Diodos de potência. Esquema, descrição

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Dispositivos semicondutores de potência. Diodos de potência. Enciclopédia de rádio eletrônica e engenharia elétrica

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Diodos não são apenas componentes únicos, eles podem ser usados em módulos. Freqüentemente, os diodos são parte integrante dos módulos de transistor. Tipos de módulos de diodo típicos são mostrados na fig. 7.7.

Diodos de potência
Arroz. 7.7. Módulos de diodo típicos: a - módulo duplo; b- ponte de diodos; c - ponte trifásica; d - módulo diodo-transistor duplo

Diodos de uso geral têm as seguintes características:

têm um tempo de recuperação relativamente longo (25 ns);
usado em dispositivos de baixa frequência (1 kHz);
ter um alto nível de corrente (1-10000 A);
ter um alto nível de tensão (50-5000 V);
geralmente fabricado usando um processo de difusão.

Diodos rápidos têm as seguintes características:

ter um tempo de recuperação pequeno (baixo) (menos de 5 ns);
são usados tanto em fontes de alimentação chaveadas quanto em circuitos inversores;
ter um nível de corrente suficientemente alto (1-3000 A);
ter um nível de tensão suficientemente alto (50-2000 V);
para um nível de tensão de cerca de 400 V, esses diodos usam um substrato epitaxial para comutação mais rápida, com um tempo de recuperação de 50 ns.

diodos Schottky têm as seguintes características:

o potencial de barreira criado na junção silício-metal do ânodo elimina o problema de acúmulo de carga; a camada de metal é depositada na fina camada N epitaxial;
não há portadoras minoritárias, portanto o tempo de recombinação é zero e o processo de comutação depende apenas das portadoras majoritárias;
o tempo de recuperação é afetado pela capacitância da junção silício-metal;
têm uma queda de tensão direta relativamente baixa devido ao nível de concentração de impurezas, o que implica uma barreira potencial (0,2-0,9 V);
maior corrente de fuga (até 100 mA);
baixo nível de corrente (1-300 A);
baixo nível de tensão (<100 V).

Diodos de potência Zener (diodos Zener semicondutores) têm as seguintes características:

fortemente dopado e projetado para trabalhar no campo de avalanche;
a potência contínua tem um valor médio (250 mW - 75 W);
pode ser usado para suprimir a interferência como um limitador, enquanto absorve até 50 kW em um pulso.

Autor: Koryakin-Chernyak S.L.

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