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PALAVRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLÓGICAS
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Palavras aladas, unidades fraseológicas. Significado, história de origem, exemplos de uso

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Apareceu - não empoeirado

Provérbios e ditados
Provérbios e ditados

Fraseologismo: Apareceu - não empoeirado.

Significado: Expressão de irritação pela chegada indesejada de alguém (simples reprovação).

Origem: Volume de negócios realmente russo. Quando um criado era enviado a algum lugar, e ele voltava com roupas e sapatos limpos, isso falava do cumprimento inescrupuloso da missão ou de seu descumprimento, pois era impossível caminhar uma certa distância por uma estrada empoeirada e não fique empoeirado.

Fraseologia aleatória:

O charme modesto da burguesia.

Significado:

Sobre luxo excessivo e insípido, bem como sobre inferioridade moral, falta de espiritualidade, estreiteza etc. (ferro.).

Origem:

Do francês: "Le charme discret de la bourgeoisie". O título de um filme (1972) dirigido pelo diretor francês Luis Buñuel (1900-1983) baseado em seu próprio roteiro (com a participação de J.C. Career).

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Protótipo de memória resistiva da Elpida 03.02.2012

Terceiro maior fabricante de memória do mundo, Elpida revelou um protótipo de memória resistiva. O dispositivo é incomparável e tem uma série de vantagens sobre a memória capacitiva usada em todos os lugares, combinando a velocidade da DRAM e a não volatilidade da NAND.

O nome completo da novidade é "Memória de acesso aleatório resistivo não volátil de alta velocidade" (ReRAM). A memória é feita em uma tecnologia de processo de 50 nanômetros, e a densidade de células aqui é de 64 Mbps por array. Além da Elpida, a Sharp, a Universidade de Tóquio e o Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia do Japão participaram do desenvolvimento.

A memória resistiva é considerada por muitos como um novo estágio no desenvolvimento da tecnologia computacional. A essência da tecnologia é o uso de um material especial que altera sua resistência elétrica sob a influência de mudanças de tensão. Ao contrário da DRAM, onde cada célula é um capacitor e requer recarga frequente, aqui as informações podem ser armazenadas independentemente da fonte de energia. A velocidade de gravação do protótipo ReRAM apresentado é de 10 ns, que é aproximadamente igual à velocidade de gravação da DRAM.

A empresa não apenas continuará pesquisando nessa direção, mas também planeja iniciar a produção em série até 2013, mas já em uma tecnologia de processo de 30 nanômetros.

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