Fotodiodos de silício modernos. Data de referência

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 Comentários do artigo

Este artigo apresenta as características de todos os fotodiodos (exceto dispositivos para fins especiais) atualmente produzidos por empresas russas.

Lembremos que um fotodiodo pode operar em dois modos - fotogerador e fotodiodo. No primeiro deles, quando iluminado, o dispositivo gera um fotoEMF, como uma célula solar, e no segundo, que é mais utilizado, é aplicada uma pequena tensão de fechamento (reversa) e ele funciona como um elemento, o corrente através da qual depende da intensidade da radiação recebida e depende pouco da tensão aplicada.

Nos desenhos, em todos os lugares a letra a (ânodo) denota a saída da região p, e a letra k (cátodo) - da região da junção n-p-n. A tensão operacional (reversa) é aplicada ao fotodiodo e ao cátodo.

KDF101A

Os fotodiodos KDF101A de estrutura pn são alojados em uma caixa plástica semicilíndrica com cabos estanhados rígidos (Fig. 1).

O elemento fotossensível com dimensões de 4,5x3,2 mm está localizado na lateral do plano frontal do corpo. O terminal alargado próximo à caixa é conectado ao ânodo do fotodiodo. O peso do dispositivo não ultrapassa 0,25 g.

Os fotodiodos são projetados para funcionar em sistemas de controle remoto de videocassetes e TVs.

• Fotocorrente, µA, não menos, com iluminação de 0,5 mW/cm2 em comprimento de onda de 0,87 µm e tensão reversa de 5 V......20
• Corrente escura, nA, não mais, na tensão reversa 10V......30
• Área de fotossensibilidade espectral, µm....0,7...1,1
• Tempo de subida e descida do pulso de fotocorrente, μs, não mais, com fotocorrente de 25 μA e resistência de carga de 1,1 kOhm......0,35
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 10
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+70

KDF103A

Os fotodiodos KDF103A de estrutura de pino com sensibilidade seletiva à radiação IR são alojados em uma caixa retangular de plástico com três terminais planos e estanhados (Fig. 2).

A área do elemento fotossensível é 10,24 mm2. O peso do dispositivo não ultrapassa 0,5 g.

O ânodo do fotodiodo está conectado ao pino 2, e o cátodo está conectado aos pinos 1 e 3, conectados entre si.

Os fotodiodos destinam-se ao uso em sistemas de controle remoto para videocassetes e outros equipamentos eletrônicos domésticos.

• Fotossensibilidade atual, A/W, não inferior, para radiação com distribuição espectral máxima em comprimento de onda de 0,9 μm e tensão reversa de 10 V......0,25
• Fotocorrente, mA, não menos, em um nível de iluminação de 100 mW/cm2 com um máximo da distribuição espectral em um comprimento de onda de 0,9 µm e uma tensão reversa de 10 V......2,5
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 10 V e uma temperatura ambiente de +25 °C......0,01
• +85°С......15
• Região de fotossensibilidade espectral, µm. . 0,76...0,96
• Ângulo do padrão de diretividade no nível de 0,5, graus.....±45
• Tensão operacional constante mais alta (reversa), V, à temperatura ambiente + 35°C......150
• + 85°C......50
• Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -45 ... +85

Na Fig. A Figura 3 mostra a dependência da capacitância C do diodo (doravante, a zona de 95% de dispersão tecnológica está sombreada nos gráficos; a natureza indicada desta dependência é típica para outros tipos de fotodiodos descritos neste artigo, portanto estes gráficos são omitido a seguir).

Arroz. 4 representa o espectro de fotossensibilidade do fotodiodo KDF103A (aqui S_{eu outro} igual à razão entre a fotossensibilidade atual e seu valor máximo).

KDF105A

Os fotodiodos KDF105A com junção pn, sensíveis à parte ultravioleta do espectro, são alojados em uma caixa de disco de metal-vidro com terminais isolados flexíveis (Fig. 5).

A área do elemento fotossensível é 33 mm2. O peso do dispositivo não ultrapassa 3,5 g.

Os fotodiodos destinam-se à medição de iluminação e dosagem de energia em equipamentos fotométricos e tecnológicos. Eles podem operar nos modos fotodiodo e fotogerador.

