Aranha escavadora de mão. Desenho, descrição

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Escavador de mão Aranha. Dicas para o dono da casa

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A escavadeira manual "aranha" é uma boa ajuda no jardim na hora de colher batatas, transplantar mudas e até cavar valas. Aumenta acentuadamente - uma vez e meia a duas vezes - aumenta a produtividade do trabalho, pois captura o solo não de um lado, como uma pá, mas de dois, e facilmente libera os tubérculos do solo e os traz para a superfície.

A escavadeira é montada a partir de dois garfos convencionais, conectados de forma articulada a uma barra de metal horizontal. Apenas as alças foram substituídas por alças feitas de tubos de aço de paredes finas. As alças são soldadas nos porta-garfos e dobradas para que durante a operação se cruzem sem se tocarem.

Sob os suportes, duas alças são soldadas aos garfos, entre as quais existem alças de barra transversal. Este último é feito de uma tira de aço com seção de 50x5 mm e é conectado às orelhas com eixos de dobradiça - parafusos M10.

Aranha escavadora manual
Projeto de aranha: 1 - garfos, 2 - barra transversal, 3 - orelhas nos garfos, 4 - eixos de dobradiça, 5 - alças tubulares

Eles usam a “aranha” assim. Cruzando os braços, estenda o forcado e coloque-o sobre o arbusto de batata. Pisando na travessa e juntando aos poucos os cabos, eles mergulham os garfos (as pontas se movem em arco próximo ao raio de curvatura dos dentes) no solo. Não ocorre deslocamento do solo e os tubérculos não são feridos. (Anteriormente, 12-15 dias antes do início da colheita, as copas são cortadas, os tubérculos amadurecem e a casca se forma, as copas secam e não atrapalham o trabalho.)

Mas agora as alças são reunidas, a escavadeira é levantada. Se a terra estiver solta, ela escorre pelos dentes e as batatas ficarão na superfície; se pesado, molhado, os dentes perfuram, sacudindo a "aranha" de um lado para o outro, isso facilita a captura do mato.

Quando é necessário transplantar alguma planta, o solo ao seu redor é umedecido para que a bola de terra dentro do forcado não se desfaça e não danifique o sistema radicular da planta. Com a mesma "aranha" a muda é transferida para um novo local preparado para ela.

As valas podem ser cavadas da mesma maneira. Suas bordas são bastante lisas, geralmente não é necessário processamento adicional.

Autor: I.Shamotov

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Os quatro dispositivos de canal n de 800 V e 900 V apresentam baixa resistência típica de estado ligado (RDS(ON)) até 1,9 ohms. As aplicações-alvo para os novos dispositivos são conversores flyback para iluminação LED, fontes de alimentação auxiliares e outros circuitos que requerem correntes de comutação abaixo de 5A.

Os novos MOSFETs de modo de aprimoramento são fabricados usando o processo de fabricação de semicondutores planos Pi-MOS-8 de oitava geração da Toshiba, que combina um alto nível de integração com uma estrutura de célula otimizada. Essa tecnologia reduz a carga e a capacitância do portão sem perder os benefícios do baixo RDS(ON), disse a empresa.

A Toshiba prevê esses MOSFETs como uma adição de baixa corrente à série 800V DTMOS IV existente com tecnologia DTMOS4 Super Junction. Os transistores TK3A90E 2,5A e TK5A90E 4,5A têm uma classificação VDSS de 900V e classificações típicas RDS(ON) de 3,7 e 2,5 ohms, respectivamente. Os transistores 4A TK80A4,0E e 5A TK80A5,0E têm uma classificação VDSS de 800V e classificações típicas RDS(ON) de 2,8 e 1,9 ohms, respectivamente.

Os novos MOSFETs da Toshiba apresentam uma corrente de fuga máxima ultrabaixa de apenas 10µA (VDS = 60V) e uma faixa de limite de tensão de porta de 2,5 a 4,0V (em VDS = 10V e corrente de dreno de 0,4mA). Todos os dispositivos são enviados em estojos padrão TO-220SIS.

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