Amplificadores de potência de banda larga em transistores de efeito de campo. Esquema, descrição

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Amplificadores de potência de banda larga em transistores de efeito de campo. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Amplificador de potência com neutralização da capacitância de passagem do transistor

Um amplificador de terminação única deste tipo só pode operar na classe A. Seu desempenho energético é semelhante ao dos amplificadores de transformador de terminação única de baixa frequência. O valor de eficiência típico geralmente não excede 35...40% (ao mesmo tempo, distorções não lineares, causadas principalmente pelo segundo harmônico, são bastante perceptíveis). O amplificador baseado no transistor VMP1 em Uc=24 V fornece Pout=4 W em Ku=15 dB e a banda de frequência amplificada de 2 a 150 MHz.

Fig.1 (clique para ampliar)

T1 é enrolado com uma torção de dois fios com diâmetro de 0.3 mm e contém 4 voltas. Tipo de núcleo F625-BQ2. Você pode usar um anel RF doméstico com baixa permeabilidade magnética.

Amplificador de potência com circuito de feedback negativo paralelo

Esta versão do amplificador sem transformador de entrada e sem neutralização da capacitância SZS possui metade da largura de banda.

Amplificadores de potência de banda larga baseados em transistores de efeito de campo
Figura.2

Várias variantes de tais amplificadores (dependendo do projeto dos transformadores e dos transistores usados) fornecem ganho Ku=12...30 dB na banda de frequência de até 300 MHz com um fator de ruído de 3...5 dB.

Amplificador de potência de banda larga push-pull

Uma melhoria significativa nos parâmetros de energia do PA de banda larga só é possível quando se utilizam cascatas push-pull operando no modo classe AB. Esta versão do circuito é mostrada na Fig.3. Em K=15 dB na banda 2...100 MHz, fornece Рout=8 W. A impedância de entrada e saída do amplificador é de 50 ohms.

Amplificadores de potência de banda larga baseados em transistores de efeito de campo
Figura.3

Capacitores Cn são usados para neutralização. Os desenvolvedores deste amplificador recomendam reduzir a indutância parasita do resistor R2 conectando quatro ou cinco resistores maiores em paralelo. Pelo contrário, para reduzir a capacitância parasita dos resistores R1 e R4, é aconselhável fazê-los na forma de vários resistores conectados em série de menor valor nominal.

Os transformadores são feitos de forma semelhante ao circuito da Fig. 1 (torção de 3 fios - 4 voltas). O tipo de transistores de efeito de campo não é fornecido no artigo (acho que você pode usar transistores do tipo KP901).

Literaturaа

1. Revista EDN, 20 de junho de 1974, p.71-75.
2. Circuitos de dispositivos baseados em poderosos transistores de efeito de campo. Diretório. Ed. V.P. Dyakonova.

Publicação: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

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