O terminal do cátodo está marcado com um ponto preto na caixa.

• Fotossensibilidade atual, A/W, não inferior, a uma tensão reversa de 10 V à radiação no máximo de fotossensibilidade espectral......0,32
• em um comprimento de onda de 0,254 µm......0,065
• Resistência diferencial, MOm......80
• Tempo de subida do pulso de fotocorrente, μs, não mais, com resistência de carga de 10 kOhm......0,1
• 1 kOhm......2
• Capacitância do fotodiodo, pF, máx....... 900
• Região de fotossensibilidade espectral, µm......0,22 ...1,06
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 10
• Iluminação máxima de trabalho, mW/cm2......2
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+50

Na Fig. A Figura 6 mostra as características espectrais monocromáticas da fotossensibilidade dos fotodiodos KDF105A.

KDF110A

Os fotodiodos KDF110A de estrutura p-n com área de elemento fotossensível de 9 mm2 estão alojados em uma caixa plástica retangular com quatro terminais rígidos estanhados estampados (Fig. 7).

O pino 1 está conectado ao ânodo, os pinos 3 e 4 estão conectados ao cátodo; 2 - grátis. O peso do dispositivo é superior a 0,13 g.

Os fotodiodos destinam-se ao uso em equipamentos médicos e outros equipamentos fotoeletrônicos.

• Fotocorrente, µA, nada menos, com iluminação de 1 mW/cm2 com distribuição espectral máxima em comprimento de onda de 0,87 µm e tensão reversa de 5 V......35
• Fotossensibilidade de corrente monocromática, A/W, não inferior, com tensão reversa de 5 V e irradiação com comprimento de onda de 0,93 μm......0,5
• 0,66 µm......0,3
• Coeficiente de temperatura da fotossensibilidade atual, %/°С, não superior a......0,5
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 10 V e uma temperatura ambiente de +25 °C......0,1
• +55°С......10
• Tempo de subida (queda) do sinal de fotoresposta, μs, não mais, com tensão reversa de 10 V e resistência de carga de 1 kOhm......1
• Caixa de saída de resistência de isolamento, MΩ, não inferior a ...... 100
• Capacitância do fotodiodo, pF, não mais, na tensão reversa 3 V......75
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 15
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-10...+55

Uma característica espectral típica de fotossensibilidade em unidades relativas de fotodiodos KDF110A é mostrada na Fig. 8.

КДФ111А- КДФ111В, КДФ111А1-КДФ111В1

Os fotodiodos com fotossensibilidade espectral seletiva KDF111A, KDF111B, KDF111V possuem uma estrutura de pinos e KDF111A1, KDF111B1, KDF111V1 possuem uma estrutura p-n. O elemento fotossensível dos aparelhos é quadrado, medindo 3x3 mm.

Eles estão alojados em uma caixa de plástico em forma de lágrima com cabos estanhados rígidos e estampados (Fig. 9).

A entrada de radiação ocorre do lado da lente, ao longo do eixo óptico. O terminal catódico está marcado com um ponto colorido na caixa. O tipo de dispositivo está indicado na embalagem do grupo. A massa do fotodiodo não ultrapassa 0,5 g.

Projetado para uso em sistemas de controle remoto para equipamentos domésticos e industriais.

