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PALAVRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLÓGICAS
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Palavras aladas, unidades fraseológicas. Significado, história de origem, exemplos de uso

Palavras aladas, unidades fraseológicas

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Eles querem mostrar seus conhecimentos

Tchekhov A. P.
Tchekhov A. P.

Fraseologismo: Eles querem mostrar seus conhecimentos.

Significado: Sobre o comportamento das pessoas que procuram demonstrar sua educação, erudição, erudição (brincadeiramente irônico).

Origem: Do vaudeville "Casamento" (1890) de Anton Pavlovich Chekhov (1860-1904). O telegrafista convidado para a celebração começa a falar sobre as vantagens da iluminação elétrica, mas o pai da noiva o interrompe, observando que isso é “apenas uma farsa”, e a iluminação precisa de fogo “natural, não mental”. Ele é apoiado pelos noivos, que resumem: "Eles querem mostrar sua educação e sempre falam do incompreensível".

Fraseologia aleatória:

Poeira de eras.

Significado:

Traços, sinais de antiguidade, sinais, evidências do passado.

Origem:

Da tragédia "Boris Godunov" (1824-1825) de A. S. Pushkin (1799-1837). Estas palavras são ditas pelo monge cronista Pimen, referindo-se a outro cronista que o substituirá: "E, sacudindo das cartas a poeira dos séculos, // Reescreverá as histórias verdadeiras."

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Memória giratória STT-MRAM 23.01.2015

A memória de rotação STT-MRAM está livre de deficiências de memória flash como confiabilidade e durabilidade relativamente baixas, bem como consumo de energia relativamente alto ao gravar dados. É visto como um substituto para memória flash e DRAM

A agência de Cingapura A*STAR (Agência de Ciência, Tecnologia e Pesquisa) representada pelo DSI (Data Storage Institute) e Micron Technology anunciou a continuação do desenvolvimento conjunto de memória magnética de acesso aleatório, que usa o efeito de transferência de torque de rotação magnética aleatória memória de acesso, STT-MRAM). O acordo de cooperação original de três anos, assinado no outono de 2011, foi prorrogado por mais três anos.

Os recursos A*STAR DSI e a experiência do instituto em STT-MRAM ajudaram a Micron a estabelecer um centro de pesquisa em Cingapura. Na fase inicial da cooperação, o instituto também compartilhou a experiência necessária para a fabricação bem sucedida de chips STT-MRAM.

Com base na experiência bem-sucedida de trabalhar juntos, os parceiros pretendem se concentrar no desenvolvimento de um mecanismo de comutação de baixa potência e na melhoria do desempenho do STT-MRAM na nova fase. As partes esperam que a cooperação aproxime a nova tecnologia de memória das aplicações comerciais.

Lembre-se de que a memória STT-MRAM está livre de deficiências da memória flash como confiabilidade e durabilidade relativamente baixas, bem como consumo de energia relativamente alto ao gravar dados. Possui uma combinação de qualidades que permite que seja considerado um substituto para a memória flash e a memória de acesso aleatório (DRAM).

Micron e A*STAR não são os únicos a desenvolver STT-MRAM. Há dois anos, os especialistas da Toshiba conseguiram criar um elemento de memória STT-MRAM com o menor consumo de energia do mundo e, no início de outubro deste ano, a TDK apresentou protótipos de chips de memória STT-MRAM com densidade de 8 Mbps. Na primavera do ano passado, o IMEC e a Globalfoundries anunciaram a expansão da cooperação no desenvolvimento da memória STT-MRAM.

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