Transistores potentes complementares da série KT8115, KT8116. Data de referência

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Transistores potentes complementares da série KT8115, KT8116. Data de referência

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Os transistores compostos de silício de alta potência KT8115A - KTV115V (estruturas p-n-p) e KT8116A - KT8116V (n-p-n), fabricados com tecnologia epitaxial-planar, destinam-se à operação nos estágios finais de amplificadores 3Ch, em conversores de tensão e outros equipamentos de ampla gama formulários. Os dispositivos são alojados em uma caixa plástica KT-28 (TO-220) com cabos estanhados rígidos e estampados (Fig. 1). O peso do dispositivo não ultrapassa 2,5 g.

Transistores de potência complementares da série KT8115, KT8116

Análogos estrangeiros: KT8115A - TIP127, KT8115B - TIP126, KT8115B - TIP125, KT8116A - TIP122, KT8116B - TIP121, KT8116B - TIP120.

Principais características em Tacr.av = 25°C

Tensão limite coletor-emissor, V, não inferior, com uma corrente de coletor de 100 mA e corrente de base zero para KT8115A, KT8116A......100
KT8115B, KT8116B......80
KT8115V, KT8116V......60
Corrente reversa do coletor, mA, não mais, na tensão máxima da base do coletor e corrente zero do emissor......0,2
Corrente reversa coletor-emissor, mA, não mais, para KT8115A, KT8116A (na tensão coletor-emissor 50 V), KT8115B, KT8116B (40 V), KT8115V, KT8116V (30 V) .....0.5
Corrente reversa do emissor, mA, não mais, a uma tensão base-emissor de 5 V e corrente de coletor zero......2
Coeficiente de transferência de corrente de base estática, não inferior, a uma tensão coletor-emissor de 3 V e uma corrente de emissor de 0,5 A e FOR......1000
Tensão de saturação coletor-emissor, V, não mais, com corrente de coletor de 3 A e corrente de base de 12 mA......2
5 A e 20 mA respectivamente......4
Tensão de saturação base-emissor, V, não mais, com corrente de coletor de 3 A e corrente de base de 12 mA...... 2,5
Módulo de coeficiente de transferência de corrente de base, não inferior, a uma tensão coletor-emissor de 4 V, corrente de coletor de 3 A e frequência de 1 MHz.....4
Invólucro de transição de resistência térmica, °С/W, max......1,92

Valores limite

Maior tensão de base do coletor, V, para KT8115A, KT8116A......100
KT8115B, KT8116B.....80
KT8115V, KT8116V......60
Tensão coletor-emissor mais alta, V, para KT8115A, KT8116A.....100
KT8115B, KT8116B......80
KT8115V, KT8116V......60
A maior tensão de base do emissor, V ...... 5
A corrente de coletor CC mais alta, A ...... 5
A corrente de coletor de impulso mais alta, A ...... 8
A corrente contínua mais alta da base, A ...... 0,12
A maior dissipação de potência constante do coletor, W, com dissipador de calor......65
A temperatura de transição mais alta, ° С ...... 150
Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -60...+125

O valor permitido do potencial estático é 2000 V (grau VI de dureza conforme OST 11073.062). O uso de transistores não é permitido nos valores limites de dois ou mais parâmetros. Para aumentar a confiabilidade, recomenda-se operar dispositivos com valores de parâmetros não superiores a 70% dos valores máximos permitidos.

Ao instalar transistores em um dispositivo energizado, o terminal da base deve ser soldado primeiro e, quando desmontado, desconectado por último. Não é recomendado operar transistores em uma corrente operacional comparável à corrente reversa não controlada das transições em toda a faixa de temperatura operacional.

Não é permitida mais do que uma única flexão dos cabos. O ponto de curvatura não deve estar a menos de 5 mm do corpo, o raio de curvatura deve ser de pelo menos 1,5 mm. Durante a flexão, é necessário tomar medidas para evitar a transferência de força para o corpo.

Na Fig. A Figura 2 mostra uma dependência típica do coeficiente de transferência de corrente estática da base do transistor, e a Fig. 3 - dependências típicas da tensão de saturação coletor-emissor e base-emissor na corrente do coletor.

Transistores de potência complementares da série KT8115, KT8116

Quando a temperatura do corpo do transistor aumenta acima de +25°C, a potência dissipada pelo coletor deve ser reduzida de acordo com a curva mostrada na Fig. 4.

Transistores de potência complementares da série KT8115, KT8116

Arroz. 5 define a área de operação segura dos transistores nos modos estático e pulsado.

Transistores de potência complementares da série KT8115, KT8116

Autor: V.Kiselev, Minsk

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