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Dispositivo de alarme de segurança. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Dispositivos de segurança e sinalização de objetos

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Este dispositivo, desenvolvido para a proteção de uma casa de campo há muitos anos, comprovou-se ao longo dos anos de "serviço de segurança". A peculiaridade de seu design é que ele determina abordagens indesejadas do objeto protegido à distância e não usa uma quebra de loop ou uma chave mecânica, como nos dispositivos de segurança comuns comuns, mas um relé capacitivo.

Quando uma pessoa se aproxima da porta a uma distância inferior a 1 metro, o dispositivo gera sinais sonoros e luminosos. É claro que tal dispositivo pode ser usado não apenas para proteger a dacha, mas também outros objetos, por exemplo, um apartamento ou uma garagem.

O diagrama esquemático do dispositivo é mostrado na figura.

Dispositivo de alarme contra roubo
(clique para ampliar)

Um gerador de baixa potência com frequência de geração de 1 kHz é montado no transistor VT90. O circuito de entrada VT2 é sintonizado na mesma frequência. Aproximando-se do sensor de grade (tamanho de 0,5 x 0,5 m), alteramos a capacitância, como resultado da alteração da frequência de geração. O circuito L2, C7 acaba sendo perturbado e uma tensão de bloqueio aparece na base do VT2 (antes disso, o VT2 está aberto). Como resultado, uma tensão próxima à tensão de alimentação aparece no coletor VT2 (na presença de um sinal baseado em VT2, era próximo de zero). Essa tensão, tendo ultrapassado o limite de estabilização do diodo zener VD3, entra na base do transistor VT3 e o abre. Através do relé P1, incluído no circuito coletor VT3, a corrente flui, o relé é acionado e fecha o circuito executivo com seus contatos, cuja carga é uma campainha e uma lâmpada.

O uso do diodo zener VD3 no circuito básico do transistor VT3 aumenta drasticamente a sensibilidade do relé capacitivo e também elimina quase completamente um fenômeno como a histerese - a atuação do relé e as tensões de liberação diferem em menos de 0,26 V. Um metal placa (cobre, duralumínio, ferro) é usada como sensor). É instalado na porta por dentro, pode ser disfarçado de estofamento decorativo. Também pode ser usado como maçaneta de sensor, fechadura, trava, grade de janela de metal.

As bobinas L1 e L2 são iguais, enroladas com fio PEL-0,15 em quadros unificados de rádios portáteis. 200 voltas são distribuídas uniformemente em todas as três seções do quadro.

A indutância das bobinas é de 30 mH. T1 - qualquer um com tensão de saída de 12V. O estabelecimento consiste em ajustar o circuito L1, C4 para uma frequência de 90 kHz. O circuito L2 é sintonizado na mesma frequência. O capacitor C1 regula a sensibilidade do relé capacitivo. O resistor R6 define a tensão nos diodos zener, próximo ao limite de estabilização. A sensibilidade do sensor do dispositivo de segurança depende da posição do controle deslizante deste resistor.

O fio que liga o sensor de rede ao circuito deve ter o comprimento mínimo.

O dispositivo pode ser alimentado por uma bateria de 12 V. A campainha e a luz de sinalização devem ser classificadas para a mesma voltagem.

Para expandir os recursos operacionais, você pode usar o travamento automático e um relé de tempo para desligá-lo. No entanto, mesmo na forma como o dispositivo é apresentado no diagrama, ele também funciona perfeitamente, ou seja, capaz de proteger de forma confiável as portas de entrada de intrusos.

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A pesquisa intensiva em tecnologias como ReRAM e CeRAM é explicada pelo fato de que a memória flash está se aproximando de sua barreira tecnológica e será muito problemático desenvolver dispositivos usando processos de fabricação inferiores a 10-20 nm. Portanto, a indústria precisa fundamentalmente de novos desenvolvimentos. Quanto à ReRAM, os pesquisadores enfrentam muitas barreiras no desenvolvimento dessa tecnologia. Compreender os processos físicos de formação e destruição dos chamados fios condutores na camada isolante entre os eletrodos superior e inferior na memória ReRAM provou ser difícil e, sem isso, é difícil avançar.

Ao contrário da ReRAM, a CeRAM é uma memória resistiva que usa os mesmos óxidos de metais de transição (TMOs), como o NiO, mas não usa filamentos ou eletroformação. Em vez disso, o CeRAM exibe efeitos quânticos de correlação de posição eletrônica, que é de onde recebe o nome. Na estrutura CeRAM, distingue-se a região ativa TMO, que separa as duas camadas condutoras de TMO, enquanto na ReRAM, o óxido metálico de transição ocupa toda a região entre as camadas metálicas.

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