Um detector de metais simples em transistores de germânio. Esquema, descrição

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Diagrama esquemático

Um diagrama de um detector de metal de transistor simples é mostrado na fig. 2.5, A. Consiste em um gerador de alta frequência e um receptor que registra mudanças na frequência do gerador quando objetos de metal se aproximam dele.

Detector de metais transistor simples

Arroz. 2.5. Um detector de metais de transistor simples: a - diagrama de circuito; b - dimensionamento da bobina L2; c - desenho da placa de circuito impresso

Detector de metais receptor tipo heteródino. É feito em apenas um transistor V2 e combina as funções de um oscilador local e um detector.

O oscilador local é montado de acordo com o esquema capacitivo de três pontos. A vantagem de tal circuito é o uso de um indutor sem derivações, o que é muito conveniente para radioamadores iniciantes.

O circuito oscilatório contém um indutor L2 e uma capacitância composta por capacitores conectados em série C4-Cb. A frequência do oscilador local pode ser alterada com um núcleo de bobina sintonizado L2.

O gerador de alta frequência é montado no transistor V1 também de acordo com o circuito capacitivo de três pontos. A frequência do gerador depende da indutância da bobina L1, que é feita na forma de uma moldura. Se um objeto de metal estiver próximo à bobina, sua indutância mudará. Isso levará a uma mudança na frequência do gerador, que será imediatamente registrada pelo receptor. Se, por exemplo, o gerador for inicialmente definido para uma frequência de 465 kHz e o oscilador local do receptor for definido para uma frequência de 465,5 kHz, um sinal com frequência de 500 Hz será ouvido nos telefones. Quando a bobina L1 se aproxima do metal, o tom do sinal nos fones muda. Isso servirá como um sinal para a detecção de um objeto de metal.

Base elementar

Além dos transistores indicados no diagrama, podem ser utilizados transistores de germânio das séries P401, P402.

Telefones - TON-1 ou TON-2. Além disso, ambas as cápsulas devem ser conectadas em paralelo para que a resistência total dos telefones seja de 800-1200 ohms.

Todos os resistores podem ser MLT-0,125 ou MLT-0,25, capacitores - KLS-1 ou BM-2, interruptor de alimentação - interruptor unipolar.

Bateria - três células 316, 343 conectadas em série.

Bobinas

A bobina L1 é uma estrutura retangular medindo 175 x 230 mm de 32 voltas de fio PEV-2 0,35.

O projeto da bobina L2 é mostrado na fig. 2.5, b. Em duas estruturas cilíndricas de papel, são colocados segmentos de uma haste com diâmetro de 7 mm feita de ferrita 400NN ou 600NN:

o primeiro quadro de 20 a 22 mm de comprimento, fixado permanentemente;
o segundo quadro tem 35-40 mm de comprimento, móvel, para ajustar a bobina. As molduras são embrulhadas com fita de papel, sobre a qual é enrolada uma bobina - 55 voltas de fio PELSHO 0,2 (você pode PEV-1 ou PEV-2), os cabos da bobina são fixados com cola.

Placa de circuito impresso

A placa de circuito impresso é mostrada na fig. 2.5, c. A placa deve ser conectada às bobinas, bateria, chave e conector X1 com um fio flexível isolado.

A bobina L2 deve ser instalada a uma distância de 5-7 mm das voltas da bobina L7.

Recomenda-se que o bloco X1 e o interruptor sejam fixados de fora para a parede lateral do gabinete. Uma alça de madeira com cerca de um metro de comprimento pode ser colada na parte superior da caixa.

Autor: Vasiliev V.

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