Relé para ligar os faróis de neblina traseiros. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Automóvel. Dispositivos eletrônicos

Comentários do artigo

O relé, cujo circuito é mostrado na fig. 1 foi projetado para ligar e desligar os faróis de neblina traseiros de um carro de acordo com o algoritmo de acordo com o Regulamento UNECE nº 048.

Os faróis de neblina traseiros são acionados pressionando uma vez o botão de fechamento sem trava conectado entre os pinos 3 ("Comum") e 5 ("On / Off") quando há tensão de alimentação nos pinos 2 ("Faróis de neblina") e / ou 6 ("Médios / Máximos") do conector X1 (ou seja, se os médios ou máximos e/ou faróis de nevoeiro estiverem acesos).

Os faróis de neblina traseiros são desligados pressionando o mesmo botão uma vez ou retirando a tensão de alimentação dos pinos 2 e 6, e no caso de realimentação dos pinos 2 e/ou 6, os faróis de neblina traseiros não acendem.

(clique para ampliar)

Hoje, várias empresas dominam a produção de três modificações de relé: 23.3777 - baseado em um D-flip-flop montado em transistores; no chip K561TM2; 22.3777 - nos microcircuitos K561TM2IK561TL1.

Cada uma das modificações tem suas próprias vantagens e desvantagens. A principal vantagem sobre as duas primeiras opções é a simplicidade, um pequeno número de peças e seu baixo custo. A principal desvantagem do primeiro relé é a baixa estabilidade de temperatura devido ao uso de transistores no D-flip-flop. Essa desvantagem está ausente na segunda versão do relé, no entanto, a presença de uma frente de sinal plana pode levar a uma passagem de corrente do microcircuito, que, por sua vez, durante a operação prolongada do produto, causa sua falha e, consequentemente, todo o relé.

A principal vantagem da terceira versão do relé são as frentes íngremes dos sinais de controle devido ao uso de gatilhos Schmitt, que eliminam a ocorrência de corrente de passagem e, assim, garantem alta estabilidade do dispositivo como um todo. A principal desvantagem é a complexidade, um grande número de elementos e seu alto custo.

Considere a terceira opção de relé com mais detalhes. O dispositivo consiste nas seguintes unidades funcionais: unidade de potência (diodo VD1, diodo zener VD2, resistores R2, R6, capacitores C1, C3); gerador de sinal de controle (acionadores Schmitt DD1.1 - DD1.3, resistores R1, R3, R4, capacitor C2); nó de instalação inicial (elemento DD1.4, resistor R5, capacitor C4); gatilho (elemento DD2.1); interruptor (transistor VT1, diodos VD3, VD4, diodo zener VD5, relé K1, resistor R7).

O nó de energia é um estabilizador de tensão paramétrico que fornece a energia e proteção necessárias para o relé.

O modelador de sinal de controle executa as funções de proteção contra ativação / desativação instável do relé devido ao ressalto dos contatos do botão e da ativação / desativação espontânea do relé devido a interferência no circuito de controle.

O nó de instalação inicial fornece o estado desligado do relé quando a tensão é aplicada ao nó de energia.

O gatilho implementa o algoritmo de operação do dispositivo necessário.

A chave, feita no relé eletromagnético K1, que é controlado pelo transistor VT1, fornece energia aos faróis de neblina traseiros.

Quando a tensão é aplicada aos contatos 1 e 2 e/ou 6 do conector X1, todos os nós do relé recebem energia, mas a chave é desligada, os contatos K1.1 do relé K1 são abertos. Se houver perda de tensão em um desses pinos do conector, o relé desligará os faróis de neblina traseiros que já estão acesos.

Ao pressionar o botão conectado aos pinos 5 e 3 do conector X1, o gatilho muda de estado, o interruptor é acionado e acende os faróis de neblina traseiros. Se você pressionar o botão novamente, o interruptor e, consequentemente, os faróis de neblina traseiros serão desligados.

Os diagramas de temporização da operação do relé são mostrados na fig. 2. Aqui tp é o tempo de alimentação da tensão de alimentação.

