Parâmetros técnicos de BMT usados em reatores eletrônicos. Esquema, descrição

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Reatores eletrônicos em elementos discretos. Parâmetros técnicos de BMT utilizados em reatores eletrônicos. Fundamentos de circuitos. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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A tecnologia para a produção de eficientes transistores bipolares de potência (BMT) foi desenvolvida há vários anos pela MOTOROLA e recebeu o nome de H2BIP (Transistores bipolares de alto ganho e alta frequência).

Observação. A essência dessa nova tecnologia é que na mesma estrutura de semicondutores, além do BMT principal de alta tensão, são criados um circuito de subsaturação ativo desse transistor e um diodo antiparalelo integrado entre seu coletor e emissor.

Os BMTs criados com esta tecnologia são caracterizados pelas melhores combinações de indicadores estáticos, dinâmicos e de energia entre os transistores bipolares, enquanto eles têm uma dispersão insignificante (não mais que ±0,15 μs) no tempo de dispersão t_s. Dispositivos desta série, como BUL45D2, BUL38D, BUL39D, MJE18004D2 e os populares MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009, são usados com sucesso em reatores eletrônicos (que atualmente são produtos promissores para o mercado de massa).

Os tipos BMT MJE13003, MJE13005, MJE13007, MJE13009 são produzidos por muitos fabricantes, portanto, em vez de MJE, pode haver designações ST, RNE, KSE, HA, MJF, etc.

Na tabela. 3.11 mostra os parâmetros técnicos do BMT mais comumente usados em reatores eletrônicos.

Características do circuito

Uma análise comparativa dos modos das chaves de saída de um reator eletrônico típico, montado de acordo com um circuito de meia ponte e controlando a operação de duas lâmpadas fluorescentes com potência de 36-40 W cada a uma frequência de comutação de 30-50 kHz , mostra que o nível de perdas totais de energia nas teclas ao usar BMT tipo BUL45D2, também , como o MJE13005 da MOTOROLA, é um valor muito pequeno (cerca de 0,5 W por transistor).

Aproximadamente os mesmos indicadores são obtidos ao usar nessas unidades os tipos domésticos de BMT KT8136A e KT8181A fabricados pela OAO ELEKTRONPRIBOR (ZAO FZMT, Fryazino). No caso de uso em tais balastros equivalentes em corrente e tensão

Tabela 3.11. Parâmetros técnicos de BMT usados em reatores eletrônicos

Parâmetros técnicos de BMT usados em reatores eletrônicos. Fundamentos de Circuitos

MOSFET tipo IRF830 ou tipo IGBT "ultra-rápido" IRGB410U de IR, o nível de perda de energia nesses MTs é 1,5-2 vezes maior (0,8-1,0 W por transistor).

O BMT também é visivelmente mais barato que seus protótipos concorrentes, o que é fundamental para obter um pequeno preço final dos reatores eletrônicos, pois eles visam substituir reatores eletromecânicos ineficientes, mas baratos (chokes com starter) atualmente usados na engenharia de iluminação em lâmpadas com LL .

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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