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Molécula cruzada com luz à temperatura ambiente

29.06.2016

Uma equipe de cientistas de várias instituições, liderada pela Universidade de Cambridge, conseguiu criar um estado quântico – metade luz e metade molécula – à temperatura ambiente. Esse é o estudo fundamental dos processos quânticos, necessário para entender melhor como funciona a fotossíntese e até mesmo encontrar formas de manipular as propriedades físicas e químicas da matéria.

Quando uma molécula emite um fóton, ou seja, um quantum de luz, ela não volta sozinha. Mas os cientistas conseguiram isso artificialmente. Eles colocaram moléculas individuais em uma cavidade nanométrica e forçaram o fóton, que realmente não voou, a retornar à molécula. Descobriu-se que a energia voou para frente e para trás entre a luz e a molécula, conectando os dois objetos.

Tentativas anteriores de misturar moléculas com luz encontraram dificuldades, e os cientistas só conseguiram fazê-lo em temperaturas muito baixas.

Para trabalhar com moléculas individuais, os cientistas criaram cavidades de um nanômetro que capturavam a luz. As cavidades eram "poços" entre as nanopartículas de ouro e o espelho. Moléculas de corante colorido foram colocadas dentro dos poços.

Um problema separado era o posicionamento correto das moléculas de corante. Eles preferiam ficar deitados no ouro, e os cientistas precisavam colocá-los para cima. Essa dificuldade foi superada desta forma: eles encerraram o corante em gaiolas moleculares vazias em forma de barril chamadas cucurbiturilas, que mantinham as moléculas do corante na posição reta desejada.

Ao conectar a estrutura, o espectro de espalhamento molecular foi dividido em dois estados quânticos separados, o que indicou que foi obtida uma mistura de uma molécula e um fóton. Um fóton leva menos de um trilionésimo de segundo para retornar à molécula. Assim, os cientistas mostraram que uma forte adesão de luz e matéria é possível para uma molécula, mesmo com uma grande absorção de luz no metal e à temperatura ambiente.

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A ameaça dos detritos espaciais ao campo magnético da Terra 01.05.2024

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Solidificação de substâncias a granel 30.04.2024

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O transistor TK1R5R04PB é classificado em 40V, 160A e tem uma resistência máxima de 1,5mΩ (VGS = 10V). A tensão limite mínima e máxima nominal (Vth) são 2V e 3V, respectivamente.

Os transistores TK1R5R04PB são fabricados usando o processo de processamento de wafer UMOS IX-H da Toshiba. A tecnologia de processo UMOS IX-H fornece supressão de oscilação de comutação e ajuda a reduzir o nível de interferência eletromagnética durante a operação do dispositivo.

O novo dispositivo destina-se ao uso em bombas automotivas, ventiladores, conversores DC-DC e interruptores de carga. O TK1R5R04PB atenderá aos requisitos da certificação de componentes automotivos AEC-Q101.

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