Valor estimado - 50 ... 60 ms, determinado pela resistência do resistor R2 e pela capacitância do capacitor C1; tc - tempo de retirada da tensão de alimentação. O valor aproximado é de 0,5 ... 1 s, determinado pela resistência do resistor R6 e pela capacitância do capacitor C1; tdr - tempo de ressalto dos contatos do botão conectado entre os pinos 5 e 3 do conector X1. Valor aproximado - 20...30 ms; Upm - a tensão mínima de alimentação dos microcircuitos K561TL1 e K561TM2. Valor aproximado - 2...3 V; Uv é a tensão de comutação do gatilho Schmitt do microcircuito K561TL1. Valor aproximado - 3,6 - 3,8 V; Uo - desligue o gatilho Schmitt do microcircuito K561TL1. Valor aproximado - 1,8 ... 1,9 V.

O dispositivo usa componentes de montagem a granel e de superfície (resistores e capacitores, exceto para óxido). Resistores e capacitores cerâmicos - tamanho 1206, capacitor de óxido (C1) - alumínio fabricado pela HITANO [1]. Conjunto de diodo de alta tensão KDS111A2 (VD1) e diodo KD243V (VD3) protege o relé da inversão de polaridade da fonte de alimentação e poderosa interferência eletromagnética.

O transistor de efeito de campo KP501V (VT1) é protegido da tensão de auto-indução ao alternar o enrolamento do relé K1 (91.3747 - 10 fabricado pela AVAR OJSC, Pskov) por um diodo de alta tensão KD243V (VD4). Os microcircuitos DD1, DD2 da série K561 [2] são alimentados por um estabilizador paramétrico em um diodo Zener BZX55C5V6 (VD2) da PHILIPS [3]. O diodo Zener BZX55C7V5 (VD5) da PHILIPS protege a saída direta do gatilho DD2.1 de picos de tensão que "penetram" através da capacitância do dreno do transistor VT1.

O relé (Fig. 3) é composto por uma carcaça, uma placa de circuito impresso (Fig. 4), na qual todos os elementos são montados, e um conector de seis pinos para conectar o produto à rede de bordo do veículo (Fig. 5 ).

A placa de circuito impresso é dupla face, de um lado existem elementos para montagem em superfície, do outro - todo o resto.

Literatura

1. Capacitores eletrolíticos de alumínio HITAN. Livro de Dados, 2000.
2. Circuitos integrados e seus análogos estrangeiros. Série K554 - K564. Diretório. Ed. A. V. Nefedova. - M.: Radiooft, 2000.
3. PHILIPS SEMICONDUTORES Série BZX55 Diodos reguladores de tensão. Folha de Dados, 1996.

Autor: D. Matveev, Cheboksary

Veja outros artigos seção Automóvel. Dispositivos eletrônicos.

Leia e escreva útil comentários sobre este artigo.

<< Voltar

Últimas notícias de ciência e tecnologia, nova eletrônica:

Máquina para desbastar flores em jardins 02.05.2024

Na agricultura moderna, o progresso tecnológico está se desenvolvendo com o objetivo de aumentar a eficiência dos processos de cuidado das plantas. A inovadora máquina de desbaste de flores Florix foi apresentada na Itália, projetada para otimizar a etapa de colheita. Esta ferramenta está equipada com braços móveis, permitindo uma fácil adaptação às necessidades do jardim. O operador pode ajustar a velocidade dos fios finos controlando-os a partir da cabine do trator por meio de um joystick. Esta abordagem aumenta significativamente a eficiência do processo de desbaste das flores, proporcionando a possibilidade de adaptação individual às condições específicas do jardim, bem como à variedade e tipo de fruto nele cultivado. Depois de testar a máquina Florix durante dois anos em vários tipos de frutas, os resultados foram muito encorajadores. Agricultores como Filiberto Montanari, que utiliza uma máquina Florix há vários anos, relataram uma redução significativa no tempo e no trabalho necessários para desbastar flores. ... >>

Microscópio infravermelho avançado 02.05.2024

Os microscópios desempenham um papel importante na pesquisa científica, permitindo aos cientistas mergulhar em estruturas e processos invisíveis aos olhos. Porém, vários métodos de microscopia têm suas limitações, e entre elas estava a limitação de resolução ao utilizar a faixa infravermelha. Mas as últimas conquistas dos pesquisadores japoneses da Universidade de Tóquio abrem novas perspectivas para o estudo do micromundo. Cientistas da Universidade de Tóquio revelaram um novo microscópio que irá revolucionar as capacidades da microscopia infravermelha. Este instrumento avançado permite ver as estruturas internas das bactérias vivas com incrível clareza em escala nanométrica. Normalmente, os microscópios de infravermelho médio são limitados pela baixa resolução, mas o desenvolvimento mais recente dos pesquisadores japoneses supera essas limitações. Segundo os cientistas, o microscópio desenvolvido permite criar imagens com resolução de até 120 nanômetros, 30 vezes maior que a resolução dos microscópios tradicionais. ... >>