• Fotocorrente, µA, não menos, com iluminação de 100 µW/cm2 com distribuição espectral máxima em comprimento de onda de 0,85 µm e tensão reversa de 2,5 V para KDF111A......5
• valor típico ...... 6,5
• KDF111B......7
• valor típico ...... 9
• KDF111V......9
• valor típico ...... 10
• Fotossensibilidade atual, A/W, não inferior, à radiação com distribuição espectral máxima em um comprimento de onda de 0,85 µm a uma tensão reversa de 2,5 V para KDF111A1......0,3
• KDF111B1......0,5
• KDF111V1......0,6
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 5 V e uma temperatura ambiente de 25 °C ou menos......0,1
• valor típico ...... 0,01
• +55 °C para KDF111A......1
• КДФ111А1 - КДФ111В1......5
• +85 °C para KDF111B, KDF111V......10
• Faixa de fotossensibilidade espectral, mícrons, para KDF111A-KDF111V .0,76...0,96 KDF111A1-KDF111B1.....0,7...1
• Capacidade do fotodiodo, pF, não mais, a uma frequência de 1 MHz para KDF111A (a uma tensão reversa de 5 V).......70
• KDF111B, KDF111V (2,5).......120
• Tempo de subida (queda) da fotocorrente, μs, não mais, quando irradiada com uma distribuição espectral máxima em um comprimento de onda de 0,85 μm, tensão reversa 5 V e resistência de carga 51 Ohm para KDF111A1, KDF111B1......0,1
• KDF111V1......0,7
• Ângulo de padrão direcional no nível de 0,5, graus, para KDF111A1-KDF111V1......±40
• A tensão operacional constante (reversa) mais alta, V, para KDF111A, KDF111A1 - KDF111V1......7
• KDF111B, KDF111V......12
• A maior dissipação de potência, mW, para KDF111 A-KDF111V......10
• Iluminação máxima de trabalho, mW/cm2......25
• Faixa operacional de temperatura ambiente, °C, para KDF111A, KDF111A1- KDF111B1......-25...+55
• KDF111B, KDF111V .....-60...+85

Na Fig. A Figura 10 mostra as dependências típicas da temperatura da tensão operacional máxima (reversa).

As características espectrais dos fotodiodos KDF111A-KDF111 V.KDF111A1-KDF111B1 são mostradas na Fig. onze.

KDF115-A, KDF115-AZ, KDF115-A5

Os fotodiodos KDF115-A, KDF115-AZ, KDF115-A5 com junção p-n são feitos com base em silício de alta resistividade. Os dispositivos são alojados em uma caixa plástica com lente - KDF115-A (Fig. 12, a) - e com filtro óptico embutido para aumentar a proteção contra radiação na parte visível do espectro - KDF115-AZ e KDF115- A5 (Fig. 12,b). Ambas as opções possuem terminais estampados, duros e estanhados.

Para dispositivos KDF115-A, o terminal catódico é alongado e para KDF115-AZ, KDF115-A5 é alargado na base. A massa do fotodiodo KDF 115-A é de 0,24 ge o restante é de 0,4 G. A entrada de radiação para KDF 115-A é do lado da lente ao longo do eixo óptico, e para KDF115-AZ e KDF115-A5 - da extremidade oposta aos terminais.

Os fotodiodos são projetados para funcionar em sistemas de controle remoto de equipamentos, bem como como sensores em dispositivos de automação, iluminação e alarme.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, nada menos, a uma tensão reversa de 5 V e uma resistência de carga de 100 Ohms para KDF115-A......0,03
• valor típico ...... 0,042
• KDF115-AZ......0,04
• valor típico .....0,056
• KDF115-A5......0,09
• valor típico ...... 0,11
• Corrente escura, nA, não mais, a uma tensão reversa de 5 V a uma temperatura ambiente de +25 °C para KDF115-A......1
• valor típico ...... 0,1
• valor típico à temperatura ambiente +70°С ...20
• KDF115-AZ, KDF 115-A5......100
• valor típico ...... 10
• valor típico à temperatura ambiente +70°C. .1000 Constante de tempo do fotodetector, μs, não mais.......0,5
• Faixa de fotossensibilidade espectral, mícrons, para KDF115-A......0,4.-1,12
• КДФ 115-АЗ, КДФ115-А5......0,71.-1,12
• Capacidade do diodo, pF, a uma tensão reversa de 5 V para KDF115-A......2,2
• KDF115-AZ, KDF115-A5 .....60
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima da fotossensibilidade, mícrons......0,85
• Ângulo do padrão direcional no nível 0,5, graus, para KDF115-A......±5
• KDF 115-AZ......±62
• KDF115-A5......±42
• A tensão operacional constante (reversa) mais alta, V, para KDF115-A, KDF115-A5......50
• KDF115-AZ......30
• Faixa de operação da temperatura ambiente, °С....-60...+70

Na Fig. A Figura 13 mostra dependências típicas da fotossensibilidade atual dos fotodiodos na tensão operacional (reversa).

