A gravidez e o parto alteram o cérebro da mulher. Notícias gratuitas da biblioteca técnica

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Gravidez e parto mudam o cérebro de uma mulher

26.12.2016

Cientistas da Universidade Autônoma de Barcelona (Espanha) mostraram como a estrutura do cérebro de uma mulher muda durante a gravidez. Descobriu-se também que as mudanças persistem por dois anos após o nascimento de uma criança - talvez mais.

Os autores do trabalho, usando ressonância magnética, compararam a estrutura cerebral de 25 mulheres antes e depois da primeira gravidez. Como controles, exames cerebrais também foram feitos por seus parceiros do sexo masculino, bem como por outras 20 mulheres que não estavam grávidas e seus parceiros.

Entre os resultados do estudo, foi registrada uma redução durante a gravidez da substância cinzenta do cérebro no córtex frontal medial e posterior, bem como em certas áreas do córtex pré-frontal e temporal em mulheres grávidas. Os cientistas acreditam que esta é uma imagem de adaptação à futura maternidade. “Essas mudanças podem refletir, pelo menos em parte, o mecanismo de poda sináptica que também é característico da adolescência – sinapses fracas desaparecem, dando lugar a conexões neurais mais eficientes e especializadas”, explicou Elseline Hoekzema, uma das autoras do trabalho.

Os pesquisadores mostraram que a contração da massa cinzenta afetou áreas do cérebro que estavam ativas durante a neuroimagem funcional, durante a qual as mães recebiam fotos de seus bebês. Segundo os cientistas, essas zonas estão associadas a processos envolvidos na cognição social e na autoconsciência.

Os pesquisadores não observaram nenhuma alteração na memória ou outras funções durante a gravidez, portanto, a perda de massa cinzenta não implica em nenhum comprometimento cognitivo, mas apenas fala de processos adaptativos reais.

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Energia do espaço para Starship 08.05.2024

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MDmesh K5 - novos MOSFETs de 900V da STMicroelectronics 21.11.2017

A STMicroelectronics expandiu sua família K5 de MOSFETs de potência com uma nova versão de 900V. Ao usar transistores MDmesh K900 de 5V, o conversor de energia da rede pode ser mais confiável do que, por exemplo, MOSFETs de 650 - 800V.

Os novos transistores têm o menor Rds (on) entre os análogos nos pacotes TO-247 (99 mΩ) e DPAK (810 mΩ). Ao mesmo tempo, foi possível reduzir a carga de porta dos transistores, o que possibilita obter maior eficiência e operar em frequências de chaveamento mais altas.

Os novos MOSFETs reduziram significativamente a capacitância de entrada e saída, permitindo que os dispositivos sejam usados em circuitos ZVS (Zero voltage switching). Outra característica da série é o alto nível da tensão limite para ligar o transistor, como resultado do qual o nível de interferência eletromagnética do sistema é reduzido. A alta resistência a avalanche dos novos MOSFETs K5 é um fator importante no teste de imunidade transitória de microssegundos do dispositivo final.

MOSFET MDmesh K5 estão disponíveis em uma ampla gama de pacotes com impedância de canal de 99 mΩ a 2.1 Ω.

Características dos transistores MDmesh K5:

- valores baixos de Rds (on) em alta tensão dreno-fonte;
- a capacidade de trabalhar em altas frequências de comutação;
- resistência à avalanche;
- Proteção do obturador ESD;
- uma ampla gama de dispositivos em vários casos.

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