Potentes transistores de micro-ondas Philips Semiconductors. Data de referência

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Transistores de microondas são usados ​​em muitas áreas da atividade humana: transmissores de televisão e rádio, repetidores, radares civis e militares, estações base de um sistema de comunicação celular, aviônicos, etc.

Nos últimos anos, tem havido uma tendência notável na transição da tecnologia bipolar para a produção de transistores de micro-ondas para as tecnologias VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) e LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). A tecnologia LDMOS mais avançada possui os melhores recursos, como linearidade, ganho, desempenho térmico, tolerância de incompatibilidade, alta eficiência, margem de dissipação de energia, confiabilidade. Os transistores Philips têm repetibilidade lote a lote excepcional, e a Philips se orgulha disso. Ao substituir os transistores com falha, você não precisa se preocupar com o processo de configuração do equipamento novamente, pois todos os parâmetros dos transistores são absolutamente idênticos. Nenhum dos concorrentes da Philips pode se gabar disso.

Todos os novos desenvolvimentos da Philips são baseados na nova e moderna tecnologia LDMOS.

Transistores para estações base celulares

Além dos transistores embalados em estojos, a Philips produz módulos integrados.

Características distintivas dos módulos integrados:

• Tecnologia LDMOS (soldagem direta no dissipador, linearidade, maior ganho), o menor distorção,
• menos aquecimento do semicondutor devido ao uso de um flange de cobre, o compensação de compensação de temperatura integrada,
• entradas/saídas de 50 ohms,
• amplificação linear,
• suporte para muitos padrões (EDGE, CDMA).

Soluções recomendadas para o padrão GSM: a 800 MHz: BGF844 + BLF1049 a 900 MHz: BGF944 + BLF1049 a 1800 MHz: BGF1801-10 + BLF1820-10 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-10

Soluções recomendadas para o padrão CDMA: a 800 MHz: BGF802-20 + BLF0810-180 a 1900 MHz: BGF1901-10 + BLF1820-90

Soluções recomendadas para o padrão EDGE:

BGF0810-90

• potência de saída: 40W,
• ganho: 16 dB,
• Eficiência: 37%,
• ACPR de atenuação de potência do canal adjacente: -60dB,
• Amplitude do vetor de erro EVM: 2%.

BLF1820-90

• potência de saída: 40W,
• ganho: 12 dB,
• Eficiência: 32%,
• ACPR de atenuação de potência do canal adjacente: -60dB,
• Amplitude do vetor de erro EVM: 2%.

Transistores para emissoras

Nos últimos 25 anos, a Philips manteve sua liderança neste campo. A utilização dos mais recentes avanços na tecnologia LDMOS (BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx, series) permite-lhe reforçar constantemente a sua posição no mercado. Um exemplo é o enorme sucesso do transistor BLF861 para transmissores de TV. Ao contrário dos transistores concorrentes, o BLF861 provou ser um elemento altamente confiável e altamente estável, protegido contra falhas quando a antena é desconectada. Nenhum dos concorrentes conseguiu chegar perto das características do BLF861 em termos de estabilidade. Podemos citar as principais áreas de aplicação desses transistores: transmissores para frequências de HF a 800 MHz, estações de rádio privadas PMR (TETRA), transmissores VHF para fins civis e militares.

Tabela 5. Transistores de radar de banda L e S

 

Tabela 6. Transistores de aviônicos

As principais características do transistor BLF861A

• Transistor push-pull (amplificador push-pull),
• potência de saída acima de 150 w,
• ganho acima de 13 dB,
• Eficiência acima de 50%,
• cobre a faixa de 470 a 860 MHz (bandas IV e V),
• confiável, resistente à incompatibilidade,
• resistente à desconexão da antena,
• é o padrão da indústria em transmissores de TV atualmente.

Novo modelo de transistor BLF647

• projetado com base em BLF861A,
• grande ganho de 16 dB a 600 MHz,
• potência de saída de até 150 W,
• cobre a faixa de 1,5 a 800 MHz,
• confiável, resistente à incompatibilidade,
• resistente à desconexão da antena,
• possui um resistor embutido que permite trabalhar nas frequências HF e VHF,
• Transistor push-pull (amplificador push-pull).

Transistor BLF872

• está sendo desenvolvido como um substituto mais poderoso para o BLF861A,
• início da produção 1º trimestre de 2004,
• potência de saída de até 250 W,
• o transistor mais confiável em termos de resistência à incompatibilidade,
• mantém a linearidade,
• mantém a confiabilidade
• deslocamento atual Idq inferior a 10% por 20 anos,
• ganhar mais de 14 dB,
• cobre a faixa de 470 a 860 MHz.

Transistores para radar e aviônicos

Os novos transistores Philips para radar e aviônicos também são fabricados com tecnologia LDMOS de última geração. Os cristais feitos com a tecnologia LDMOS aquecem menos, são mais confiáveis, têm maior amplificação e não necessitam de isolante entre o substrato e o dissipador de calor. Assim, menos transistores são necessários para alcançar o mesmo desempenho, melhorando ainda mais a confiabilidade e reduzindo o custo do produto.

Novos desenvolvimentos:

BLA0912-250

• banda de 960 a 1250 MHz (todas as principais frequências de aviônicos),
• alto ganho de até 13 dB,
• confiabilidade, resistência à incompatibilidade de fase 5:1,
• linearidade,
• amostras estarão disponíveis a partir de junho de 2003.

BLS2934-100

• banda de 2,9 a 3,4 GHz (todas as principais frequências de aviônicos),
• uso de uma carcaça não pressurizada padrão,
• amostras estarão disponíveis até o final de 2003.

Para resumir, a Philips está se movendo com os tempos e oferecendo transistores que permitem novos dispositivos com recursos mais avançados: tamanho menor, maior potência, menos componentes de tubulação e menor custo do produto final.

Autor: Vladimir Zakharov, zww@gamma.spb.ru; Publicação: cxem.net

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