As características espectrais típicas dos fotodiodos KDF115-A, KDF115-AZ e KDF115-A5 são mostradas na Fig. 14.

KDF118A

Os fotodiodos KDF118A de estrutura p-n com fotossensibilidade seletiva à radiação IR possuem dimensões de elemento fotossensível de 5,6x3,4 mm. Estão alojados em uma caixa plástica com cinco terminais estanhados rígidos e estampados (Fig. 15).

Os pinos 1 e 2 estão conectados ao ânodo e 4 ao cátodo; Saída de tela - 5, saída 3 - gratuita. O peso do dispositivo não ultrapassa 0,8 g.

Os dispositivos destinam-se a sistemas de controle remoto de equipamentos domésticos e econômicos nacionais.

• Fotocorrente, µA, não menos, com iluminação de 1 mW/cm2 com um máximo da distribuição espectral em um comprimento de onda de 0,87 µm e uma tensão operacional (reversa) de 10 V......100
• Corrente escura, nA, não mais, a uma tensão reversa de 10 V e uma temperatura ambiente de +25 °C......100
• +55°С......230
• Tempo de subida (decaimento) do sinal de fotorresposta, μs, não mais, quando irradiado em um comprimento de onda de 0,87 μm, tensão reversa 10 V e resistência de carga 1 kOhm......1
• Capacitância do fotodiodo, pF, não mais, na tensão reversa 3 V......160
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 15
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+55

Na Fig. A Figura 16 mostra as características espectrais da fotossensibilidade do fotodiodo KDF118A.

COF119A, COF119B

Os fotodiodos KOF119A, KOF119B com junção pn possuem uma área de elemento fotossensível de 40 mm2. Eles são projetados para funcionar em sistemas de controle remoto e em máquinas de contar dinheiro. Eles estão alojados em uma caixa plástica retangular com terminais estanhados rígidos estampados (Fig. 17). Peso - não mais que 0,8 g.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, nada menos, na tensão de operação (reversa) 3 V......0,17
• Corrente escura, μA, não mais, em uma tensão de operação (reversa) de 3 V ...... 0,5
• Iluminação nominal durante as medições, lx......1000
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,87...0,96
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 10
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-10...+60

COF120A, COF120B; COF121A, COF121B

Os fotodiodos da estrutura p-n KOF120A, KOF120B, KOF121A, KOF121B possuem uma área de elemento fotossensível de 68 mm2 (para KOF120A, KOF120B) e 35 mm2 (KOF121A, KOF121B).

Os dispositivos são produzidos em caixa plástica com cabos estanhados rígidos estampados (KOF120A, KOF120B - Fig. 18,a; K0F121A, K0F121B - Fig. 18,b). Peso - não superior a 3 G. O terminal catódico é alargado na base.

A principal área de aplicação são sensores fotossensíveis em dispositivos de controle remoto para equipamentos eletrônicos.

• Fotossensibilidade atual, μA/lx, não menos, em uma tensão operacional (reversa) de 3 V para KOF120A, KOF120B......0,32
• KOF121A, KOF121B......0,2
• Corrente escura, µA, não mais, em uma tensão operacional (reversa) de 3 V para KOF120A, KOF120B......1
• valor típico ...... 0,5
• KOF121A, KOF121B......0,1
• valor típico ...... 0,05
• Iluminação nominal, lx......1000
• Comprimento de onda da fotossensibilidade espectral máxima, µm......0,87...0,96
• A tensão operacional constante (reversa) mais alta, V, para KOF120A, KOF120B......15
• KOF121A, KOF121B......12
• Faixa de operação da temperatura ambiente, °С -10...+60

COF122A, COF122B

Os fotodiodos da estrutura pn KOF122A, KOF122B com área de elemento fotossensível de 86 mm2 são alojados em uma caixa plástica cilíndrica com terminais estanhados rígidos estampados (Fig. 19), o terminal do cátodo é alongado. Peso - não mais que 4 g.

