Potentes transistores de efeito de campo da série KP742. Data de referência

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Potentes transistores de efeito de campo da série KP742. Data de referência

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Os transistores de efeito de campo de canal n de silício KP742A e KP742B com porta isolada, enriquecimento de canal e um diodo de proteção conectado reversamente integrado são fabricados usando tecnologia spitaxial-planar. Os dispositivos são projetados para funcionar em fontes de alimentação secundárias com entrada sem transformador, em reguladores, estabilizadores e conversores de tensão com controle contínuo e de pulso, em acionamentos de motores elétricos e outros equipamentos utilizados no dia a dia e na indústria.

Os transistores são alojados em uma caixa plástica retangular KT-43 (TO-218) com terminais estanhados rígidos estampados (Fig. 1); peso do dispositivo - não mais que 6 g.

Potentes transistores de efeito de campo da série KP742

O análogo estrangeiro do transistor KP742A é STH75N06, KP742B é STH75N05 da SGS-THOMSON.

Principais características técnicas em Тkorp = 25 °С

Tensão limite, V, em uma corrente de dreno de 0,25 mA e porta e dreno conectados......2...4
Resistência de canal aberto, Ohm, não mais, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, com corrente de dreno de 40 A e tensão porta-fonte de 10 V para KP742A.... ..0,014
KP742B......0,012
Corrente de dreno residual, µA, não mais, na tensão máxima da fonte de dreno e tensão zero da fonte de porta......250
Corrente de fuga da porta, nA, não mais, na tensão da fonte da porta ±20 V e tensão zero da fonte de drenagem......±100
Inclinação da característica corrente-tensão, A/V, não inferior, com duração de pulso não superior a 300 μs e ciclo de trabalho de pelo menos 50, com tensão dreno-fonte de 10 V e corrente de dreno de 40 A ......25
Frequência máxima de amplificação, MHz, não inferior......1
Tempo de ativação*, μs, não mais, na tensão da fonte de drenagem 25 V, corrente de drenagem 40 A, resistência de saída da fonte de sinal 6,2 Ohm, resistência no circuito de drenagem 50 Ohm, tensão da fonte de porta 10 V, duração do pulso não mais que 300 μs e seu ciclo de trabalho é de pelo menos 50......1,57
Tempo de desligamento*, μs, não mais, na tensão da fonte de drenagem 40 V, corrente de drenagem 75 A, resistência de saída da fonte de sinal 50 Ohm, resistência no circuito de drenagem 50 Ohm, tensão da fonte de porta 10 V, duração do pulso não mais que 300 μs e seu ciclo de trabalho é de pelo menos 50 para KP742A......0,97
KP742B......1,08
Capacidade do transistor*, PF, não mais, em uma tensão de fonte de dreno de 25 V, tensão de fonte de porta zero e frequência de entrada de 1 MHz......5200
fim de semana ...... 2300
ponto de verificação......650
Caixa de cristal de resistência térmica, С/W, não mais que......30
Tensão direta constante de um diodo de proteção aberto. V, não mais, com tensão porta-fonte zero, duração do pulso não superior a 300 μs e seu ciclo de trabalho não inferior a 50 para KP742A com uma corrente através do terminal de dreno de 75 A e KP742B - 80A...... 1,6
Tempo de recuperação reversa do diodo*, não, a uma tensão de fonte de dreno de 35 V, uma taxa de aumento da corrente do diodo de 100 A/μs, uma duração de pulso não superior a 300 μs e seu ciclo de trabalho de pelo menos 50 para KP742A com corrente através do terminal de dreno de 75 A e KP742B - 80 A......130

* Parâmetros de referência.

Valores limite

Tensão máxima da fonte de drenagem, V, para KP742A......60
KP742B......50
Tensão máxima de porta-fonte, V......±20
A corrente de drenagem constante mais alta*, A, em uma temperatura de caixa não superior a 25 °C para KP742A......75
KP742B......80
Corrente máxima de drenagem de pulso*, A, para KP742A......300
KP742B......320
Corrente direta máxima do diodo de proteção, A, para KP742A......75
KP742B......80
Potência dissipada contínua máxima**, W, na temperatura da caixa 25 °С......200
A temperatura mais alta do cristal, "C ...... 175
Faixa de operação da temperatura ambiente, "С......-55...+150

* Desde que a dissipação máxima de potência e a temperatura do cristal não sejam excedidas.

** A uma temperatura ambiente superior a 25 °C, a potência máxima permitida Pmax deve ser reduzida de acordo com a fórmula

onde Tkp max e Tcorp são os valores da temperatura máxima permitida do cristal e da temperatura atual do corpo do transistor; Rt cr-case - resistência térmica da caixa de cristal.

O valor permitido do potencial estático é 500 V de acordo com OST 11 073.062. O modo e as condições de instalação de transistores nos equipamentos estão de acordo com OST 11 336.907.0.

Dependências gráficas típicas dos parâmetros dos transistores KP742A e KP742B são apresentadas na Fig. 2-7.

Potentes transistores de efeito de campo da série KP742

Na Fig. 2, aeb mostram famílias de características de saída de dispositivos em dois valores de temperatura corporal, e na Fig. 3 - dependência da resistência do canal aberto com a temperatura (normalizada em relação ao ponto onde a temperatura do cristal Tcr = 25 °C). Arroz. 4 ilustra a dependência da corrente de dreno na tensão porta-fonte.

Potentes transistores de efeito de campo da série KP742

As dependências da capacitância de entrada, saída e passagem dos dispositivos na tensão dreno-fonte são mostradas na Fig. 5. À medida que a temperatura da caixa aumenta, a corrente de dreno deve ser reduzida de acordo com a curva da Fig. 6.

Potentes transistores de efeito de campo da série KP742

A queda de tensão através de um diodo de proteção aberto, dependendo da corrente direta que passa por ele, é mostrada na Fig. 7 (aqui Ic é a corrente que passa pelo terminal de drenagem do dispositivo).

Potentes transistores de efeito de campo da série KP742

Autor: V.Kiselev, Minsk, Bielorrússia

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