Como o ataque alemão à URSS está relacionado com as escavações da tumba de Tamerlão? Resposta detalhada

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Como o ataque alemão à URSS está relacionado com as escavações da tumba de Tamerlão? Resposta detalhada

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Como o ataque alemão à URSS está relacionado com as escavações da tumba de Tamerlão?

Em 21 de junho de 1941, um grupo de cientistas soviéticos abriu o túmulo de Tamerlão em Samarcanda. Existem várias lendas sobre as profecias associadas a isso, que não estão documentadas. Segundo um deles, na própria lápide havia uma inscrição sobre a proibição de autópsia e punição para quem descumprir a proibição. Outra história fala de três anciãos que avisaram a expedição que se a tumba de Tamerlão fosse desenterrada, uma guerra começaria. Como você sabe, em 22 de junho, a Alemanha nazista atacou a URSS. No entanto, a proximidade desses eventos não passa de uma coincidência, pois o plano de ataque foi aprovado por Hitler muito antes de junho de 1941.

Autores: Jimmy Wales, Larry Sanger

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Por que os chimpanzés machos preferem as fêmeas mais velhas às mais jovens?

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O uso da memória 3D V-NAND permitirá que você crie um SSD de 10 TB 30.11.2014

A memória flash 3D V-NAND já provou seu valor: não apenas oferece mais capacidade de armazenamento do que os chips MLC tradicionais, mas também é altamente confiável, ao contrário do infame TLC. Parece que o 3D V-NAND está prestes a fazer um avanço no campo de unidades de estado sólido acessíveis com volumes comparáveis à última geração de HDDs tradicionais. Estamos falando de capacidades de 10 terabytes e acima.

Esta é exatamente a iniciativa apresentada pela Intel Corporation. Em uma recente reunião com investidores da Intel, foi anunciado que no segundo semestre de 2015, a joint venture Intel-Micron Flash Technologies iniciará a produção em massa de chips multicamadas de 256 Gb e 384 Gb.

Neste último caso, serão utilizadas células de três níveis. A estrutura tridimensional dos novos chips 3D-NAND terá 32 camadas de chips conectadas usando uma matriz de estruturas verticais especiais semelhantes ao TSV tradicional (via silício). O surgimento de chips de memória flash com essa capacidade abrirá caminho para a criação de unidades de estado sólido de um volume enorme que simplesmente não está disponível hoje. Rob Crooke, vice-presidente da divisão de memória não volátil da Intel, acredita que os SSDs baseados na nova tecnologia podem ultrapassar 10 terabytes nos próximos dois anos. Em comparação, a SanDisk, que queria criar um SSD de 4 terabytes baseado em tecnologias tradicionais de avião, teve que usar 64 chips eMLC de 512 gigabits (64 GB) monstruosamente caros, cada um dos quais transportando quatro matrizes de 128 gigabits em um pacote. Esses chips são fabricados usando um processo de fabricação fino de última geração, o que aumenta seu custo, mas não agrega confiabilidade.

Mas os chips Intel-Micron "tridimensionais" com capacidade de 256 e 384 gigabits (32 e 48 GB, respectivamente) usarão processos técnicos maiores e muito mais baratos e, ao mesmo tempo, mais confiáveis. Infelizmente, a Intel ainda não fala sobre que tipo de tecnologia de processo está em questão. Mas já existem protótipos funcionais de SSDs baseados em chips "256D" de 128Gb, e um deles foi demonstrado no evento mencionado. Deve-se notar que a Samsung também está produzindo ativamente memória flash "tridimensional": seus chips de 24 gigabits têm 32 ou 42 camadas e usam padrões tecnológicos extraordinariamente grandes para os padrões atuais - 86 nanômetros. A "capacidade aparente" desses microcircuitos é de 256 Gbit; A Samsung parece estar jogando pelo seguro, querendo evitar problemas hipotéticos com a nova tecnologia a todo custo. Nesse contexto, o projeto Intel-Micron, que começa imediatamente com uma capacidade de XNUMX gigabits, parece muito mais ambicioso, mas o custo do produto final com essa abordagem será visivelmente menor. E, claro, os usuários comuns também se beneficiarão disso.

Mas mesmo que os novos chips da Intel tenham uma melhor relação preço/capacidade, a capacidade da aliança Intel-Micron de fabricá-los ainda não nos permite falar sobre um impacto sério no mercado de NAND. De acordo com ChinaFlashMarket.com, a fábrica da aliança IMFT pode produzir cerca de 70 wafers de 300 mm por mês, e esse número inclui diferentes tipos de memória. O uso das fábricas IMFS e MTV poderia produzir outros 80 a 40 wafers de 300mm por mês, mas isso não é nada comparado à capacidade da Samsung. Apenas uma das fábricas da gigante sul-coreana, construída especialmente para a produção de novos tipos de memória flash, é capaz de produzir 100 wafers por mês, enquanto o restante das instalações de produção da Samsung, adequadas para o mesmo fim, pode fornecer mais de 400 bolachas no mesmo período de tempo.

Em outras palavras, os novos chips de memória flash multicamada da Intel podem não revolucionar todo o mercado de SSDs, mas tornarão os modelos de alta capacidade mais acessíveis aos usuários e permitirão que a empresa fortaleça significativamente sua posição nesse setor de microeletrônica. Espera-se que as divisões NAND e SSD da Intel tenham uma receita combinada de aproximadamente US$ 2014 bilhões em 2, e a introdução de novos chips multicamadas de 256 Gigabits aumentará esse número nos próximos anos.

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