Reatores eletrônicos em elementos discretos. Vantagens. Questões de terminologia. Esquema, descrição

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Reatores para lâmpadas fluorescentes

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Valor

Em reatores eletrônicos baratos, os circuitos de um inversor auto-oscilante de meia ponte (com auto-excitação) implementados em elementos discretos são quase universalmente usados. Dignidade de tais reatores eletrônicos é seu baixo custo. Como interruptores de energia, na maioria das vezes não são de efeito de campo, mas transistores bipolares especiais são usados \uXNUMXb\uXNUMXbaqui (abreviados como BMT - transistores bipolares poderosos).

Problemas de terminologia

Na literatura técnica estrangeira para se referir a transistores de vários tipos as abreviaturas são usadas:

IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada);
MOSFET (transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal);
BJT (Transistor de Junção Bipolar);
BPT (transistor de potência bipolar). Análogos domésticos correspondentes:
IGBT (transistor bipolar de porta isolada);
MY PT (transistores de efeito de campo da estrutura metal-óxido-semicondutor);
BT (transistores bipolares);
BMT (transistores poderosos bipolares).

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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