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PALAVRAS ALADAS, UNIDADES FRASEOLÓGICAS
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Palavras aladas, unidades fraseológicas. Significado, história de origem, exemplos de uso

Palavras aladas, unidades fraseológicas

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O terceiro deve ir

"Caminho do Cais"
"Caminho do Cais"

Fraseologismo: O terceiro deve sair.

Significado: Sobre resolver o problema do chamado triângulo amoroso.

Origem: De "Song of a Friend" (1961), escrito pelo compositor Andrei Petrov a poemas do poeta Grigory Pozhenyan para o filme "The Way to the Pier" (1962, dirigido por Georgy Daneliya).

Fraseologia aleatória:

E em Marte macieiras florescem.

Significado:

Frase-símbolo dos primeiros anos românticos da cosmonáutica soviética.

Origem:

Título e verso de uma música escrita pelo compositor Vano Muradeli para os versos do poeta Yevgeny Aronovich Dolmatovsky (1915-1994) para o filme "Towards a Dream".

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A nova memória do computador é 10 vezes mais rápida que a antiga 24.06.2013

Cientistas da Universidade da Califórnia e da Universidade Tecnológica de Nanyang (Cingapura) criaram uma memória de computador muito mais rápida e durável do que a memória moderna.

O dispositivo protótipo é feito de ferrite de bismuto e consome menos energia com velocidades de gravação e leitura muito mais rápidas. O protótipo do chip de memória é uma estrutura com 16 elementos celulares que reagem à luz. Na memória de computador convencional, as informações são armazenadas em células que contêm quantidades variadas de carga elétrica, determinando assim onde é "0" e onde é "1". A ferrita de bismuto é diferente, pois pode estar em um dos dois estados de polarização e quase instantaneamente alternar entre esses estados sob a influência de um pulso de luz. Ou seja, o novo dispositivo demonstra propriedades ferroelétricas.

A memória ferroelétrica é considerada muito promissora por ser caracterizada por alta velocidade e baixo consumo de energia. No entanto, esta tecnologia ainda não encontrou ampla aplicação, em particular, devido ao fato de que para armazenamento confiável de informações é necessário reescrever a memória ferroelétrica após cada acesso a ela. Como resultado, há problemas com a vida útil.

O novo dispositivo é desprovido dessa desvantagem. A aplicação de tensão durante a gravação cria uma polarização do material; posteriormente, a ação de um pulso de luz causa uma reação fotoelétrica: uma corrente é gerada, cuja tensão pode ser usada para determinar o estado de polarização, ou seja, "1" ou "0". Ao mesmo tempo, a tensão é facilmente lida usando eletrodos ou transistores convencionais, e um pulso de luz brilhante não altera a polarização do material. Assim, não há necessidade de sobrescrever os dados após cada leitura.

O novo dispositivo de armazenamento não volátil é muito mais rápido que todos os chips de memória modernos: o processo de leitura ou gravação não leva mais de 10 nanossegundos - isso é 10 mil vezes mais rápido que a memória atual. Além disso, para escrita/leitura, o novo chip requer apenas 3 V, enquanto, por exemplo, a memória flash requer 15 V.

Até agora, o único obstáculo para a introdução em massa de um novo tipo de memória é a necessidade de criar uma tecnologia para iluminação de alta precisão de cada célula. Até agora, em condições de laboratório, toda a rede do chip é iluminada, mas isso não é adequado para a leitura de cada bit individual. Os engenheiros terão que desenvolver elementos ópticos que permitam que cada célula seja iluminada durante a operação de leitura, e então aparecerá no mercado a memória energeticamente eficiente, confiável e rápida, tão necessária para os dispositivos eletrônicos modernos.

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