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Impressora 3D Ricoh AM S5500P

24.11.2015

A Ricoh, um dos principais fornecedores mundiais de equipamentos de impressão, introduziu uma impressora 3D de produção própria, destinada ao segmento industrial. Talvez no futuro veremos modelos para uso doméstico.

A Ricoh aderiu à tendência global e também lançou as impressoras 5500D. O modelo apresentado Ricoh AM SXNUMXP é uma impressora industrial, construída com base na tecnologia aditiva SLS, que permite criar objetos complexos de alta resistência como resultado da sinterização a laser de pó de polímero.

A impressora 3D Ricoh pode trabalhar com nylon e polipropileno, que são amplamente utilizados na produção industrial moderna, incluindo a indústria automotiva. Devido à grande área do campo de trabalho, que é de 55x55x50 cm, o Ricoh AM S5500P é capaz de criar simultaneamente vários objetos diferentes e produzir peças grandes rapidamente.

O fabricante não pretende parar no lançamento de um modelo e no futuro vai expandir a gama de produtos oferecidos na área de impressão 3D. Talvez estejamos esperando o surgimento de impressoras para uso doméstico, que no momento são de grande interesse entre os usuários comuns.

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Teor alcoólico da cerveja quente 07.05.2024

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Material para criar um cérebro artificial 15.06.2021

Os cientistas encontraram uma oportunidade para criar uma sinapse artificial para resolver problemas semelhantes ao processo de pensamento humano. Hoje, muitas opções são oferecidas para isso, e uma das mais promissoras é a ferroelétrica. A memória FeRAM é produzida nesses materiais há 20 anos, e um novo estudo mostra como fazer elementos de memória de espessura atômica e se aproximar de cálculos neuromórficos no tamanho de um processador.

Na memória FeRAM comercialmente disponível, o elemento de comutação é geralmente feito de uma piezocerâmica, ou seja, titanato de zirconato de chumbo (PZT). A propriedade do material de manter a polarização mesmo após a remoção de um sinal de controle externo - um campo eletromagnético - confere à memória FeRAM sua propriedade mais importante de independência energética. Ele retém dados mesmo quando a energia está desligada. Para imitar o trabalho do cérebro - isso é extremamente importante. Mas em sua forma atual, a célula FeRAM é muito grande e o "cérebro" com seu uso será muito, muito grande.

Para a fabricação de sinapses artificiais, as estruturas de filme fino com alguns átomos de espessura são convenientes - isso dará pequenas dimensões, alta densidade e baixo consumo de energia. Descobriu-se que o material ferroelétrico bastante promissor para sinapses artificiais de filme fino é o óxido de háfnio (HfO2). Este material é perfeitamente depositado a partir de um meio gasoso usando métodos modernos para criar estruturas de filme fino com alta precisão e controle confiável. As temperaturas dos processos de fabricação do filme são compatíveis com a tecnologia de processo CMOS e não queimarão os elementos do chip durante o processo de fabricação do chip.

Um certo problema era que as propriedades ferroelétricas do HfO2 são relativamente instáveis, mas a adição de zircônio (Zr) a ele resolveu esse problema. Assim, o composto de óxido de háfnio-zircônio (HZO) provou ser um dos fortes candidatos para fabricação de memória usando ferroelétricos e promete revolucionar a computação de memória.

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