Transistores da série KT8156. Data de referência

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Potentes transistores npn compostos de silício KT8156A e KT8156B com amortecimento integral e diodos de aceleração de emissor de base são fabricados usando tecnologia epitaxial-planar. Os dispositivos são projetados para operar em estágios de saída de varredura horizontal de tubos de raios catódicos de pequeno porte e outros componentes e blocos de equipamentos amplamente utilizados.

Os transistores são alojados em uma caixa plástica padrão KT-28 (TO-220) com terminais rígidos estanhados (Fig. 1). O peso do dispositivo não ultrapassa 2,5 g.

Transistores da série KT8156

Análogo estrangeiro do transistor KT8156A - BU807.

O diagrama esquemático do dispositivo é mostrado na fig. 2.

Transistores da série KT8156

Principais Características

Tensão limite coletor-emissor, V, não inferior (com uma corrente de coletor de 100 mA, corrente de base zero, duração de pulso não superior a 500 μs e ciclo de trabalho não inferior a 100), para KT8156A...... 150
KT8156B......200
Corrente reversa do coletor, mA, não mais (com uma tensão de base do coletor de 330 V e corrente de emissor zero), para KT8156A......0.1
KT8156B......1
Corrente reversa coletor-emissor, mA, não mais (em uma tensão coletor-emissor de 330 V e tensão base emissor zero), para KT8156A......0,1
KT8156B......1
Corrente reversa do emissor, mA, não mais (com uma tensão de base do emissor de 6 V e corrente de coletor zero).......3
Coeficiente de transferência de corrente estática, não inferior (com uma tensão coletor-emissor de 1,5 V e uma corrente de coletor de 5 A).......100
Tensão de saturação coletor-emissor, V, não mais (com uma corrente de coletor de 5 A e uma corrente de base de 50 mA).......1.5
Tensão de saturação base-emissor, V, não mais (com uma corrente de coletor de 5 A e uma corrente de base de 50 mA).......2,4
Invólucro de transição de resistência térmica, °С/W, max......2,08
Diodo de amortecimento de tensão direta. B, não mais ...... 2
Faixa de temperatura operacional, °С......-60...+100

Valores limite

A maior tensão de base do coletor, V ...... 330
A maior tensão coletor-emissor, para KT8156A......150
KT8156B......200
A maior tensão de base do emissor, V ...... 6
Corrente de coletor constante mais alta. Um......8
A corrente de coletor de pulso mais alta. A (com duração de pulso não superior a 10 ms e ciclo de trabalho de pelo menos 100).......15
A maior dissipação de potência constante do coletor. W (quando instalado em um dissipador de calor e a temperatura da caixa estiver entre -60...+25°C).....60
A maior dissipação de potência constante do coletor. W (sem dissipador de calor em temperatura ambiente entre -60...+25°C).......1,5
A temperatura de transição mais alta, ° С ...... 150

Não é permitido operar transistores em valores extremos de dois parâmetros.

A flexão única dos cabos do dispositivo não é permitida a menos de 5 mm do corpo (não é recomendado dobrá-los no plano dos cabos). Neste caso, é necessário tomar medidas para evitar a transferência de força para o corpo. O raio de curvatura é de pelo menos 1,5 mm. A distância da caixa ao local de estanhamento e soldagem dos cabos não deve ser inferior a 5 mm.

Para melhorar a transferência de calor do transistor para o dissipador de calor, recomenda-se que antes de instalar o dispositivo, cubra seu flange metálico com uma camada de lubrificante termicamente condutor (por exemplo, KTP-8 de acordo com GOST 19783). Na Fig. A Figura 3 mostra a dependência do coeficiente de transferência estática da corrente de base do transistor em sua corrente de coletor, na Fig. 4 - dependência da potência dissipada constante do coletor com a temperatura da carcaça, e na Fig. 5 - dependência típica da tensão direta direta no diodo de amortecimento (VD2 na Fig. 2) na corrente direta que passa por ele.

(clique para ampliar)

Uma dependência típica da tensão de saturação coletor-emissor na corrente CC de base é mostrada na Fig. 6, e da corrente do coletor - na Fig. 7. Uma dependência típica da tensão de saturação base-emissor na corrente DC do coletor é mostrada na Fig. 8.

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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