Placa a placa. Significado, origem, exemplos do uso de unidades fraseológicas

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Palavras aladas, unidades fraseológicas. Significado, história de origem, exemplos de uso

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De placa em placa

Provérbios e ditados

Fraseologismo: Placa a placa.

Significado: Conheça na íntegra.

Origem: Antigamente, a encadernação do livro não era feita de papelão, mas de tábuas revestidas de couro. A expressão de placa a placa também significa que de capa a capa, de capa a capa, ou seja, do começo ao fim.

Fraseologia aleatória:

Seja realista, exija o impossível!

Significado:

Muitas vezes um objetivo que é considerado inatingível (por hábito, inércia, preguiça da mente, etc.) acaba sendo bastante acessível na realidade, você só precisa fazer esforços para alcançá-lo.

Origem:

Seja realista, exija o impossível! Um dos slogans da agitação estudantil em Paris (maio de 1968).

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Chips SRAM Renesas RMLV0816B e RMLV0808B com alta dureza de radiação 21.12.2014

A Renesas Electronics anunciou o lançamento de cinco novos chips de memória de acesso aleatório estático de baixa potência (Advanced LP SRAM) nas séries RMLV0816B e RMLV0808B. Eles têm uma densidade de 8 Mbit e são fabricados de acordo com os padrões de 110 nm.

Por que usar um processo técnico tão "áspero", quando os microcircuitos para eletrônicos móveis de consumo há muito são produzidos de acordo com padrões muito mais refinados?

O fato é que, aumentando os elementos, é possível aumentar a resistência à radiação. De acordo com o fabricante, falhas simples (Soft Error ou Single-Event Upset, SEU) e travamento do transistor (Latch-up) são excluídos na nova memória.

A causa de falhas simples é o pulso de corrente que ocorre quando um íon entra na célula. Ele coloca a célula no estado oposto, mas o circuito permanece em um estado saudável. Como o tamanho do transistor nos novos chips é relativamente grande, a comutação requer uma carga tão grande que a probabilidade de falha tende a ser zero. Além disso, um capacitor especial é introduzido no circuito da célula. Ao contrário da correção de erros ECC, essa abordagem evita que vários erros ocorram ao mesmo tempo. A utilização desta e de outras técnicas, segundo Renesas, permitiu obter o mesmo grau de resistência à radiação que no caso dos microcircuitos fabricados segundo as normas de 150 nm.

Quanto ao travamento do transistor, ele é causado por um pulso de corrente induzido por íons, que leva à abertura de um circuito tipo tiristor formado por estruturas parasitas de pares de transistores de diferentes tipos. Como resultado do travamento, a corrente através dos transistores aumenta mesmo após a exposição ao íon parar, o que pode levar ao superaquecimento e falha do microcircuito. Na nova memória, apenas os transistores de canal n são formados em um substrato de cristal único, e os transistores de canal p são formados como transistores de filme fino usando silício policristalino, o que elimina a formação de um tiristor de estruturas parasitas e fundamentalmente elimina o risco de quebra do transistor. Ao longo do caminho, isso possibilitou reduzir a área da célula e o tamanho do cristal, aproximando esses indicadores dos da memória produzida nos padrões de 65 nm.

O consumo de corrente em standby é inferior a 2µA a 25°C, tornando os chips adequados para armazenamento de dados em dispositivos alimentados por bateria.

A Renesas planeja liberar essa memória com densidade de 16 Mbps.

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