Projetado para uso em sistemas de controle remoto e outros dispositivos fotoeletrônicos.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, não inferior, na tensão operacional (reversa) de 12 V, para KOF122A......0,45
• KOF122B......0,3
• Corrente escura, μA, não mais, em uma tensão de operação (reversa) de 12 V ...... 0,5
• Iluminação nominal (durante medições), lux......1000
• Constante de tempo do fotodetector, µs, não mais......1
• Capacitância do fotodiodo, pF, não mais, na tensão de operação (reversa) 12 V......600
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,75...0,85
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 30
• Iluminação máxima de trabalho, lux ...... 1100
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+75

FD-7K gr.A, FD-7K gr.B, FD-24K, FD-24-01

Fotodiodos FD-7K gr.A e gr. B, FD-24K e FD-24-01 possuem um elemento fotossensível redondo com diâmetro de 10 mm. O dispositivo está alojado em uma caixa cilíndrica de metal-vidro com janela de entrada plana, os terminais são estanhados rígidos estampados (Fig. 20).

Marcado com pontos coloridos no corpo no terminal catódico. FD-7K gr. A é marcado com um ponto preto, FD-7K gr.B - um vermelho, FD-24K - um preto, FD-24-01 - dois pretos, mas os dois últimos são marcados adicionalmente no corpo com seus nomes abreviados - “ 24K” e “24 -01”. O peso do dispositivo não ultrapassa 10 g.

Os fotodiodos são amplamente utilizados na automação fotoeletrônica.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, não inferior, a uma tensão operacional (reversa) de 27 V e iluminação de 1000 lx para FD-7K gr. A, FD-7K gr. B .....0,56
• FD-24K ...... 0,47
• FD-24-01......0,15
• Corrente escura, µA, não mais, em uma tensão operacional (reversa) de 27 V para FD-7Kgr.A, FD-7Kgr.B......5
• FD-24K, FD-24-01......2,5
• Tensão de ruído, µV/Hz 0,5, não mais, em uma tensão operacional (reversa) de 27 V para FD-7K gr.A na ausência de radiação.....0,61
• com radiação com uma iluminação de 1000 lux ...... 4,2
• Constante de tempo do fotodetector, µs, não mais......10
• Capacitância do fotodiodo, pf, não mais, na tensão de operação (reversa) 27 V......600
• Faixa de fotossensibilidade espectral, µm.....0,4...1,1 Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm, para FD-7Kgr.A, FD-7Kgr.B .0,82...0,86
• ФД-24К, ФД-24-01.....0,75.-0,85
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 30
• Iluminação máxima de trabalho, lx......1100
• Iluminação máxima de curto prazo (não mais de 2 min), lx......11 000
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+75

Na fig. 21, aeb mostram características espectrais típicas de fotodiodos.

FD-8K gr. 1690, FD-8K gr. 1691

Os fotodiodos FD-8K gr.1690 e FD-8K gr.1691 p-n de estrutura com elemento fotossensível medindo 2x2 mm são emoldurados em uma caixa de metal-vidro com cabos flexíveis estanhados isolados (Fig. 22); peso - não mais que 1 g.

Os dispositivos são marcados com listras coloridas no corpo, FD-8K gr.1690 - um e FD-8K gr.1691 - dois. Os primeiros são projetados para operar no modo fotodiodo e os últimos - no modo fotogerador. O FD-8K gr.1690 possui um cabo catódico estendido e o AUFD-8Kgr.1691 possui um cabo anódico estendido.

Os dispositivos são amplamente utilizados na automação fotoeletrônica.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, não inferior, com iluminação de 1500 lx e tensão operacional nominal para FD-8K gr.1690......6-10^-3
• FD-8K gr.1691......4,2-10^-3
• Tensão nominal de operação (reversa), V, para FD-8K gr.1690......20
• FD-8K gr.1691......0
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 20 V e uma temperatura ambiente de +25 °C para FD-8K gr.1690......1
• FD-8K gr.1691......3*
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 20 V e uma temperatura ambiente de +85 °C para FD-8K gr.1690......2
• FD-8Kgr. 1691......7*
• Tempo de subida do sinal de fotoresposta, μs, não mais, para FD-8K gr.1690......7,5
• FD-8K gr.1691......12
• Área de fotossensibilidade espectral, µm.....0,5...1,12
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,85...0,92
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V, para FD-8K gr.1690......30
• Iluminação máxima de trabalho, lx......2000
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+85

* Valores de referência.

