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Receptor de rádio com transistores de efeito de campo. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Radioamador iniciante

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Numerosas publicações na revista "Radio" sobre receptores de detectores simples e receptores de amplificação direta indicam que o interesse dos radioamadores por esta técnica não desaparece. Mesmo que o VHF FM seja agora vitorioso, os receptores DW-MW AM simples também podem encontrar seu lugar, especialmente para recepção de longo alcance em um momento posterior. A autora do artigo decidiu não ficar de fora e oferece sua própria versão de um receptor de amplificação direta.

O receptor de rádio possui apenas cinco transistores, mas possui uma sensibilidade muito alta e um volume de som alto, desenvolvendo uma potência de 0,5 W em um cabeçote de 8 ohms. O receptor tem um sistema AGC de limite.

Este receptor de alto-falante experimental destina-se principalmente à modernização de alto-falantes de programa único ou para experimentos em casa, na escola ou em círculos de rádio, pois sua maquete pode ser feita em pouco tempo.

O sinal das estações de rádio da faixa LW ou MW é recebido na antena magnética WA1 (Fig. 1), é selecionado por um circuito seletivo composto por uma bobina L1 e um capacitor variável C1, e através do capacitor C2 entra no primeiro estágio do URF, montado em um transistor de efeito de campo VT1. Este estágio tem uma impedância de entrada muito alta e dificilmente desvia o circuito oscilatório, o que torna possível prescindir de uma bobina de acoplamento. O transistor de efeito de campo amplifica bem o sinal em termos de potência, mas não o suficiente em termos de tensão, então o segundo estágio é feito em um transistor bipolar com alto coeficiente de transferência de corrente. Isso permite obter a faixa da amplitude do sinal na entrada do detector em frações de volt.

Receptor de rádio FET
(clique para ampliar)

O detector é montado em diodos de germânio de alta frequência VD1, VD2. Os capacitores C7, C8 filtram a tensão de baixa frequência das ondulações do sinal de alta frequência. Um sistema AGC de limite é feito no diodo VD3 e na cadeia R6C5. Em um nível de sinal alto, o diodo VD3 abre e a tensão negativa, fornecida ao portão VT1 através do resistor R2, fecha este transistor, como resultado do qual o o ganho em cascata diminui.

A tensão de baixa frequência do controle de volume R8 é fornecida ao UZCH, montado nos transistores VT3-VT5. A utilização de um transistor de efeito de campo no estágio de entrada possibilitou a obtenção de um amplificador com alta impedância de entrada e grande ganho de potência e tensão com um circuito bastante simples. Para que o conversor de frequência ultrassônico funcione em uma cabeça dinâmica de baixa resistência, é necessário um seguidor de emissor nos transistores VT4, VT5. Uma pequena tensão de polarização positiva é aplicada à porta VT3 de um resistor sintonizado R12. O resistor R9 define a corrente quiescente dos transistores VT4, VT5. Os diodos de germânio VD4, VD5, fixados com molas nas caixas VT4, VT5, são necessários para a estabilização da temperatura desta corrente.

Para melhorar a seletividade do receptor e aumentar ainda mais a sensibilidade, você pode introduzir um pequeno feedback positivo, conforme mostrado na Fig. 2.

Receptor de rádio FET

A bobina de feedback L2 contém 2 voltas de um fio de montagem fino enrolado na haste da antena magnética WA1. A polaridade da conexão L2 é determinada ao configurar para aumentar o volume de recepção. O capacitor C * é instalado se for necessário reduzir o aumento excessivo do fator de qualidade da antena na parte de alta frequência da faixa.

O receptor usa resistores MLT-0,125, resistores de ajuste - SPZ-386. Resistor variável R8 - qualquer tamanho pequeno, com resistência de 33 ... 100 kOhm, melhor com um interruptor de alimentação. Capacitores não polares usados ​​KM-5, K73-9, K10-17. KPI C1 - qualquer tipo com capacitância máxima de 240 ... 500 pF, de preferência com vernier sem folga e melhor com dielétrico de ar, pois não cria bacalhau durante a reestruturação. Capacitores de óxido - K50-16, K50-35. Os diodos VD1, VD2 podem ser substituídos por 1D507A, D18, D20, VD3 - qualquer um dos silício KD503, KD510, KD521. VD4, VD5 - qualquer uma das séries D2, D9, GD507. O transistor VT1 é desejável para escolher uma tensão de corte baixa para um bom desempenho do AGC. VT2 - qualquer uma das séries KT3102, KT342, KT315, de preferência com uma taxa de transferência de corrente de pelo menos 150. VT3 - qualquer uma das séries KP501. VT4, VT5 - qualquer uma das séries indicadas. Cabeça dinâmica para potência de 1 ... 4 W com resistência de 8 ... 10 Ohms, por exemplo, 1GD-36 ou similar. Para a antena, é adequada uma haste de ferrite de 400NN com um diâmetro de 8 ou 10 mm e um comprimento de 18 ... 25 cm A bobina L1 é enrolada em uma moldura de papelão. Para a faixa MW, contém 55 voltas, para a faixa LW, 150-200 voltas. É desejável enrolar a bobina com LESHO 7x0,07 ou LESHO 21x0,07 litsentrat.

O receptor pode ser montado na placa de circuito impresso mostrada na fig. 3. Para que não seja excitado, as cascatas de RF e o detector devem ser fechados com uma tela metálica de latão fino ou estanho ligada a um fio comum. Depois disso, é permitido reduzir a capacitância do capacitor C2 para 30 pF. Inicialmente, é considerado maior para curto-circuitar um fio comum por meio da interferência L1 da rede. O resistor R12 define a tensão nos emissores VT4, VT5, igual à metade da tensão de alimentação. O resistor R9 regula a corrente quiescente desses transistores (10...12 mA).

Receptor de rádio FET

Os limites dos alcances do receptor são definidos selecionando o número de voltas da bobina L1 e movendo-a ao longo da haste. Ao selecionar os resistores R1 e R3, a tensão no dreno VT1 e no coletor VT2 é ajustada para cerca de 4 V com a bobina L1 fechada.

O receptor pode ser feito de banda dupla (LW e SV) se você enrolar duas bobinas L1 e trocá-las, por exemplo, com o botão P2K.

O receptor é alimentado por uma unidade de rede estabilizada com tensão de 9 V. À noite, na faixa MW, ele recebe muito alto muitas estações de rádio estrangeiras que estão a várias centenas e até milhares de quilômetros do ponto de recepção.

Autor: Zh.Mikheeva, aldeia Ivanishchevo, região de Yaroslavl

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