Toda doação é boa. Significado, origem, exemplos do uso de unidades fraseológicas

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Todo presente é bom

Bíblia
Bíblia

Fraseologismo: Toda doação é boa.

Significado: Toda boa ação, por menor que seja, pode ser creditada à pessoa que a fez - pouco é melhor que nada.

Origem: Da Bíblia. Novo Testamento, Epístola do Apóstolo Tiago (1:17).

Fraseologia aleatória:

Na pomada.

Significado:

O caso está próximo de uma implementação bem-sucedida, de uma conclusão bem-sucedida.

Origem:

Originalmente, a expressão era aplicada a vagões e, em geral, a tais ferramentas ou veículos que eram lubrificados antes da viagem. "Sobre o unguento" significava em sentido figurado "irá partir em breve, já preparado para a partida e em movimento, pronto para se mover, para viajar". qua Alemão "fertig" - "pronto", ascendendo ao verbo "fahren" - "ir".

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A Toshiba Electronics Europe (TEE) anunciou a criação de um novo diodo DF5G7M2N, projetado para proteção contra descargas eletrostáticas.

O diodo DF5G7M2N é projetado para equipamentos conectados a linhas de dados e é capaz de proteger interfaces USB 3.1, HDMI, DisplayPort e Thunderbolt de alta velocidade da eletricidade estática. Além disso, pode ser usado para proteção eletrostática de pequenos dispositivos portáteis, como smartphones e tablets.

Os efeitos da eletricidade estática em linhas de dados de alta velocidade podem levar a vários problemas, incluindo eficiência e confiabilidade reduzidas na transmissão de dados. O novo diodo ESD garante operação estável e confiabilidade de linhas sensíveis à tensão.

O diodo é colocado em um encapsulamento DFN5 com dimensões de 1,3 x 0,8 mm e ocupa metade da área da placa de circuito impresso em relação aos análogos. O DF5G7M2N simplifica o layout do PCB, por isso é adequado para projetos de alta densidade.

Além disso, o novo diodo de proteção ESD da Toshiba possui baixa capacitância e baixa resistência dinâmica (CT = 0,2 pF, RDYN = 1 ohm). Também evita a degradação do sinal (perda de inserção) reduzindo a capacitância (|S21|2 = -1,3 dB a 10 GHz) e pode resistir a ESD até +8 kV.

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