Amplificador com baixa distorção dinâmica. Esquema, descrição

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A chamada distorção de intermodulação dinâmica ocorre em amplificadores transistorizados quando há mudanças repentinas no nível do sinal. Essas distorções são especialmente perceptíveis ao reproduzir programas musicais. Para reduzir essas distorções ao mínimo, este amplificador faz uso extensivo de OSS de corrente local, usa um chamado “espelho de corrente” que melhora a simetria do sinal amplificado na entrada do estágio final e usa correção de resposta de frequência principal.

Amplificador com baixa distorção dinâmica

Os principais parâmetros:

Faixa de frequência nominal, Hz 16.......100
Potência nominal de saída em uma carga com resistência de 8 Ohms (com coeficiente harmônico de 0,35% nas frequências de 63...1 e 000 Hz), W......10
Tensão nominal de entrada, V ....... 1
Ruído relativo e nível de fundo, dB......-60

O amplificador contém um estágio diferencial de entrada nos transistores V1, V2, um estágio de balanceamento nos transistores V3, V5 com um “espelho de corrente” nos transistores V4, V6, um estágio de saída nos transistores V14-V17 e um dispositivo de proteção contra curto-circuito no carga nos transistores V9, V10.

Os resistores R3, R4 nos circuitos emissores dos transistores do primeiro estágio criam feedback negativo local na corrente, o que aumenta a linearidade e a resistência de entrada do estágio, além de melhorar sua simetria.Os resistores R11, R14 criam feedback negativo local no segundo estágio. A correção antecipada da resposta em frequência é realizada pelos capacitores C2 e C6.

O estágio de saída é feito segundo um circuito tradicional com inversor de fase utilizando transistores de diferentes estruturas V14, V15. A corrente quiescente dos transistores V16, V17 é ajustada pelo resistor de corte R15 e é estabilizada quando a temperatura muda pelo transistor V7, que possui conexão térmica com um deles.Os diodos V18, V19 protegem os transistores do estágio de saída de sobretensões devido a a natureza indutiva da carga.

O amplificador é coberto por um OOS, cuja tensão é retirada da carga e, através do circuito R10C4C5R9, fornecida à entrada do primeiro estágio (ao circuito base do transistor V2). O circuito R28C10 aumenta a estabilidade do amplificador contra autoexcitação.

O dispositivo de proteção do estágio de saída contra curto-circuito na carga é feito conforme um circuito em ponte. Para a meia onda negativa do sinal amplificado, a ponte é formada pela resistência de carga e pelos resistores R26, R20 e R17. A junção emissora do transistor V9 está incluída na diagonal da ponte. Com uma diminuição acentuada na resistência de carga, o equilíbrio da ponte é perturbado, o transistor V9 abre e, com sua baixa resistência da seção emissor-coletor, desvia (através do diodo V5) a entrada do estágio pré-terminal no transistor V14. Como resultado, a corrente do estágio de saída é instantaneamente limitada. Para a meia onda positiva do sinal, a ponte é formada pela resistência de carga e pelos resistores R27, R21 e R19; a junção emissor do transistor V10 está incluída na diagonal da ponte.

Para uma boa linearidade do amplificador, os pares de transistores V1 e V2, V3 e V5 V4 e V6, V16 e V17 devem ser selecionados de acordo com o coeficiente de transferência de corrente estática h21e.

Os transistores V14, V15 são instalados em dissipadores de calor em forma de U dobrados a partir de uma tira de folha de liga de alumínio (2 mm de espessura, 20 mm de largura) (dimensões do dissipador de calor - 20 x 25 x 15 mm). Os dissipadores de calor de cada um dos transistores V16, V17 devem ter uma superfície de resfriamento com área de cerca de 250 cm2. O transistor V7 é colado em um desses dissipadores de calor com cola 88-N.

Configurar o amplificador se resume a eliminar (com resistor de ajuste R7) a tensão constante na saída e definir (com resistor de ajuste R15) a corrente quiescente da cascata de saída dentro de 80...100 mA.

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