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ENCICLOPÉDIA DE RÁDIO ELETRÔNICA E ENGENHARIA ELÉTRICA
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Dobrador de tensão sem transformador para pequenos dispositivos, 100 miliamperes. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Enciclopédia de eletrônica de rádio e engenharia elétrica / Fontes de alimentação

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A figura mostra um diagrama de um conversor de tensão 9 V -> 18 V para dispositivos que consomem não mais que 100 mA com uma tensão de alimentação de 18 volts. O conversor está incluído no prático circuito de sirene para sistemas de segurança e alarme.

Duplicador de tensão sem transformador para dispositivos pequenos, 100mA
(clique para ampliar)

O gerador de controle é feito de acordo com um esquema típico. Na saída D1.2, pulsos retangulares com frequência de 1 Hz são formados. Os pulsos são alimentados ao gerador controlado Dl.3, D1.4 e ao circuito R3, R2, C2, o que afeta a profundidade da modulação. R4, R5, C3, C4 são selecionados de acordo com a frequência de ressonância do emissor piezocerâmico B 1 na faixa de 1,5-3 kHz. Para aumentar a amplitude no piezocristal, um multiplicador é introduzido no circuito. O sinal da saída DD1.4 vai para o par complementar VT5, VT6 e depois para o multiplicador VD3, VD4, C5, Sat. A tensão em C6 com corrente de carga de 50 mA e alimentação principal de 9 V é de cerca de 16 V.

A potência do multiplicador pode ser ligeiramente aumentada usando capacitâncias maiores. O circuito pode ser alimentado com 6-15V (máximo de 15V para CIs da série 561), no caso de alimentação de 15V, a tensão na saída do multiplicador será menor que 25V na carga de 80mA.

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A fabricante observou que o novo SSD permitirá que fabricantes de laptops e outros eletrônicos móveis implementem novas ideias que antes não eram possíveis devido a restrições na quantidade de espaço interno dos gadgets. Em comparação, os SSDs de 2,5 polegadas ainda encontrados em laptops são 100 x 69,85 mm. O formato M.2 mais moderno oferece dimensões de 80,15 mm x 22,15 mm.

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O pacote BGA contém 16 chips de memória com capacidade de 32 GB. Cada um deles possui 48 camadas de células, esse design proprietário da Samsung é chamado de V-NAND. Além dos chips de memória, o gabinete contém um controlador e 512 MB de RAM (ambos os componentes são projetados para gerenciar esta unidade).

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