Multivibradores em transistores de efeito de campo KR504NT. Esquema, descrição

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Multivibradores em transistores de efeito de campo KR504NT. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Multivibradores simétricos e assimétricos para diversos fins podem ser construídos não apenas em transistores bipolares, mas também em campos. Um exemplo disso pode ser encontrado em [1]. Dado que os transistores de efeito de campo têm uma série de vantagens sobre os bipolares, sendo a principal a corrente extremamente baixa no circuito de controle quando operando em baixa frequência ou em modo estático, pode-se supor que um multivibrador convencional de dois transistores, mas apenas em transistores de efeito de campo, estarão em uma posição vencedora na frente de nós semelhantes montados em suas contrapartes bipolares.

Você pode ver o esquema do primeiro multivibrador na fig. 1. Sua operação é em muitos aspectos semelhante à operação de um multivibrador em transistores bipolares pn-p - os LEDs também piscarão. A diferença é que para fechar cada um dos transistores VT1.1, VT1.2, é necessário aplicar uma tensão porta-fonte positiva, que deve exceder a tensão de corte desses transistores (cerca de 4 V). Isso acontece toda vez que os braços do multivibrador são comutados, devido à presença dos capacitores de ajuste de tempo C1, C2. É por isso que não há necessidade de uma fonte de alimentação bipolar.

Multivibradores em transistores de efeito de campo KR504NT. Diagrama esquemático do multivibrador em KR504NT
Fig. 1

A frequência de comutação dos transistores neste gerador é uma vez a cada 6 s. Ao instalar capacitores eletrolíticos de alta qualidade (com baixa corrente de fuga), com capacidade de 100 ... 4700 μF, é possível obter a comutação do transistor com um período de várias dezenas de minutos, o que é inatingível para dispositivos simples baseados em transistores bipolares.

As resistências dos resistores R2 e R3 podem diferir vários milhares de vezes, por exemplo, R2 pode ser considerado 30 MOhm e R3 - 10 kOhm. O multivibrador ficará assimétrico. As capacitâncias dos capacitores mudam da mesma maneira. Selecionando adequadamente esses elementos, você pode obter pulsos muito curtos no terminal de dreno de um dos transistores, seguindo com um ciclo de trabalho alto (100...10000). Se em um dispositivo fabricado de acordo com o diagrama da Fig. 1, em vez dos LEDs comuns, ligue os que piscam como carga de transistor, por exemplo, L-36BSRD, então qualquer um deles, piscando várias vezes, irá descansar enquanto seu vizinho pisca. Se você precisar operar o multivibrador em frequências de áudio, então a resistência dos resistores R2 e R3 precisa ser reduzida em 10...20 vezes, e os capacitores com capacidade de várias centenas de picofarads devem ser tomados.

Em vez dos resistores convencionais R2, R3, você pode instalar fotorresistores (FSK, SF2-x, SFZ-x, FR117, etc.). Nesse caso, a frequência de comutação dos transistores mudará vários milhares de vezes, dependendo do nível de iluminação. Deve-se notar apenas que se a resistência dos resistores R2, R3 for menor que 3 kΩ, a geração pode falhar.

Um multivibrador feito de acordo com o esquema mostrado na fig. 1, requer o uso de transistores de efeito de campo com uma grande corrente de dreno inicial (10 ... 30 mA). Na ausência de tais conjuntos da série KR504, é possível montar um multivibrador semelhante de acordo com o esquema mostrado na Fig. 2. Aqui, os transistores de efeito de campo operam com uma corrente de dreno menor e, para obter brilho suficiente dos LEDs, amplificadores de corrente são instalados nos transistores bipolares VT1, VT4. A frequência de comutação deste multivibrador é de cerca de 1 Hz. Se você instalar transistores compostos poderosos da série KT1 no lugar dos transistores VT4, VT829, as lâmpadas incandescentes poderão ser usadas como carga. Nesse caso, R2, R6 não são instalados, pois os transistores do tipo KT829 contêm seus próprios resistores embutidos.

Se este multivibrador "se recusar" a funcionar, os resistores R3, R7 devem ser selecionados com mais precisão. Em um nó montado de acordo com o esquema mostrado na Fig. 1, é possível usar microconjuntos de pares combinados de transistores de efeito de campo da série KR504, (K504, 504) com uma corrente de dreno inicial superior a 10 mA. KR504NT4V, KR504NTZV são os mais adequados, mas você também pode tentar com os índices A, B. Ao alterar a polaridade da tensão de alimentação e conectar os LEDs, em vez de um conjunto de transistores, você pode usar dois transistores de canal n de efeito de campo separados do Série KP302, KP307. Se eles tiverem uma grande tensão de corte, a tensão de alimentação pode ser aumentada para 15 V.

Multivibradores em transistores de efeito de campo KR504NT. Diagrama esquemático do multivibrador em KR504NT
Fig. 2

Para o nó cujo diagrama é mostrado na Fig. 2, os microcircuitos KR504NT1, KR504NT2 com qualquer índice de letras são adequados e ao selecionar os resistores R3, R7 - KR504NTZ, KR504NT4. Além disso, muitos transistores de efeito de campo das séries KP103, KP101 funcionarão sem ajuste. É melhor usar capacitores apolares, por exemplo, K73-17 de tamanho pequeno a 63 V. Os LEDs “comuns” podem ser qualquer uma das séries AL307, KIPD21, KIPD35, KIPD40, bem como 1-1513, L- 934, etc Piscando - L-816BRSC-B, L-769BGR, L-56DGD, Т1ВК5410 e outros.

Como os transistores de efeito de campo dos conjuntos KR504NT (1 ... 4) permitem uma tensão máxima de dreno de fonte não superior a 10 V, a tensão de alimentação dos multivibradores não deve exceder 10 ... 12 V.

Literatura

A. Butov. Multivibrador em transistores de efeito de campo. - Rádio, 2002, N4, p.53.
Microcircuitos e sua aplicação. - M.: Rádio e comunicação, 1984, p.73.

Publicação: cxem.net

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