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ENCICLOPÉDIA DE RÁDIO ELETRÔNICA E ENGENHARIA ELÉTRICA
Biblioteca gratuita / Esquemas de dispositivos radioeletrônicos e elétricos

Transistores KP313 -3P330. Data de referência

Biblioteca técnica gratuita

Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Materiais de referência

 Comentários do artigo

tipo S1-S2/EU(U)
msym/mA(V)		 I01-I02 / U
mA/V		 I/U
nA/V		 C11
pF		 C12
pF		 C22
pF		 Fw/F
dB/GHz		 Uzi/Is(U0)
V/mA(V)		 Uzs
В		 Uzi
В		 Usi
В		 Ic
mA		 P
MW		 tipo Kahn tsok
KP313A
KP313B
KP313V		 4.5-10.5/5
4.5-10.5/5
4.5-10.5/5		 10/10
10/10
10/10		 7
7
7		 0.9
0.9
0.9		 6.5 / .25 +0.4-+1.5/5
-0.6-+0.6/5
-1.5-0.4 / 5		 15
15
15		 10
10
10		 15
15
15		 15
15
15		 120
120
120		 TIR
TIR
TIR		 N
N
N		 16
16
16
KP314A 4.0-/(10) 2.5-20/10 0.1/10 6 2 30 30 25 20 200 PN N 1
KPS315A
KPS315B		 2.8- /5
1.0-5.0/5		 1.0-20.0
1.0-20.0		 0.25/5
1/5		 8
8		 (1.0-5.0)
(0.4-2.0)		 30
30		 30
30		 25
25		 300
300		 PN
PN		 N
N		 17
17
2PS316A1
2PS316B1
2PS316V1
2PS316G1
2PS316D1
2PS316E1
2PS316Zh1
2PS316I1		 0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3
0.5- /0.3		 0.1/5
1/5
1/5
1/5
0.5/5
1/5
1/5
1/5		 6
6
6
6
6
6
6
6		 2
2
2
2
2
2
2
2		 (0.3-2.0)
(0.3-2.0)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0)
(0.3-2.2)
(0.3-2.2)
(1.3-4.0)
(2.5-6.0)		 25
25
25
25
25
25
25
25		 25
25
25
25
25
25
25
25		 25
25
25
25
25
25
25
25		 60
60
60
60
60
60
60
60		 PN
PN
PN
PN
PN
PN
PN
PN		 N
N
N
N
N
N
N
N		 37
37
37
37
37
37
37
37
3P320A-2
3P320B-2		 5-16/10
5-16/10		 20 uA
20 uA		 0.18
0.18		 0.15
0.15		 0.18
0.18		 4.5/8
6/8		 8
8		 5
5		 4
4		 80
80		 Tomada
Tomada		 N
N		 21
21
3P321A-2 5-25/8 1000 / 3.5/8 (1.5-4.5) 4 3 3 30 Tomada N 22
KP322A 4-6.3/(10) 5.0-24.0/10 10/10 6 0.2 6/0.25 (2.5-12.0) 25 20 20 40 200 PN N 18
KP323A-2
KP323B-2		 4-5.8/(10)
4-5.8/(10)		 3-12.0/10
3-12.0/10		 0.1/10
1/10		 4
4		 1.2
1.2		 (-6)
(-6)		 25
25		 25
25		 20
20		 12
5		 100
100		 PN
PN		 N
N		 19
19
3P324A-2
3P324B-2		 5-10 / 10
5-10 / 10		 20 µA
20 µA		 3.5/12
5/12		 9
9		 5
5		 4
4		 60
60		 Tomada
Tomada		 N
N		 20
20
3P325A-2 8- /10 30-100/3 1 µA 2/8 (2.0-4.5) 5 3.5 2.5 25 Tomada N 20
3P326A-2
3P326B-2		 8-16 / 8
8-16 / 8		 25-70/2.5
25-70/2.5		 5 µA
5 µA		 4.5/17
5.5/17		 (1.0-4.5)
(1.0-4.5)		 5.5
5.5		 4
4		 2.5
2.5		 30
30		 Tomada
Tomada		 N
N		 23
23
KP327A
KP327B
KP327V
KP327G		 9.5- /10
9.5- /10
9.5- /10
9.5- /10		 0.5-17.0/10
0.5-17.0/10
-17.0/10
-17.0/10		 50/5
50/5
50/5
50/5		 2.3
3.0
2.5
3.6		 0.04
0.04
0.04
0.04		 1.3
2.0
1.6
3.0		 3.9/0.8
2.8/0.2
4.5/0.8
3.0/0.2		 16
16
16
16		 5
5
5
5		 14
14
14
14		 30
30
30
30		 200
200
200
200		 TIR
TIR
TIR
TIR		 N
N
N
N		 35
35
35
35
3P328A-2 28- /8 1000 / 3.5/8 (-4) 6 4 6 50 Tomada N 24
KP329A
KP329B		 3-/(10)
1-/(10)		 1/10
0.1/30		 6
6		 (1.5-)
(-4)		 50
40		 45
35		 50
40		 250
250		 PN
PN		 N
N		 36
36
3P330A-2
3P330B-2
3P330V-2		 5- /10
5- /10
5- /10		 -50/2
-50/2
-50/2		 1000 /
1000 /
1000 /		 6/25
4.5/25
3.5/17		 (1.5-4.5)
(1.5-4.5)
(1.5-4.5)		 6
6
6		 4
4
4		 3
3
3		 30
30
30		 Tomada
Tomada
Tomada		 N
N
N		 23
23
23

Publicação: cxem.net

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MDmesh K5 - novos MOSFETs de 900V da STMicroelectronics 21.11.2017

A STMicroelectronics expandiu sua família K5 de MOSFETs de potência com uma nova versão de 900V. Ao usar transistores MDmesh K900 de 5V, o conversor de energia da rede pode ser mais confiável do que, por exemplo, MOSFETs de 650 - 800V.

Os novos transistores têm o menor Rds (on) entre os análogos nos pacotes TO-247 (99 mΩ) e DPAK (810 mΩ). Ao mesmo tempo, foi possível reduzir a carga de porta dos transistores, o que possibilita obter maior eficiência e operar em frequências de chaveamento mais altas.

Os novos MOSFETs reduziram significativamente a capacitância de entrada e saída, permitindo que os dispositivos sejam usados ​​em circuitos ZVS (Zero voltage switching). Outra característica da série é o alto nível da tensão limite para ligar o transistor, como resultado do qual o nível de interferência eletromagnética do sistema é reduzido. A alta resistência a avalanche dos novos MOSFETs K5 é um fator importante no teste de imunidade transitória de microssegundos do dispositivo final.

MOSFET MDmesh K5 estão disponíveis em uma ampla gama de pacotes com impedância de canal de 99 mΩ a 2.1 Ω.

Características dos transistores MDmesh K5:

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