FD-263, FD-263-01

Os fotodiodos FD-263, FD-263-01 estrutura p-n possuem um elemento fotossensível medindo 3x3 mm.

Os dispositivos FD-263 são alojados em uma caixa de metal-vidro com janela de entrada plana e cabos rígidos de fio estanhado, e os FD-263-01 são alojados em uma caixa de plástico com uma janela em forma de lente esférica e estanho rígido estampado. condutores (Fig. 23, a e b, respectivamente). O peso do FD-263 não é superior a 3 ge o do FD-263-01 é de 2 g.

O terminal catódico do dispositivo FD-263 é marcado com um ponto preto no corpo, enquanto o do FD-263-01 é alongado. O fotodiodo FD-263 foi projetado para operar no modo fotogerador e FD-263-01 - no modo fotodiodo.

Os dispositivos são amplamente utilizados em diversas montagens e dispositivos fotoeletrônicos.

• Fotossensibilidade de corrente integral, µA/lx, não inferior, a uma tensão reversa de 12 V para FD-263......0,18*
• FD-263-01......0,12
• Tensão operacional nominal, V, para FD-263......0
• FD-263-01......12
• Corrente escura, nA, não mais, com tensão reversa de 12 V para FD-263......5*
• FD-263-01......100
• Constante de tempo do fotodetector, μs, não mais... .0,02 Região de fotossensibilidade espectral, µm.....0,4... 1,1
• A tensão operacional (reversa) constante mais alta, V ...... 30
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-50...+50

* Valores de referência.

ФД-265А, ФД-265-01А, ФД-265-02А,ФД-265Б, ФД-265-01Б

Os fotodiodos FD-265A, FD-265-01A, FD-265-02A, FD-265B, FD-265-01B estrutura p-n têm uma área de elemento fotossensível de cerca de 2 mm2, e em FD-265A e FD- 265B é redondo com diâmetro de 1,37 mm e o restante tem tamanho quadrado de 1,4x1,4 mm.

Os fotodiodos FD-265A e FD-265B são emoldurados em uma caixa de metal-vidro, os demais estão em uma caixa de plástico, e para FD-265-01A e FD-265-01B a caixa no lado receptor de radiação é feita no formato de uma lente (Fig. 24, a - c) Conclusões FD-265A, FD-265B, FD-265-01A e FD-265-01B possuem fios estanhados duros, e FD-265-02A possuem fios estanhados rígidos estampados. Peso - não mais que 1 g.

Alguns dos fotodiodos FD-265-02A foram fabricados em um invólucro feito de material polimérico preto. Tais dispositivos têm características ligeiramente diferentes e a região de fotossensibilidade espectral é deslocada para comprimentos de onda mais longos.

Dispositivos com a letra B no nome são marcados com um ponto preto no corpo. Esses fotodiodos são projetados para operar no modo fotogerador, mas também podem ser usados ​​no modo fotodiodo se a tensão de operação (reversa) não exceder 4 V. Dispositivos com índice A devem operar no modo fotodiodo.

Projetado para uso em equipamentos eletrônicos de vídeo e áudio.

• Fotossensibilidade atual, μA/lx, não inferior, na tensão nominal de operação (reversa) para FD-265A......0,75-10-2
• ФД-265-01А, ФД-265-01Б......2·10^-2
• FD-265B......0,6 10^-2
• ФД-265-02А......4·10-2
• FD-265-02A preto......3,5 10^-2
• Tensão nominal de operação (reversa), V, para FD-265A......4
• ФД-265-01А, ФД-265-02А......5
• FD-265B, FD-265-01B......0
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão reversa de 12 V e uma temperatura ambiente de +25°C para FD-265A......0,1
• FD-265B, FD-265-01B......1*
• FD-265-01A,
• FD-265-02A......5 10^-3
• FD-265-02A preto......З0·10^-3
• Corrente escura, µA, não mais em uma tensão reversa de 12 V e uma temperatura ambiente de +85°C para FD-265A......2
• FD-265B, FD-265-01B......6*
• ФД-265-01А, ФД-265-02А......1
• FD-265-02A preto......2
• Constante de tempo do fotodetector, μs, não mais, para FD-265A, FD-265-01A, FD-265-02A......0,05
• FD-265B, FD-265-01B......5
• Área de fotossensibilidade espectral, µm....0,4...1,2
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,75...0,9
• Ângulo do padrão de diretividade no nível de 0,5, graus, não menos......±36
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 100
• Iluminação máxima de trabalho, lx......2000
• A maior iluminação de curto prazo (dentro de 200 horas), lux ...... 45 000
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+85

* Valores de referência.

