pode ser substituído por transistores dos tipos P401-P403, P422, P423, GT313 com ganho Vst dentro de 30-100. Quaisquer transistores de baixa frequência com um ganho Vst de pelo menos 40 podem ser usados em um amplificador de baixa frequência. A aparência do receptor, projetada para ser transportada no bolso da jaqueta, é mostrada na Fig. 2. A caixa é feita de vidro orgânico transparente de 1,5 mm. Os soquetes e plugues do conector de alimentação são usados para conectar a antena, telefone e bateria.
A configuração do receptor deve começar com um amplificador de baixa frequência. Para isso, um gerador de som é conectado aos pontos a e b (Fig. 1), e um voltímetro de lâmpada é conectado aos pontos c e d. Um sinal com tensão de 2-3 mV, frequência de 1000 Hz é fornecido do gerador de som para a entrada do amplificador e, selecionando as resistências dos resistores R6 e R8, obtém-se o maior desvio da agulha do voltímetro. Na ausência de instrumentos, você pode ajustar o amplificador pelo volume mais alto do sinal do captador conectado aos pontos a e b. O estabelecimento de uma cascata super-regenerativa consiste na seleção da resistência do resistor R1. Em vez disso, um resistor variável de 47-51 kΩ é soldado temporariamente e, alterando sua resistência, eles obtêm a aparência de "super" ruído nos telefones. Depois disso, você pode tentar sintonizar o receptor em uma das estações amadoras que operam na banda de 28,0-29,7 MHz. Quando sintonizado com precisão na estação, o ruído "super" deve desaparecer. Então, mais uma vez, selecione a resistência do resistor variável e substitua-a por uma constante de mesmo valor (na Fig. 2, R1 é um resistor variável). Os limites da faixa de frequências recebidas são definidos pelo núcleo da bobina L1 de acordo com o gerador de sinal padrão ou de acordo com os sinais do transmissor para modelos controlados por rádio. Autor: N. Putyatin; Publicação: N. Bolshakov, rf.atnn.ru
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