Transistores IRF510 - IRF540S. Data de referência
Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Materiais de referência
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modelo |
A empresa |
Usi, V |
Ic, A |
Psi, W |
S,mA/V |
Copus |
tipo |
IRF510 |
IR |
100 |
5.6 |
43.0 |
1300 |
TO220AB |
canal N |
IRF510S |
IR |
100 |
5.6 |
43.0 |
1300 |
SMD220 |
canal N |
IRF511 |
HARR |
80 |
5.6 |
43.0 |
1300 |
TO220AB |
canal N |
IRF520 |
ST |
100 |
8.0 |
40.0 |
2700 |
TO220AB |
canal N |
IRF520 |
IR |
100 |
8.0 |
40.0 |
2700 |
TO220AB |
canal N |
IRF520N |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF5210 |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF5210S |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
MOT |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
TO220AB |
canal N |
IRF530 |
IR |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
TO220AB |
canal N |
IRF530 |
ST |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
TO220AB |
canal N |
IRF530 |
SAM |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
TO220AB |
canal N |
IRF530N |
IR |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
TO220AB |
canal N |
IRF530NS |
IR |
|
|
|
|
|
|
IRF530S |
IR |
100 |
14.0 |
88.0 |
5100 |
SMD220 |
canal N |
IRF540 |
SAM |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540 |
SIL |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540 |
HARR |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540 |
ST |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540 |
IR |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540 |
MOT |
100 |
28.0 |
150.0 |
8700 |
TO220AB |
canal N |
IRF540N |
IR |
100 |
28.0 |
150.0 |
|
TO220AB |
canal N |
IRF540N |
HARR |
100 |
28.0 |
150.0 |
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TO220AB |
canal N |
IRF540S |
IR |
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Publicação: cxem.net
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Uma pilha HBM2E pode ter até oito matrizes de 16 Gb conectadas usando a tecnologia TSV (Through Silicon Via), para que a capacidade máxima de memória atinja 16 GB. Isso é o dobro do que no caso da memória HBM2.
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