Armadilha de ar para insetos 01.05.2024

A agricultura é um dos sectores-chave da economia e o controlo de pragas é parte integrante deste processo. Uma equipe de cientistas do Conselho Indiano de Pesquisa Agrícola-Instituto Central de Pesquisa da Batata (ICAR-CPRI), em Shimla, apresentou uma solução inovadora para esse problema: uma armadilha de ar para insetos movida pelo vento. Este dispositivo aborda as deficiências dos métodos tradicionais de controle de pragas, fornecendo dados sobre a população de insetos em tempo real. A armadilha é alimentada inteiramente por energia eólica, o que a torna uma solução ecologicamente correta que não requer energia. Seu design exclusivo permite o monitoramento de insetos nocivos e benéficos, proporcionando uma visão completa da população em qualquer área agrícola. “Ao avaliar as pragas-alvo no momento certo, podemos tomar as medidas necessárias para controlar tanto as pragas como as doenças”, diz Kapil ... >>

Notícias aleatórias do Arquivo MOSFETs de alta tensão para dispositivos de comutação de alta velocidade 12.04.2016 A Toshiba Electronics Europe (TEE), a divisão europeia de eletrônicos da Toshiba Corporation, introduziu uma nova série de MOSFETs de alta velocidade e alta tensão para comutação de reguladores de tensão. Os quatro dispositivos de canal n de 800 V e 900 V apresentam baixa resistência típica de estado ligado (RDS(ON)) até 1,9 ohms. As aplicações-alvo para os novos dispositivos são conversores flyback para iluminação LED, fontes de alimentação auxiliares e outros circuitos que requerem correntes de comutação abaixo de 5A. Os novos MOSFETs de modo de aprimoramento são fabricados usando o processo de fabricação de semicondutores planos Pi-MOS-8 de oitava geração da Toshiba, que combina um alto nível de integração com uma estrutura de célula otimizada. Essa tecnologia reduz a carga e a capacitância do portão sem perder os benefícios do baixo RDS(ON), disse a empresa. A Toshiba prevê esses MOSFETs como uma adição de baixa corrente à série 800V DTMOS IV existente com tecnologia DTMOS4 Super Junction. Os transistores TK3A90E 2,5A e TK5A90E 4,5A têm uma classificação VDSS de 900V e classificações típicas RDS(ON) de 3,7 e 2,5 ohms, respectivamente. Os transistores 4A TK80A4,0E e 5A TK80A5,0E têm uma classificação VDSS de 800V e classificações típicas RDS(ON) de 2,8 e 1,9 ohms, respectivamente. Os novos MOSFETs da Toshiba apresentam uma corrente de fuga máxima ultrabaixa de apenas 10µA (VDS = 60V) e uma faixa de limite de tensão de porta de 2,5 a 4,0V (em VDS = 10V e corrente de dreno de 0,4mA). Todos os dispositivos são enviados em estojos padrão TO-220SIS.

Outras notícias interessantes:

▪ Amplificador de ganho variável

▪ Um buraco negro não pode se tornar mais pesado que 50 bilhões de sóis

▪ A câmara é menor que a espessura de um cabelo humano

▪ Módulos de fonte de alimentação tipo SPM

▪ Dois cogumelos no chocolate

Feed de notícias de ciência e tecnologia, nova eletrônica

Materiais interessantes da Biblioteca Técnica Gratuita:

▪ seção do site Parâmetros de componentes de rádio. Seleção de artigos

▪ artigo Na pomada. expressão popular

▪ artigo Os cães podem ver cores? Resposta detalhada

▪ artigo Laurel nobre. Lendas, cultivo, métodos de aplicação

▪ artigo Periodicidade e normas de ensaios elétricos de equipamentos de proteção. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

▪ artigo Dois desenhos da banda de 430 MHz. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

Deixe seu comentário neste artigo:

Todos os idiomas desta página

Arabic	Hebrew	Polish
Bengali	Hindi	Portuguese
Chinese	Italian	Spanish
English	Japanese	Turkish
French	Korean	Ukrainian
German	Malay	Vietnamese

Página principal | Biblioteca | Artigos | Mapa do Site | Revisões do site

www.diagrama.com.ua
2000-2024