Na Fig. 25a mostra as características espectrais da fotossensibilidade dos fotodiodos da série FD-265, e na Fig. 25, b - fotodiodo FD-265-02A preto.

FD-320, FD-320-01

Os fotodiodos FD-320, FD-320-01 estrutura pn com elemento fotossensível quadrado com área de 25 mm2 são alojados em uma caixa de plástico com cabos estanhados rígidos e estampados. Para o FD-320, a janela de entrada é feita em forma de lente (Fig. 26, a). A sensibilidade do dispositivo é máxima quando a radiação incidente sobre ele é direcionada ao longo do eixo óptico; O FD-320-01 não possui lente (Fig. 26, b). O peso do dispositivo não ultrapassa 10 g.

Fotodiodos são usados ​​como sensores de radiação infravermelha em sistemas de controle remoto de equipamentos eletrônicos.

• Fotossensibilidade atual, μA/lx, não menos, em uma tensão operacional (reversa) de 10 V para FD-320......0,15
• FD-320-01......0,035
• Corrente escura, nA, não mais, na tensão de operação (reversa) 10V......50
• valor típico ...... 2
• Constante de tempo do fotodetector, µs, não mais......1
• Capacitância do fotodiodo, pF, não mais, na tensão de operação (reversa) 10 V......30
• Área de fotossensibilidade espectral, µm.....0,7...1,1
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,87...0,96
• A tensão de operação (reversa) constante mais alta, V ...... 30
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+85

KFDM, KFDM gr.A, KFDM gr.B

Os fotodiodos KFDM, KFDM gr.A, KFDM gr.B de estrutura p-n com elemento fotossensível quadrado com dimensões de 1,9x1,9 mm estão alojados em uma caixa de metal-vidro com cabos estanhados flexíveis (Fig. 27). O cabo do cátodo é estendido. Peso - não mais que 1 g.

Os dispositivos KFDM e KFDM gr.B são projetados para operar no modo fotodiodo, e os dispositivos KFDM gr.A podem ser usados ​​nos modos fotodiodo e fotogerador.

Os fotodiodos são usados ​​em vários equipamentos ópticos eletrônicos.

• Fotossensibilidade atual, µA/lx, não inferior, na tensão nominal de operação e iluminação de 1500 lx para KFDM......0,75 10-2
• KFDM gr.A ...... 0,8 10^-2
• KFDM gr.B......1,5 10^-2
• Tensão nominal de operação (reversa), V, para KFDM, KFDM gr.B......20
• KFDM gr.A......0
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão operacional (reversa) de 20 V e uma temperatura ambiente de +25°C para KFDM......1
• KFDM gr.A*, KFDM gr.B......0,1
• Corrente escura, µA, não mais, a uma tensão operacional (reversa) de 20 V e uma temperatura ambiente de +85°C para KFDM......3,5
• UFDM gr. A*, KFDM gr. B......2
• Tempo de subida do sinal de fotoresposta, μs, não mais, a uma tensão operacional (reversa) de 20 V e uma resistência de carga de 10 kOhm......10
• Área de fotossensibilidade espectral, µm.....0,5... 1,12
• Comprimento de onda da distribuição espectral máxima de fotossensibilidade, µm......0,85...0,92
• Ângulo do padrão de diretividade no nível de 0,5, graus, não menos......±36
• A tensão operacional constante (reversa) mais alta, V, para KFDM......22
• KFDM gr. A, KFDM gr.B......30
• Dissipação máxima de potência, mW......350
• Iluminação máxima de trabalho, lx......2000
• Faixa de trabalho da temperatura ambiente, °С.....-60...+85

* Valores de referência.

Na Fig. A Figura 28 mostra as características espectrais relativas dos fotodiodos da série KFDM

Autor: A.Yushin

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