Transistores de efeito de campo da série KP727. Data de referência

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Transistores de efeito de campo da série KP727. Data de referência

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Potentes transistores de efeito de campo de silício KP727A e KP727B com uma porta isolada, um canal n enriquecido e um diodo de proteção conectado reversamente integrado são fabricados usando tecnologia planar epitaxial. São projetados para atuar em fontes de alimentação secundárias, em reguladores, estabilizadores e conversores de tensão e corrente com controle contínuo e de pulso, em unidades de acionamento de motores elétricos e outros equipamentos de ampla utilização.

Os transistores são alojados em uma caixa plástica KT-28 (TO-220) com cabos estanhados rígidos estampados e um flange metálico dissipador de calor com furo de montagem (Fig. 1). O peso do dispositivo não ultrapassa 2,5 G. Análogos estrangeiros de transistores: KP727A - BUZ71, KP727B - IRFZ34.

Transistores de efeito de campo da série KP727

Principais características em Tacr.av = 25°C

Tensão limite da porta-fonte, V, a uma corrente de dreno de 0,25 mA e os mesmos valores de tensão da porta-fonte e da fonte de dreno para KP727A......2,1...4
KP727B......2...4
Corrente de dreno de pulso, A, não inferior, com duração de pulso inferior a 300 μs e ciclo de trabalho superior a 50, com tensão de porta-fonte de 10 V para KP727A (tensão de dreno-fonte de 2V)..... ..14
KP727B(1,8V)......30
Resistência de fonte de drenagem de um transistor aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso inferior a 300 μs e ciclo de trabalho superior a 50, com tensão de porta-fonte de 10 V para KP727A (corrente de drenagem 9 A). ......0,1
KP727B(18A)......0,05
Corrente de dreno residual, µA, não mais, na tensão máxima da fonte de dreno e tensão zero da fonte de porta......25
Corrente de fuga da porta, µA, não mais, na tensão da fonte da porta +20 V e tensão zero da fonte de drenagem......±0,1
Inclinação característica, A/V, não inferior, com duração de pulso inferior a 300 μs e ciclo de trabalho superior a 50, com tensão de fonte de dreno de 25 V para KP727A (corrente de dreno 9 A)..... .4
KP727B(18A)......9,3
Tensão direta constante no diodo de proteção aberto, V, não mais, com duração de pulso inferior a 300 μs e ciclo de trabalho superior a 50, com tensão porta-fonte zero para KP727A (corrente através do diodo 28 A).. .....1,8
KP727B(30A)......1,6
Resistência térmica da caixa de junção, °C/W não superior, para KP727A......3,1
KP727B......1,7
Transição de resistência térmica - ambiente, °C / W, não mais ...... 62
Tempo de ativação*, μs, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 30 V, uma corrente de dreno de 30 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de medição de 9,1 Ohm.....0,14
Tempo de desligamento*, μs, não mais, com uma tensão de fonte de dreno de 30 V, uma corrente de dreno de 30 A e uma resistência de saída da fonte de sinal de medição de 9,1 Ohm......0,12
Capacitância de entrada*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero e tensão de fonte de dreno 25 V a uma frequência de 1 MHz......1600
Capacitância de saída*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero e tensão de fonte de dreno 25 V a uma frequência de 1 MHz......800
Capacitância de passagem*, pF, não mais, em tensão de porta-fonte zero e tensão de fonte de dreno 25 V a uma frequência de 1 MHz .....195

* Parâmetros de referência.

Limites operacionais

Tensão máxima da fonte de drenagem, V, para KP727A......50
KP727B......60
Tensão máxima de porta-fonte, V......±20
A corrente de drenagem constante mais alta, A, a uma temperatura de caixa de 25°C para KP727A......14
KP727B......30
A corrente de drenagem pulsada mais alta, A, a uma temperatura de carcaça de 25°C para KP727A......56
KP727B......120
Dissipação máxima de potência constante, W, a uma temperatura de caixa de 25°C para KP727A......40
KP727B......88
O valor mais alto do potencial estático, V.....200**
Faixa de temperatura operacional, °С......-55...+150

** III grau de rigidez conforme OST 11073.062.

É proibido operar transistores com dois ou mais valores de parâmetros limitantes. Para aumentar a confiabilidade da operação do instrumento, os valores dos parâmetros não devem exceder 70% dos valores máximos permitidos.

A flexão única dos cabos não é permitida a menos de 5 mm do corpo com um raio de curvatura de pelo menos 1,5 mm, e a linha de dobra deve estar no plano dos cabos. Ao dobrar, é necessário tomar medidas para evitar a transferência de força para o corpo. Você não pode torcer os cabos.

A distância do corpo ao local de soldagem e estanhamento não deve ser inferior a 5 mm. Temperatura de soldagem - não superior a 265°C, tempo de soldagem - não superior a 4 s, tempo de estanhagem - 2 s.

Para reduzir a resistência térmica do dissipador de calor do corpo do transistor, recomenda-se o uso de pastas especiais, por exemplo, KPT-8 conforme GOST 19783. Nos casos em que deva haver uma junta isolante sob o corpo, sua resistência térmica deve ser levado em conta.

Na Fig. 2a e b mostram dependências típicas da corrente de dreno dos transistores na tensão dreno-fonte à temperatura normal do gabinete, e na Fig. 3, a e b - da tensão porta-fonte em duas temperaturas de transição.

Transistores de efeito de campo da série KP727

Na Fig. A Figura 4 mostra a dependência normalizada da temperatura da resistência dreno-fonte de um transistor aberto (Rsi.t25 é a razão entre o valor da corrente da resistência dreno-fonte e o valor desta resistência a uma temperatura de transição de 25°C), e na Fig. 5 - dependências típicas da capacitância de entrada (C11i), saída (C22i) e passagem (C12i) dos transistores na tensão de pulso dreno-fonte.

Transistores de efeito de campo da série KP727

Arroz. 6a e b ilustram a dependência da tensão nos terminais do canal do transistor na corrente através desses terminais fluindo na direção direta para o diodo de proteção. O principal componente desta tensão é a queda de tensão no diodo de proteção aberto.

Transistores de efeito de campo da série KP727

Autor: V.Kiselev

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